3
Фор м у л а II 3 о б р е т е н п и
Мишень видикона, содержащая расположенный на прозрачной проводящей подложке поликристаллический слой л-типа на основе селенида кадмия и поверх него - высокоомный слой фотопроводника р-типа, образующие гетеропереход, отличающийся тем, что, с целью повыщения интегральной чувствительности, поликристаллический слой выполнен из твердого раствора CdSe-CdTe с содержанием CdTe от 5 до 95 вес.%.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1.Патент Франции № 1582561, кл. Н01 J 29/00, опублик. 1971.
2.Авторское свидетельство СССР № 395925, кл. Н 01 J 29/45, 1972.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Твердотельный фотогальванический элемент для преобразования энергии света в электрическую энергию | 1991 |
|
SU1806424A3 |
Преобразователь солнечной энергии в электрическую | 1978 |
|
SU689483A1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР | 2012 |
|
RU2491679C1 |
Мишень видикона | 1978 |
|
SU672668A1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ОКСИДА УГЛЕРОДА | 2016 |
|
RU2637791C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ АНАЛИЗАТОР ДИОКСИДА АЗОТА | 2014 |
|
RU2561019C1 |
Способ получения поликристаллических блоков теллурида кадмия | 1990 |
|
SU1791425A1 |
Полупроводниковый анализатор оксида углерода | 2016 |
|
RU2631010C2 |
Полупроводниковый датчик диоксида азота | 2020 |
|
RU2750854C1 |
Полупроводниковый датчик диоксида азота | 2021 |
|
RU2774643C1 |
600 100 т
юоо
Авторы
Даты
1982-08-15—Публикация
1976-12-01—Подача