Регулируемый одновибратор Советский патент 1978 года по МПК H03K3/28 

Описание патента на изобретение SU611290A1

(54) РЕГУЛИРУЕМЫЙ ОДНОВИБРАТОР

Похожие патенты SU611290A1

название год авторы номер документа
Двухтактный релаксатор 1978
  • Богомолов Александр Михайлович
  • Манойленко Анатолий Николаевич
SU765987A1
Мультивибратор 1978
  • Воронов Валентин Иванович
  • Агашин Валерий Александрович
  • Шляхтин Артур Евстафьевич
SU801236A1
Ждущий мультивибратор 1979
  • Егоров Владимир Владимирович
SU864501A1
Формирователь импульсов для управления вентилями вентильных преобразователей 1982
  • Шоломицкий Геннадий Иванович
SU1259383A1
СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ 2019
  • Тарасов Виктор Васильевич
RU2727713C1
Устройство для индикации напряжения аккумулятора 1979
  • Федосимов Юрий Семенович
SU864389A1
Ждущий мультивибратор 1979
  • Киясбейли Азиз Шахриянович
  • Фарадж-Заде Ислам Гусейнович
  • Измайлов Акрам Мехти Оглы
  • Тер-Исраелов Григорий Сергеевич
  • Фролов Вячеслав Иванович
  • Турчанинов Юрий Николаевич
  • Альперович Евгений Данилович
  • Дехтярчук Павел Алексеевич
SU845270A1
Генератор импульсов инфранизкой частоты 1978
  • Павлов Олег Петрович
SU790130A1
Широтно-импульсный модулятор 1972
  • Кудрявцев Валерий Михайлович
SU439905A1
Коммутатор 1975
  • Гаврилов Борис Георгиевич
  • Красовский Василий Анисимович
  • Никитюк Игорь Григорьевич
  • Тревогин Сергей Николаевич
  • Тыныныка Александр Николаевич
SU832721A1

Иллюстрации к изобретению SU 611 290 A1

Реферат патента 1978 года Регулируемый одновибратор

Формула изобретения SU 611 290 A1

Изобретение относится к радиотехнике и может быть испопьэсшано в устройствах автоматики и вычислительной техники.

Известен регупируемьгй одновибратор, содержащий транзисторы, резисторы, конден саторы, диоды л делитель напряжения р..

Этот одновибратор имеет узкие функциональные возможности.

Наиболее бпизким техническим решением к данному изобретению является регупируемый одновибратор, содержащий два транзистора с перекрестными коппекторно-базовым резистОрно-конценсаторными цепями связи мтерный повторигетш, два диода и потеициометр, включенный межх шинами источника питания и выводом одного .диода 2.

Однако этот одиови атор имеет сравнительно узкий диапазон плавной регулировки длительности импупьса.

Цель изобретения - расщирение диапазона плавной регулировки длительности импульса.

Для этого в предлагаемом регулируемом одновибраторе щзугой вьшод диода соединен с эмиттерами двух транзисторов разного

типа проводимости, базо-эмиттерный переход а иттернрго повторителя с встречно соединенным параллельно с ним диодом включен между коллектором одного транзистора и конденсатором связи, коллектор Щ)у гого транзистора непосредственно, а база через резистор соединены с общей шиной.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого регулируемого одаови атсфа.

Регулируемый одновибратор содержит транзисторы 1, 2 с перекрестными коллекторно-базовыми резисторно-конденсаторнььми цеп51ми связи, содержащими резисторы 3, 4 и конденсаторы 5, 6, эмиттерный повторитель на транзисторе 7, два диода 8, 9 и потенциометр 10, включенный шинами 11, 12 и выводом диода 9.

Другой вьгоод диода 9 соединен с эмиттерами транзисторов 1, 2 разного типа проводимости. Базо-эмиттерный переход транзистора 7 эмиттерного повторителя с встречно соединенным параллельно с ним диодом 8 включен между коллектором транзистора 1 и конденсатором 6 связи. Коллектор транзистора 2 непосредственно, а база через резистор 4 соединена с общей шиной 12 источника питания. Нагрузкой транзистора 1 служит резио тор 13. Шина 14 явтюется выходом одновибратора, а на шину 15 подаются запускак щие импульсы. Регулируемый однсжибратор работает следующим образом. При подключении источника питания тра зистор 1 входит в насьпдение, транзистор 2 открывается, а транзистор 7 заперт. На выходную шину 14 через диод 8 передается нулевой потенциал. Благодаря глубокому насьш1ению транзистора 1, которое обеспечивается соответствующим соотношением величин сопротивлений резисторов 3 и I3j импульсные помехи в цепи питания не приводят к ложному срабатыванию. Помехи в цепи пусково шины 15 также не приводят к ложному сра батыванию одновибратора благодаря глубокому насышению транзистора 1. Конденсаторы 5 и 6 поддерживаются в разряженном состоянии. При поступлении на запускающую шину 15 кратковременного отрицательного импульса транзистор 1 запирается, транзистор 7 переходит. Воткрытое состояние и через конденсатор 6 поддерживается в запертом, состоянии. Такое состояние схемы 5шляется неустойчивым и длится до тех пор, пока конденсатор 5 не зарядится черв резистор 3 до потенциала, несколько большего, чем потенциал, установленный иа далиттере транзистора 1 потенциометром 1 При этом транзистор 1 открьшается, от рицательный потенциал коллектора транзиотора 1 уменьшается, ь через конденсатор 6 в базу транзистора 2 поступает положитеш ный импульс,обуславливающий регенеративный процесс вкпючения транзисторов 1 и 2 .В ТОМ случае, если напряжения на конденсатсфах 5 и 6 к моменту регенеративного процесса вкшочевия различаются ие более, чем в раа (где -коэффициент усиления транзис-чоров 1 и 2), то регенеративный процесс протекает при насьпцении транзисторовji и 2, поэтому разряд конденсаторов 5 и 6 щэотекает весьма быстро. По окончании разряда конденсаторов 5 и 6 транзистор 1 со фаняет насьпценное состояние, а транзистор 2 переходит из насьпценного состояния в состояние, близкое к насыщению, и тем самым устанавливается исходное состояние схемы. Формула изобрет ей и я РегупвруемьШ одновибратор, содержащий два транзистора с пере1фестными колпекторно-бааовыми резисторио-конденсаторными цепями связи, эмиттерный повторитель, два диода и потенциометр, вхшочбнный между шкнама источника питания в выводом одного диода, .отличающийся , что, с целью расширения диапазона регулировки длитепыюсти импушэса, другой вьтод диода соединеи с эмиттерами двух транзисте оВ разного типа проводикУости, базо-эмиттерный переход эмиттерного повторителя с встречно соединенным параллельно с ним даодом включен между коллектором одного транзистора и конденсатором: связи, колпектеф другого транзистора иепосредствеино, а база через резистор соединены с общей шиной. Источники информации, принят ые во внимание при экспертизе: 1.Патент США №3577013, кл. ЗО7273,О4.О5,71. 2,Авторское свидетельство СССР №273112, кп, Н Q3 К 3/28, 31.10.66.

/3

w4Sii

-xtlftJ S

10

w-fll

tz

-x

SU 611 290 A1

Авторы

Богомолов Александр Михайлович

Манойленко Анатолий Николаевич

Даты

1978-06-15Публикация

1972-02-07Подача