Способ контактного копирования изображений Советский патент 1980 года по МПК G03G13/04 

(54) СПОСОБ КОНТАКТНОГО КОПИРОВАНИЯ Изобретение относится к электрографии и может быть использовано для раэмножения микрофиш, микрофильмов и т. п., выполненных на электрографических фотополупроводниковых носителях (ЭФН). Известен способ контактного копирования с прозрачного оригинала на электрофотографический материал с проводящим подслоем. По этому способу между оригиналом и ЭФН во время экспонирования введена п о зрачная диэлектрическая плёнка При контактном экспонировании ЭФН и оригинал должны быть прижаты друг к другу с целью получения минимального зазора. При этом случайные пылинки.и др. загрязнения, попадающие в зазор, вдавливаются в ЭФН, ди электрическую пленку и оригинал. На вводимой в зазор пленке возникающие углубления, риски, царапины довольно быстро накапливаются.и приводят к появлению дефектов на копии. Повышенмая дефектность особенно заметна, при копировании микроизображений с высотой символов 50-150 мкм. Это приводит к необходимости частой замены пленки и установке соотвётстИЗОБРАЖЕНИЙвующего механизма смены пленки в аппаратах копиров.ания, что усложняет и удорожает аппараты и.их техническое обслуживание. Другой недостаток введения пленки заключается в уменьшении-разрешающей способности из-за наличия зазора между ЭФН и оригиналом. Цель изобретения - повышение качества копируемого изображения и удешевление процесса контактного копирования. Указанная цель достигается тем, что во время экспонирования осуществляют непосредственный контакт между оригиналом и фотополупроводниковым слоем носителя. , сущность изобретения заключается в исключении нерегулярного переноса электрического заряда между оригиналом и ЭФН путем введения диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопроводящими участками носителя. Способ включает зарядку ЭФН, введение диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопроводящими участками носителя, прижим . ЭФН и оригинала, экспонирование. разъединение ЭФН и оригинала, проявление ЭФН и при необходимости закрепление проявленного изображения ЭФН состоит и.з пленочной основы, на которую нанесен токопроводящий по слой. Поверх находится фотополупроводник, который не полностью перекрь(вает токопроводящий подслой. Обычно пленочную основу вьаполняют из лавсана толщиной 75-300 мкм, а токопроводящий подслой наносят напылением в вакууме никеля или платины слоем в несколько ангстрем;. В качестве фотополупроводника используют прливинилкарбазол, полиэпоксипропилкарбазол и др. с сенсибилизи рующими и пластифицирующими добавками. Толщина фотополупроводника 2-8мк Зарядка ЭФН -производится обычным скоротроном с коронирующимИ пройолочками, на которые подается напрялсение в несколько киловольт.. При это проводящая основа ЭФН заземляется. Заряженный,ЭФН прижимается к оригиналу. Прижим осуществляется механически вакуумным присосом и. т. п Перед прижимом вводят-в зазор или предварительно наносят на оригинал диэлектрическую пленку, которая, перекрывает токопроводящие участки носителя. За счет деформации пленочной основы ЭФН в рабочем поле воздушный зазор минимален и фо тополупроводниковый носитель и оригинал прилегают друг к другу. .Плотное контактирование поверхностей требуется для получения максимальной разрешающей способности. Исключение диэлектрической пле ки во. время контактного экспонирова ния .невозможно, как без нее про водящие основы ЭФН й| оригинала замы каются друг с другом. В результате образуются плоск;ий конденсатор с дву мя замкнутыми обкладками, между ко торыми расположен заряд на поверхности .ЭФН. Этот .заряд индуДйрует в обкладках соответствующие наведенные заряды. Суммарное поле всех зарядо оказывается весьма Значитёльньом, особенно в малом воздушном зазоре между оригиналом и ЭФН. Возду ный промежуток в отдельных местах пробива.