Способ получения электрофотографического изображения на фотополупроводниковых слоях с диэлектрической пленкой Советский патент 1977 года по МПК G03G13/00 

Выполнение предложенного способа, который состоит из пяти стадий, изображенных на фиг. 1 и в виде эквивалентных схем на фиг. 2, которые служат моделью способа при условииАсл С $ч Ап1 где и R -соответственно темповое и стационарное фотосопротивление фотополупроводникового слоя, Rn - сопротивление пленки, характеризуется следующим примером. В I стадии цроцесса фотополупроводниковый (например, биполярный селеновый) слой 1, канесемный на токопроводящую подложку 2 и покрытый диэлектрической (например, лавсановой) пленкой 3, заряжается с одновременным освещением через прозрачную в области чувствительности слоя пленку или подложку в поле положительного коронного разряда, изображенного на фиг. 2 в виде источника напряжения U с внутренним сопротивлением RK- При этом на поверхности пленки осаждается положительный заряд плотности СГ-,- , а экранированный отрицательный заряд плотности а- , вследствие малого сопротивления освещенного слоя по сравнению с сопротивлением пленки, скапливается на границе раздела слоя и пленки. Затем при отсутствии света производится перезарядка двухслойной системы в поле отрицательного коронного разряда, напряжение которого, например, по абсолютной величине превышает напряжение положительной короны (II стадия процесса). В результате этой операции на пленке создается плотность заряда, равная II , I а -р 3, , а экранированный ноложительныи заряд плотности а./ из-за высокого темного сопротивления слоя располагается в проводящей подложке. При экспонировании изображения (III стадия процесса) экранированный положительный разряд на светлых участках слоя аивследствие резкого уменьшения их сопротивления переходит па границу раздела слоя и и , пленки, где создается плотность заряда о : - -+-а, равная по абсолютной величине заряду на поверхности пленки а.; -f- о . На темных участках слоя распределение зарядов остается прежним. В следующей IV стадии процесса поверхность пленки закорачивается с проводящей ПОДЛОЖКОЙ при отсутствии света, например, с помощью вала с покрытием из токопроводящей резины. Таким образом, что исходя из соотношения + 0. где бел и бп - напряженность электрического поля соответственно в слое и пленке; и dn - толщины слоя и пленки, уравнивание потенциалов поверхности пленки и проводящей подложки приведет к тому, что на экспонированных участках слоя плотность заряда на пленке уменьшится до величины Де 8сл, Sn, с/сл И d,, - соответственно диэлектрические проницаемости и толщины слоя и пленки, вследствие того, что часть заряда с ее поверхности переместится в подложку, а на темных участках слоя в результате перераспределения заряда на поверхности пленки возникает заряд плотности , й;;;:п в результате последующей засветки слоя (V стадия процесса) и снижения сопротивления слоя от RL до Нел на границе раздела между слоем и пленкой появятся экранироVcBVTггванные заряды о и а соответственно на экранированных и темных участках слоя„ равные но абсолютной величине зарядам Таким образом, в результате всех операций на поверхности пленки создается биполярное скрытое изображение с зарядным рельефом, .IVCBJVT., II i - 1 I n Ci: 1 1 ;; . которое затем нроявляется на свету обычными методами и переносится на воспринимающий материал. Из нолученного выражения видно, что величина зарядного рельефа существенно зависит как от величины заряда ст , осаждаемого на пленку во II стадии процесса, так и от соотношения толщин и диэлектрических проницаемостей слоя и пленки. Практически при использовании в качестве слоя биполярного селена толщиной 150 мкм и пленки на лавсана толщиной 15 мкм, объемное сопротивление которой, примерно, на два порядка выше, чем объемное темновое сопротивление селена, оказалось возможным получать максимальный потенциальный рельеф на штриховом; изображении, равный 750 В, что соответствуетзарядномурельефу 1,3 10 кул/см и диапазону оптических плотностей изображения, достигающего 1,5 единицы при допустимой плотности вуали. Данные экспериментальных исследований показали, что предлагаемый процесс обеспечивает получение позитивных изображений как с позитивного, так и негативного оригинала при различной очередности нанесения зарядов той и другой полярности в первых двух стадиях процесса и меньшей по сравнению с униполярным изображением плотностью вуали..

Записанное на пленке скрытое изображение может д.чительно в течение многих суток сохраняться как на свету, так и в темноте и при необходимости стерто, например, последовательной зарядкой пленки на свету в поле коронного разряда одного, а затем другого знака. Записанное изображение можно многократно проявлять и переносить на воспринимающий материал, а оставшийся на пленке порошок очиш,ать с ее поверхности при условии, что в процессе переноса изображения на поверхность пленки не вносятся дополнительные заряды (например, при переносе изображения с помощью вала с электропроводным покрытием, находящимся под напряжением и отделенным от воспринимающего материала изоляционной пленкой). Диэлектрическая пленка, обладая высокой электрической и механической прочностью, предохраняет фотополупроводниковый слой от механических дефектов при очистке порошка и улучщает перенос изображения за счет возможности создания сильного электрического поля в порошке.

Формула изобретения

1. Способ получения электрофотографического изображения на фотополупроводниковых слоях с диэлектрической пленкой путем осаждения заряда на пленку, экспонирования

изображения па фотополупроводниковый слой, закорачивания поверхности пленки с токопроводящей подложкой фотополупроводникового слоя и последующего его освещения, отличающийся тем, что, с целью получения биполярного скрытого изображения с негативного или позитивного оригинала и улучшения качества изображения, осаждение зарядов на пленку осуществляют при одновременном освещении фотополупроводникового слоя актиничным светом с последующ,им перезаряжением ее в темноте зарядом противоположной относительно первой зарядки полярности, а закорачивание поверхности диэлектрической пленки с токопроводящей подложкой осуществляют после экспонирования изображения на фотополупроводниковый слой. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, в качестве материала для фотополупроводникового слоя используют биполярный селен, а в качестве диэлектрической пленки - материал с объемным сопротивлением не менее чем на два порядка превышающем объемное темновое сопротивление селена, например лавсан.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Выложенная заявка Японии № 786-48,

кл. 103 к 1.

X

С8ет

,.- .-„, ,„ , (T.ffж tr J

, - r- --r- -f-i-| I Р7;77 Г7/&-+ -i- -РЙ

... V /Y//////7/:A

p- - 4--i-4-i-jj ////////// /////////,

-.т Г / .

И 6 -

темнота

1,-Ж

.

Г,6-1Г7