Схема смещения перехода база-эмиттер транзистора Советский патент 1977 года по МПК H03F3/34 

(54) СХЕМА СМЕЩЕНИЯ ПЕРЕХОДА БАЗА-ЭМИТТЕР

ТРАНЗИСТОРА за которого через ряд М-прямосмещениых переходов, например транзисторов 2 в диодном включении, а эмиттер через ряд N прямосмещенных полупроводниковы: переходов, например транзисторов 3 в диодном включении, подключены к положительному полюсу источника 4 тока. База транзистора 1 через ряд дополнительных N -прямосме- шейных полупроводниковых переходов, напри мер транзисторов 5 в диодном включении, а эмиттер - через ряд дополнительных М-прямосмешенных полупроводниковых nepe ходов, например транзисторов 6 в диодном включении, подключены к отрицательному полюсу, источника 4 тока, эффективная плошадь каждого полупроводникового перехода М -ряда в rt раз больше, чем эффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда, где It - положительное число; Схема смещения перехода база - эм иттер транзистораработает следующим образом. Падение напряжения V. на транзисторе 1, включенном как диод, будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером. При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы эмиттера значитель но меньше сопротивления пограничного сло действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - ц пер хода. Падение напряжения связано с плотностью тока в нем соотношением КТ. Зе... где Л -ппотностьэмиттерного тока триода в режиме диода; К - постоянная Больцмана; Т - абсолютная температура; зар$щ электрона; плотность тока насыщения, которая смещает температурную зависимость, но является существе но одинаковой для полупроводниковых приборов, имеющих одинаковый профиль переходовJ поэтому из ураЁнения (I) следует падание напряжения на перехо де транзисторов 5; плотность тока через переход транзисторов 5; падение напряжения на переходе транзисторов 6; плотность тока через переход транзисторов 6. Напряжение AV, равно разности межгт, е. BE BE. Подставляя в это уравнение значения величин из уравнений (2) и (3), получим / Прибавляя величину А Vji с напряжению, приложенному от источника4 тока к пер&источника 4 ходу база - эмиттер транзистора 1, можно увеличить коллекторный ток транзистора в П, раз, отнимая величину от напряжения источника 4 питания, коллекторный ток можно уменьшить в гт раз. Если число прямосмешенных полупроводниковых переходов транзисторов 2 взя1Ь равным М, а число прямосмещенных полупроводниковых переходов транзисторов 5 - равным 11{К-И1 1),то коллекторный ток 0 будет составлять Здуи где U -ток нагрузки, и - положительное число. Предложенная схема смещения база-эмит тер транзистора позволяет сделать коллекторный ток транзистора значительно м§ньше его входного тока, без использования резисторов с большой величиной сопротивления. Формула изобретения Схема смещения перехода база - эмиттер транзистора, например К - р - М типа, база которого через ряд М-прямосмещенны; переходов, например транзисторов в диодном включении, а эмиттер через ряд N - прямосмещенных полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном вклк чении подключены к положительному полюсу источника тока, отличающаяся тем, что, с целью расширения динамического диапазона разделения тока, база транзистора через ряд дополнительных N -прямосм&щенньтх полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном включении, а эмиттер - через ряд дополнительных М-ьрямосмещенных полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном включении,. подключены к отрицательному полюсу источника тока, причем эффективная площадь каждого полупроводникового перехода N -ряпа в г - раз 0рльще, чем фективиая площадь каждого Попупроводв кового перехода М-ряда, где И -положительное число.

Источники якформапяи, принятые во BBrtмание при экспертизе:

1, Патент США N 3301311, кп. 317-235, опубп. 1968.