Керамическая масса Советский патент 1984 года по МПК C04B35/04 

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может бить ис йользовано в производстве малогаба{) ных изделий на основе тонких кераю ческих пленок, т.е. для изделий, требуилцих повышенного коэффиирента терюсческого линейного расширения, пониженной микропористости, работаю щих в широком интервале температур и допускающих использование электро дов на неблагородных металлов, напр мер подложки,металлокерамические уз для электровакуумных приборов, осно вания подстроечных конденсаторов и другие изделия радиоэлектронной техники. Известен форстеритовый материал содержащий об.%: педиплаз 57-65, кремнезем 35-43.Недостатками данного материала являются значительные газопроницаемость и пористость. Наиболее близкой к предлагаемой является форстеритовая керамика 2 содержащая, вес.%:. Окись магния 55,5-58,0 Двуокись кремния 39,5-44,0 Пятиокись ванадия 0,2-1,0 Окись иттрия 0,3-1,5 Указанный материал обладает дост точно низкой температурой и широким интервалом спекания, имеет значител ное, преимущество в отношении микропористости перед другими форстерито выми материалами, однако содержит в своем составе пятиокись ванадия (УзОд), вследствие чего при повышении рабочих температур резко ухуд шаются диэлектрические свойства керамики, что делает, невозможным ее использование для изделий, работающих до . Наличие окиспа переменной валентности (VjOj) ае позволяет производить обжиг керамики в восстановительной среде и производить металлизацию керамики иеблахородными металлами. того, П15именение в материале окиси иттрия обеспечивающее спекание материала при достаточно низкой те И1ературе с малой микропористостью затрудняет использование данной керамики из-за дефицитности окиси иттрия и вьюокой его стойкости. Цель изобретения - получение керамики, обладающей ЗЛучшенными диэлектрическими характеристиками в широком интервале температур. Указанная цель достигается тем, что кера1в1ческая масса, преимущественно для изготовления малогабаритных изделий электронной техники, содержащая углекисльй магний, двуокись кремния и шнepaлизaтop, в качестве минерализатора содержит борнзто кислоту или борат кальция при следующем соотношении исходных компонентов, мас:%; Углекислый магний 72,0-74,0 Двуокись кремния 24,0-27,0 Борная кислота или борат кальция 1,0-2,О Добавка борйой кислоты или бората калыщя дает возможность синтезировать форстерит непосредственно из окислов при достаточно низких температурах с мелкокристаллической малопористой структурой. Введение окиси бора улучшает диэлектрические характеристики керамики при повышенной температуре и препятствует восстановлению компонентов при обжиге в водородной среде. Предлагаемый состав керамического материала получают следующим образом,. Углекислый магний, двуокись кремния и половину всего количества окиси бора (в виде борной кислоты или другого борсодержащего материала) смеш1вают в вибромельнице мокрым способом, обезвоживают и обжигают при Л2ВО±2&С f в полученный спек вводят ocTflflibHoe количество .бореодержащего коквюйента, производят иэмельченне материала до размера частиц 5 вcм а менее, после чего порошок используется для оформления изделий {{ ессованием, горячим литьем под давяеиием или литьем керамической илеикй. Пример 1. Состав содержит мас.%: MgCOj72,0 SiOg27,0 или GaO-BgOg -:. Синтез форстерита осуществляют при 1280±20С, спекание материалй при 1Э40±20 С. При этом микропористость материала 5-6% с размером пор не более 10 мкм, а диэлектрические характеристики следую1ще: tgo при (10-15)х10 |) при 10°- см Состав содержи пример мае.%: MgCOj HjBOjmmrCaOjBjOj2,0 форстерита осуществляют при t280±20C, спекание материала пои 1300±20 С. Пой этом микропрристость матер не более 10 мкм 6% с размером пор а диэлектрические характеристики следугакие: {12-15)х10 tgff-пря 300 С 10-10 О fV при Пример 3. Состав содержи мас.%: MgCO.73 ,5 HjBOj или CaO-B Oj 1,5 Синтез форстерита осуществляют при 1280±20 С, спекание материала 594 при 1320+20 С. При этом микропористость керамики 5-6% с размером пор 7,5-10 мкм, а диэлектрические характеристики следующие: tg« при 300°С (10-15)х10 j при 10 -10 ОмСМ, Предлагаемый материал не содержит в своем составе редких и дефицитньсс компонентов имеет достаточно простую технологию приготовления и низкую ,v1300 c, высотемпературу спекания кий коэффициент линейного термического расширения и достаточно мелкую U10 мкм) микропористость в пироком интервале температур обжига, что позволяет использовать его в блоках подстроенных конденсаторов и других малогабаритных изделиях, где толщина рабочих пластин не превышает 3537 мкм. Натериал устойчив к обжигу в восстановительной среде.

КЕРАМИЧЕСКАЯ МАССА, т енмущёствеано для изготовления малогабаритшл: изделий электронной техники. содержащая углекислый магний, двуокись кремния и минерализатор, о т л ич ающа я с я тем. что с целью получения керамики, обладающей улучшен- , «ИМИ диэлектрическими характеристиками в широком интервале температур, она содержит в качестве минерализатора борную кислоту или борат кальция при следующем соотношении исходных компонентов, мас.%: Углекислый магний 72,0-74,0 Двуокись кремния 24,0-27,0 Борная кислота или борат кальция 1,0-2,0