(54) ТЕРМОСТАТИРОВАННЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР
TOiB 5 и 6, т. е. к восстановлению прежнего значения температуры.
Тонкопленочное исполнение нагревательных элементов, тензоэлемента, термоэлемента и изоляционных слоев .ввиду их малой массы позволяет получить быстродействующую систему стабилизации температуры тензоэлемента, а следовательно, и повышение точности измерения в условиях быстроменяющихся температур за счет исключения температурной погрешности.
Формула изобретен и я
Те,рмостатированный тензорезистор, содержащий тензоэлемент, диэлектрический слой.
обхватывающий тензоэлемент, гермоэломент; размещенный на диэлектрическом слое, второй диэлектрический слой, размещенный на термоэлементе, и нагревательные элементы, обхватывающие тензоэлемент и термоэлемент, о тличающийся тем, что, с целью повыщепия точности измерения, тензоэлемент, диэлектрические слои, термоэлемент и нагревательные элементы выполнены в виде тонких пленок.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1.Авторское свидетельство СССР № 434284, кл. G 01В 1/18, 1972.
2.Патент ФРГ № 832689, кл. 42К 45/03, 1950.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ группового изготовления полупроводниковых чувствительных тензоэлементов | 1983 |
|
SU1259104A1 |
Малобазный тензодатчик | 1985 |
|
SU1263996A1 |
Устройство для измерения параметров среды | 1981 |
|
SU1029011A1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2397460C1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2391640C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ И ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ЕГО ОСНОВЕ | 2009 |
|
RU2398195C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ | 2010 |
|
RU2411474C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ И НАДЕЖНОСТИ | 2012 |
|
RU2480723C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ БАЛОЧНОГО ТИПА | 2012 |
|
RU2520943C2 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ | 2010 |
|
RU2427810C1 |
Авторы
Даты
1977-09-30—Публикация
1976-05-14—Подача