Способ обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в мдп интегральных схемах Советский патент 1978 года по МПК G01R31/27 G01R31/28 

тока судят о наличии пробок подзатворного диэлектрика исследуемого транзистора.

Та«ой способ позволяет уста:навл1изать наличие иробоя подзатворкОГО диэлектрика транзистора в МДП интегральных схемах без контактирования с затвором исследуемого транзистора. Это бывает удобныо.: в ИС, в которых затвор не соединяется с внешпи;М выводом ИС, но имеется соединение с внешними выводами через другие транзисторы, один из которых |может быть использован в качестве доиолнительного. Необходимо отметить, что наличие шунтирующей гальза ни ческой связи между исследуемыми электродами затвора и стока (истока) не является :препятствием для применения данного способа, так как определяется не абсолютная величина тока через индикатор, а только его из.менение. Отсутствие контактирования с затвором исключает повреждение лодзатворного диэлектрика при контактировании и обеспечивает неразрушающий контроль.

На чертеже показаны элементы интегральHOPI схемы с Подключенными источниками питания и индикатором то-ка, поясняющие использование способа обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в МДП НС согласно данному изобретению.

Между выводами легирозанксй области стока (истока) / и Т101длож1ки 2 исследуемого МДН транзистора включен ;ие;)вь;й источник питания 5. Затвор 4 исследуемого транзистора, не имеющий соединения с виешиимИ выводами НС, соединяется с лодло/ккой 2 через дополнительный МДН транзистор 5, а между выводо.м затвора транзистора 5 и лодложкой 2 включен второй источник тгитания 6. РЕндикатор тока 7 включен между выводом дополнительной легированной области о .исследуемого транзистора и подложкой 2.

Нробой подзатворного диэлектрика МДН тра-нзистора обнаруживают данным способом следующим образом. Носредством первого источника 1питания 3 к легированной области / прикладывают прямое Смещение относительно -онэн эннэГжохс : хзвннена oih: И1М.ЖОг№1Г1 торого тока через индикатор 7. Затем, изменяют напряжение второго источника питания 6 в таких пределах, чтобы обеспечивалось включение или выключение транзистора 5. Благодаря упра вляющему действию затвора сопротивление промежутка сток-исток транзистора 5, который включен межд|у загворо и .годложкой исследуемого транзистОра. изменяется в широких пределах. Нри 1включе1мш дополнительного транзистора сопротивление между его областями стока и истока оказывается малым и щуБти.рует промежуток между затгюро.м и подложкой исследуемого транзистора. Нри этом, если пробит иодзатворный диэлектрик исследуемого транзистора, ток через индикатор становится существенно меньше, чем в случае, когда дополпительиый транзистор выключен. Наоборот, ио неиз.менности величины тока через |И:ндикатор при включении и выключении дополнительного транзистора судят об отсутствии иробоя.

Достоииство данного сиособа обнаружения иробоя иодзатсорного диэлектрика транзистора в МДН ИС ио сравнению с известными состоит в том, что наличие шунтирующих гальванических связей между исследуемыми электродами затвора и стока (истока), которые обыЧНО имеются в НС, не препятствует обнаружению пробоя, так как контролируется не абсолютное значение тока через индикатор, а его изменение. Это позволяет использовать его

при анализе ИС и БИС на МДН приборах, а также тех ИС, в которых затруднено «ли неВОЗМОЖ1НО контактирование с электрода.ми затворов. Кроме того, обесиеч ивается liepaspyщающий ко:нтроль благодаря отсутствию контактирования с затворо.м,

Ф о р м у л а и 3 о б р е т е и и я

Способ обнаруже1И я пробоя подзатворного

диэлектрика транзистора в МДН интегральных схемах, включающий подсоединение источника ;питания к легированной области стока (истока) исследуемого МДН тра.изистора, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с иелью обесаечения неразрушающего контроля без контактирова-нйя с затвором, индикатор тока иодключают другой легированной областью и иодложкой, затем подключают второй ИСТОЧНИК питан.ия к затвору доиолпительпого

МДН траизистора, соедиияющего затвор исследуемого транзистора с подложкой, далее посредством .первого источна1ка 1гитаиия создают ток через легированные области исследуемого транзистора ii ииди катор тока, .после чего, включая И выклкочая допол нительный транзистор с помощью второго источиика иитания, по .изменению паказаний индикатора тока судят о наличии пробоя.

Истачники Питанкя, пр.ИНятые во ,маиие гри эюсиертизе;

1.Боханкевич В. И. и др. Электронная технижа. Научно-техн. сб. «Полупроводниковые

приборы, 1970,1вьш. 6/56, с. 15.

2.Spv- c В. А. и др. Нроизвохдство полупроВО.ДНИКОВЫХ Приборов, М., Профтехиз.дат, 1963, с. 274.