Стекло для изоляции полупроводниковых приборов Советский патент 1978 года по МПК C03C3/10 

обладает плохой растекаемостыо и адгезией к кремнию, значительно снижая качество заполнения канавок. Цель изобретения - снижение кристаллизационной способности стекла для изоляции полуироводииковых приборов. Это достигается тем, что предлагаемое стекло дополнительно содержит PaOs при следующем соотношении и компонентов, мол. %: РЬО26-43 ВгОз22-31 ZnO12-32 SiOa13-18 АЬОз0,3-5,0 MnOs0,2-0,5 CuO0,2-2,0 CdO0,2-0,5 PsOs0,2-1,2 Таблица I 10 15 20 25 30 35 Составы предлагаемого стекла приведены в табл. I. Стекло сплавляют в корундизовых тиглях в электропечах с силитовыми нагревателями при 1100°С с выдержкой 1 ч. Расплав стекла отливают в дистиллированную воду для получения гран)лята. Гранулят измельчают в яшмовых барабанах до получения порошка с удельной поверхностью 6000 . На основе стеклопорошков готовят рабочие суспензии мокрым помолом в яшмовых барабанах с яшмовыми шарами в присутствии изобутилового спирта. Нанесение стеклопорошка из суспензии на кремниевые пластнны с У-образными канавками осуществляют в центрифуге при скорости враш;ения ротора 3500-5000 об/мин в течение 5 мин. Термообработку полученного порошкового слоя стекла проводят в электропечах при 600- 700°С в течение 10 мин. Характеристики предлагаемого стекла приведены в табл. 2 (КЛТР - коэффициент линейного термического расширения, Е - диэлектрическая проницаемость, S - объемное сопротивление). Предлагаемое стекло имеет хорошую растекаемость и адгезию к кремнию и алюминию. Кристаллизация пленок на основе тонкоизмельченного стекла отсутствует полностью в интервале температур 600-700°С. Использование предлагаемого стекла в качестве диэлектрика для изоляции компонентов ИС обеспечивает возможность получения надежной изоляции компонентов ИС и оно может найти широкое применение в электронной технике. Таблица 2