(54) РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Композиция для химико-механической полировки поверхности полупроводниковых кристаллов | 1989 |
|
SU1701759A1 |
Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур | 1976 |
|
SU577589A1 |
Травитель для прецизионного химического полирования монокристаллов антимонида галия и твердых растворов на его основе | 1983 |
|
SU1135382A1 |
Травильный раствор | 1978 |
|
SU713839A1 |
Полировальный состав | 1978 |
|
SU794052A1 |
Состав для травления монокристаллов германата свинца Р @ G @ О @ | 1990 |
|
SU1738878A1 |
СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ | 2004 |
|
RU2279154C1 |
Завод полупроводниковых приборов | 1970 |
|
SU334852A1 |
Композиция для химико-механического полирования полупроводниковых материалов | 1977 |
|
SU654662A1 |
Суспензия для полирования кристаллов германия | 2022 |
|
RU2809530C1 |
1
Изобретение относится к технологии химического полирования оптических деталей из монокристаллов, например сурьмянистого кадмия, и может быть использовайо в оптико-механической и оптико-электронной промышленности.
Известен травильный раствор для сурьмянистого кадмия 1, включающий, мл: Глицерин.60
30%-ная перекись водорода6037%-ная плавиковая кислота - 40
Применение этого раствора позволяет получить полированную поверхность. Однако на ней после травления образуются ямки.
Наиболее близким к изобретению является раствор 2, содержащий, мл:
Глицерин50
30%-ная перекись
водорода27
37%-ная плавиковая
кислота10
Такой раствор не образует ямок травления на поверхности кристалла, но не позволяет получить удовлетворительное оптическое качество полированной поверхности, в частности, наблюдается волнистость на поверхности. Кроме того, большое содержание глицерина снижает скорость травления. При этом интенсивно чернеют поверхности монокристалла.
Цель изобретения - улучшение качества поверхности и увеличение скорости травления.
Указанная цель достигается тем, что раствор содержит компоненты в соотношении,мл:
Глицерин5-15
30%-ная перекись
водорода35-45
37%-ная плавиковая
кислота12 - 20
Этим раствором обрабатывают промышленные изделия из сурьмянистого кадмия, представляющие собой цилиндры диаметром 3 мм и высотой до 5 мм, предварительно отполированные алмазной пастой М2/1 и М 1/0. Травление производят вначале без перемешивания в течение 40-50 с, в результате чего на поверхности заготовки образуется окисной слой, который легко удаляется кратковременным (5-10 с) перемешиванием полирующего раствора непосредственно перед окончанием процесса
Известный 120 10-12
60 15 2О14
50 20-2514
58 15-20 , 14
Таким образом, использование предлагаемого раствора позволяет улучшить частоту поверхности на 1 класс и снизить время травления в 2 раза, получить на поверхности кристалла во время травления тонкую пленку, способствующую равномерному стравливанию материала. При этом отсутствует почернение поверхности кристалла.
Формула изобретения
Раствор для химического полирования оптических деталей из монокристалла сурьмянистого кадмия, включающий глицерин, 30%-ную перекись водорода и ЗТ /о-ную плавиковую кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхполировки. После травления образца промывают проточной водой.
Результаты испытаний приведены в таблице.13
Поверхностьчисгая
То же
ности и увеличения скорости травления, он содержит указанные компоненты в соотношении, мл:
Глицерин5-15
30%-ная перекись
водорода35-45
37%-ная плавиковая
кислота12-20
Источники информации,
принятые во внимание при экспертизе
Авторы
Даты
1981-05-30—Публикация
1979-08-20—Подача