Способ контроля характеристик полупроводниковых приборов Советский патент 1978 года по МПК G01R31/26 

Изобретение относится к области электронной техники, к технологии производства т олупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля стабильности характеристик полупроводников. Известны способы контроля стабил ности характеристик поверхности полупроводниковых приборов. К их числу относится способ определения поверхностной нестабильности полупроводниковых диодов и триодов по зави симости роста мерцакнцего шума при обратном напряжении 1. Данный спо соб имеет недостаток, который заклю чается в том, что шумовое напряжение на исследуемом приборе зависит от многих факторов. Известен способ измерения стабил ности полупроводниковых приборов путем сравнения вольт-амперных характеристик до и после пропускания через прибор прямого тока 1,5 А в т чение 1,5 ч. Критерием оценки стабильности является изменение величин напряжения пробоя 2. Известный способ; обладает следующими недостатками: во-первых, пропускание через прибор большого тока приводит к значительному разогре ву, во-вторых, измерение напряжения лавинного пробоя часто приводит к тепловому пробою р -М- перехода испытуемого прибора; -третьих работа диода в лавинном пробое приводит к увеличению концентрации поверхностных состояний, что сказывается на стабильности поверхности прибора в-четвертых, значительное изменение контролируемого параметра :происходит за продолжительный отрезок времени. Наиболее близким к предлагаемому способу является способ контроля характеристик полупроводниковых приборов, заключающийся в измерении величины фото-ЭДС при освещении поверхности р м -перехода 3j . Однако, с помощью данного способа невозможно определить стабильность характеристик. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей способа за счет обеспечения возможности определения стабильности характеристик полупроволникового прибора. Цель достигается тем, что по предлагаемому способу стабильность определают по разности двух значений фотр-ЭДС при освещении перехода между замера;ми излучением мощностью, не ни