Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур Советский патент 1977 года по МПК H01L21/465 

(54) ПОЛИРУЮЩИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ТРОЙНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ РТУТЫКАДМИЙ ТЕЛЛУР

Изобретение относится к обработке полупроводниковых материалов и может быть использовано как при исследовании выращенных кристаллов, так и при изготовлении приборов из этих кристаллов, в частности, тройных твердых растворов ртуть«кадмий теллур.

Известен полирующий травитель монокрио таллов, представлякяций собой 5%-ный раст- вор брома в метиловом спирте L--T

Однако при полировании этим травителем на поверхности образцов остаются трудноудалимые -следы брома, и окисной пленки. Это затрудняет обработку поверхностей криоталлов для эпитаксиального наращивания в приборостроении н металлографических исследованиях.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является полирующий тр&витель для монокристаллов тройных твердых растворов ртуть-кадмий теллур, содержащий водный раствор трехокиси хрома 2.

Использование известного травителя для химической полировки кристаллов ртуть кадр мий -теллур показало, что поверхность образцов покрывается окисной радужной пленкой.

Кроме того, в результате бурной решсцив . происходит локальное расстравливание поверхности. ,

Целью изобретения является обеспечение гладкой зеркальной поверхности образцов и предотвращение образования окисной пленки.

Достигается это благодаря тому, что травитель дополнительно содержит азотную и фтористоводородную кислоты, а кокгпонен- тьт взяты в следующем соотнощении (об.%):

50%-ный водный раствор

трехокиси хрома. 3CV-40

Азотная кислотаЗО-35

Фтористоводородная

кислотаЗО-35

Отклонение значений компонентов от ука занных пределов приводит к окислению поверхности образцов.

Пример. Образны, вырезанные из кристалловCd -Hdrtn e, шлифуют микропо„ О| SOio

рошком М-7, тщательно промывакгг водой и химически полируют. Для приготовления полирующего состава компоненты берут в следующем соотношении (об.%): 50%-ный водный раствор трехокиси хрома30 Азотная кислота (56%-ная)35 Плавиковая кислота (35%-ная)35 Образцы выдерживают в приготовленном травителе в течение ЗО-бОсек при 25 С и затем промывают деионизированной водо )в .высушивают фильтровальной бумагой. Все химически полированные образны имеЮт гл кую, зеркальную поверхность без окисной пленки. П р и м е р 2. Образцы, нарезанные из кристаллов .Te , шлифуют микропорош ком M-iO, затем тщательно промывают в деионизированной воде. Для химической полировки образцов ком роненты берут в следующем соотношении (об.%): 50% -нь1й раствор трехокиси хрома в воде4 О Азотная кислота (б1%-ная)30 Плавиковая кислота (40%-ная)ЗО Образцы выдерживают в приготовленно травителе 30-60 сек при 25 С, а затем Ьромывают в воде и высушивают фильтрова ной бумагой. Все химически полированные образцы обладают зеркальной поверхностью без окисной пленки, Предлагаемый полирующий гравитель обео печивает хорошее качество травления и дает возможность получить полированную- поверхность образцов тройных твердых растворов ртуть кадмий-теллур. Формула изобретения ПОлирукщий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртуть ка миЛ-теллур, содержащий водный раствор трехокиси хрома, отличающийся тем, что, с целью обеспечения гладкой зеркальной поверхности образцЬв и предотвращения образования окисной пленки, он допо; нительно содержит азотную и фтористоводородную кислоты, а компоненты взяты в еледуклдем соотношении (об.%): водный раствор трехокиси хромаЗО-40 Азотная кислота30-35 Фтористоводородная кислотаЗО-35 Источники информации, прниятые во внимание при экспертизе: ,1. - .Pafne -,J.E.PmrteEB.7 eveBat on of Dislocation i(Hg,Cd)Te Ъу a Etch Techhigre J.EEecir.Soc.i971 v.H.a и H8,pi86S- I86f 2. Авторское свидетельство СССР Nfe 428485, кл. Н OIL 21/306, ;14.09.72.