ется электрическим полем и пр исходит нерегулярный перенос зарядов приводит к неравномерности скрытого электростатического изображения и, как следствие, к пятнам, дефектам разкштию и т. п. на проявленной копии.. В тоЖе время отказаться от про водящих дорожек невозможно, так как они нужна Для надежного заземления, токопроводящего подслоя ЭФН при за-рядке. .. По предлагаемому способу основы ЭФН и оригинала не соединены и электрическое поле поверхностного заряда сосредоточено в фотополупроводнике ЭФН и не перераспределяется в воздушный промежуток. Экспонирование производят направленным потоком свеТа со стороны оригинала. Непрозрачные элементы изображения не пропускают к фотополупроводнику ЭФН и поэтому в этих местах сохраняется начальный заряд. В остальных местах за счет фотопроводимости заряды стекают на токопроводящий подслой. Таким образом на ЭФН формируе ся скрытое электростатическое изображение. Далее свет выключают и производят разъединение. Диэлектрическую пленку оставляют на оригинале или убирают. Загот.овку со скрытым электростатическим изображением проявляют обычным методом, смачивая ее поверхность жидким электрографическим проявителем. Затем этот проявитель сливают, остатки высушивают и получают готовую копию. Для надежности диэлектрическую пленку устанавливают несколько больших размеров,чем токопроводящие до-, рожки. Диэлектрические прокладки изготавливают из прозрачного материала лавсана толщиной 5-100 мкм. Для введения диэлектрической пленки между оригиналом и токопрово-. дящими участками носителя используют прозрачную лавсановую пленку толщиной 5-100 мкм. Более тонкий лавсанне удобен практически,а. более толстый прив.бдит к слишком большим деформациям подложки ЭФН.Диэлектрическую пленку предварительно наносят на оригинал, например с помощью лакового раствора. В качестве пленкообразующего вещества используют поливинилбутираль, создающий на оригинале прозрачную достаточно твердую диэлектрическую пленку. По предлагаемому способу требуется меньшее к.оличестводиэлектрической пленки иболее редкая ее замена, что удешевляет процесс копирования. Экспериментальную проверку способа проводят на электрофотографических микрофиш.ах стандартного размера 105х . х148 мм. Оригиналмикрофиши получают МикрофилЁмироданием бумажных оригиналов с 21 уменьшением. Элёктрофотографическая, микрофиша вдоль своих длинных сторон имеет то; копроводящиеучастки шириной 1-1,5 мм. Заготовку заряжают до потенциала 200-250 В и. затем зажимают совместно с оригиналом между двумя плоскими стеклянными поверхностями. Перёд этим на оригинал мик.рофиши накладывают лавсановые полоски толщиной 5100 мкм и перекрывают края микрофиши- оригинала вдоль токрпроводящих участков. В другом варианте на микрофишу-оригинал наносят из раствора пленку поливинилбутираля толщиной -3 мкм. Экспонирование производят лампойКП«127-100 в течение 3-5 с. Затем заготовку отделяют от оригинала. Проявление производят перемещением заготовки относительно менискового устройства проявления. Используют жидкий сажевый проявитель на основе фреона-113,концентрация тонера 5-8 г/дц.

Полученные копии имеют плотность до 2-2,5 (оптимальная плотность 1,4+ ±0,3), разрешающую способность -250ЛИН/ММ,плотность фона менее 0,05 Никаких паразитных эффектов и ухудшения качества из-за нерегулярнЬго переноса зарядов между ЭФН оригинала и заготовки не наблюдают. Формула изобретения

Способ контактного копирования изображений на фотополупроводниковый

Носительс токопроводящей основой, вгслюЧаЩйй зарядку носителя, введение диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопроводящими участками носителя, экспонирование и проявление, отличающийся тем, что, с целью повашения качества и удешевления процесса, во время-экспонирования Осуществляют непосредственный контакт между оригиналом и фотополупроводниковым слоем носителя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США №2689179, кл. 355-12, 1954.

Iff 1 ,| I . 1 4

СВЕТ 5