Способ формирования слоя фоторезиста Советский патент 1977 года по МПК G03C1/74 

Описание патента на изобретение SU570870A1

экрана 5, дозатора 6 с фоторезистором, системы 7 подачи давления, клапана 8 подачи фоторезиста.

Окисленные кремниевые пластины 9 с низкой заранее определенной дефектностью окисла закрепляются на столике 3 центрифуги 2. Опускается и закрывается колпак камеры 1.

Последовательность операций и параметры режимов следующие:

1)с помощью клапана 8 фоторезист марки ФП-383 или ФП-РН7 выдается из дозатора 6 на пластину в количестве 0,2-0,3 мл;

2)включается центрифуга 2 на 30 сек. Скорость центрифугирования 1500 об/мин;

3)одновременно с включением центрифуги в камере 1 создается давление газа порядка 5-6 ати;

4)после остановки центрифуги пластина выдерживается под указанным давлением до термообработки. Время хранения от О до 10 мин;

5)термообработка фотослоя проводится под давлением газа от 0,5 ати до давления, не превышающего значения, при котором происходит изменение свойств подложки, в камере при температуре 110°С в течение 5 мин;

6)после отключения элемента 4 пластина охлаждается включением центрифуги в течение 1 мин ( об/мин). После этого давление в камере снижается и пластина извлекается.

Цель последующей обработки сформированной пленки фоторезиста - исследование дефектности слоя окисла, создаваемой дефектами фоторезиста. Оценка проводилась с использованием метода электрографии. Установленная при этом дефектность для предлагаемого способа 0,005-0,01 проколов/мм.

Панесение слоя фоторезиста на подложку под избыточным давлением в пределах от 0,3 ати до давления, вызывающего изменение физических свойств подложки, снижает также дефектность при использовании методов

окунания, пульверизации и полива.

Формула изобретения

Способ формирования слоя фоторезиста, включающий нанесение слоя фоторезиста на подложку в условиях избыточного давления, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности слоя фоторезиста, нанесение его осуществляют при давлении на подложку в пределах от 0,3 ати до давления, не превытающего значения, при котором происходит изменение физических свойств подложки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР №303993, кл. G ОЗС 1/74, 10.11.69.

Похожие патенты SU570870A1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА НА ПЛАСТИНЫ 1993
  • Абрамов Г.В.
  • Битюков В.К.
  • Попов Г.В.
  • Рыжков В.В.
RU2093921C1
СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ СЛОЯ ФОТОРЕЗИСТА, НАНЕСЕННОГО НА ПОДЛОЖКУ 1991
  • Комаров В.Н.
  • Суровцев А.Н.
  • Гунина Н.М.
SU1829679A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ ФОТОРЕЗИСТА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1999
  • Абрамов Г.В.
  • Битюков В.К.
  • Коваленко В.Б.
  • Попов Г.В.
RU2158987C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИС С ДВУХУРОВНЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИЕЙ 1991
  • Красножон А.И.
  • Фролов В.В.
  • Хворов Л.И.
RU2022407C1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ЦЕНТРИФУГИРОВАНИЕМ 1994
  • Абрамов Г.В.
  • Битюков В.К.
  • Попов Г.В.
  • Рыжков В.В.
RU2094903C1
Устройство для фильтрации фоторезиста 1990
  • Гапич Ростислав Васильевич
  • Колодин Вячеслав Николаевич
  • Соколенко Виктор Иванович
  • Артюх Владимир Николаевич
SU1782631A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТНОЙ МАСКИ ПОЗИТИВНОГО ТИПА (ВАРИАНТЫ) 2014
  • Котомина Валентина Евгеньевна
  • Лебедев Вадим Игоревич
  • Леонов Евгений Сергеевич
  • Зеленцов Сергей Васильевич
RU2552461C1
Способ изготовления фотошаблонов 1980
  • Гетманов Юрий Анатольевич
  • Сучкова Татьяна Николаевна
  • Сулюкин Виктор Федорович
  • Фартукова Ольга Егоровна
SU868891A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПЛАТИНЫ 1996
  • Смолин В.К.
  • Кондрашевский В.П.
RU2110112C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ШКАЛ ОБРАТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИЕЙ 2008
  • Кручинин Дмитрий Юрьевич
RU2370799C1

Иллюстрации к изобретению SU 570 870 A1

Реферат патента 1977 года Способ формирования слоя фоторезиста

Формула изобретения SU 570 870 A1

SU 570 870 A1

Авторы

Блинов Иван Григорьевич

Перемыщев Владимир Александрович

Сандеров Вильям Лазаревич

Кутко Петр Станиславович

Царев Виктор Николаевич

Перемыщева Ирина Николаевна

Даты

1977-08-30Публикация

1975-05-19Подача