Целью изобретения является повышение точности измерений. Эта цель достигается тем, что дополнительно измеряют спектральную плотность напряжения теплового шума и электрическое дифференциальное сопротивление, а также температуру эле мента в высокоомном состоянии и температуру канала вычисляют по формуле Tg температура переключателя 2 в высокоомном состоянии VH спектральная плотность напряжения шума; 1 R - дифференциальное сопротив ленив переключателя в высокоомном и низкоомном состойннях соответственно При выводе указанной формулы использована известная формула Найквис та, отражающая связь между спектраль ной плотностью напряжения тепловых шумов V шумовой температуры Т и сопротивлением источника шумов Ч -4КТТ , И) где К - постоянная Вольцмана. Переключающий элемент представлен как параллельное включение двух источников шумов. Одним из них являет ся канальная, а другим - неканальна область« Спектральная плотность суммарного тока шумов -1 в элементе, таким образом складывается из двух соста ляющих .4Т К HKi
Г2
где i и
1ц){ спектральная плотность
тока шумов в канале и нек нальной области соответственно t 0 тсредн-яя величина произведения двух
случайных некррёлированных
величин). Поскольку р V / R . , ь используя формулу (1), получаем
I f
4 KT/R
i 4 (3)
4
ик
где Тц и Тц - температура, а Иц и Кцк - сопротивления канальной и неканальной области соответственно. Из выражений (2) и (3) с учетом
v
ии
(4)
где Вц - сопротивление элемента в низкоомном состоянии, расчетную формулу температуры канала получаем в виде
Г
vS
Т1
Оо)
И„СНьИспользование предлагаемого способа определения температуры проводящего канала в переключающем элементе обеспечивает возможность достижения большей точности измерений, что особенно важно для современной техники; расширяет круг исследуемых переключателей без снижения точности-измерений, что в первую очередь актуально при разработке новых приборов. Поставив ВЕЛражения (4) и (5) в формулу (1), получаем нк/ х 1 Обычно площадь поперечного сечения канала намного меньше плогаади неканальной области, поэтомуЯц R и сопротивление канальной области в высокоомном состоянии элемента намного больше RHK Кроме того,Тцц Тд (здесь Rg и Tj - сопротивление и температура элемента в высокоомном состоянии) . С учетом сказанного для спектральной плотности напряжения шумов в высокоомном и низкоомном состояниях из формулы (б) получаем следующие выражения соответственно Из выражений (7) и (8) следует, I к-ч ул Подставляя в формулу (9) выражение для сопротивления проводящего канала R ИВ-Р
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ определения шумовой температурыпРОВОдящЕгО КАНАлА B пЕРЕКлючАющЕМэлЕМЕНТЕ | 1979 |
|
SU830150A2 |
Способ определения параметров проводящего канала в переключающем элементе | 1985 |
|
SU1278624A1 |
Устройство для измерения характеристик переключающих диодов | 1980 |
|
SU928265A2 |
Способ генерации случайных чисел с помощью мемристорного источника стохастических сигналов и устройство для его осуществления | 2021 |
|
RU2787560C1 |
Устройство для переключения мемристора | 2019 |
|
RU2744246C1 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ МЕМРИСТИВНОЙ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК | 2018 |
|
RU2706197C1 |
Концентратомер | 1990 |
|
SU1805354A1 |
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НЕЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН В ЦИФРОВОЙ КОД | 1991 |
|
RU2020745C1 |
АППАРАТ А.Г.СЫЧЕВА ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ СОСТОЯНИЯ ЧЕЛОВЕКА ПО УРОВНЮ ЕГО ПОСТОЯННОГО ПОТЕНЦИАЛА | 1994 |
|
RU2085113C1 |
Логическая матрица на основе мемристорной коммутационной ячейки | 2017 |
|
RU2643650C1 |
мк
(5)
V
нк
Способ определения температуры проводящего канала в переключающем элементе, основанннй на измерении 65 спектральной плотиости напряжения теплового шума и дифференциального сопротивления переключающего элемента в низкоомном состоянии; о т л ичаюшийся тем, что, с целью по вышения точности, дополнительно измеряют спектральную плотность напряжения теплового шума, дифференциальное сопротивление и температуру элемента в высокоомном состоянии, а тем пературу канала вычисляют по формуле т.т 4 W«H4 B J б - л - i где V / VH - спектральная плотность напряжения теплового шума; RH дифференциальное со- противление в высокоомиом и низкоомном состояниях соответственно; - температура элемента в высокоомном-состоянии. Источники инффрмации, приняты э во внимание при экспертизе: 1. Вычислительные систёми, вып.46, с. 89-93, Новосибирск, 1971. 2. Физика и техника полупроводников, т. 12, с. 2390, 1971.,
Авторы
Даты
1978-10-05—Публикация
1977-01-28—Подача