Способ определения кристаллографической ориентации кристаллов со структурой сфалерита Советский патент 1979 года по МПК H01L21/66 

36427984

излучаемой поверхности системы полосструктурой сфалерита, основанньйй на

сдвига образуют равнобедренный тре-механической деформации поверхности

угольник с yглaмиarctgV2/2 ий-2arctgif2/2кристалла с последующим наблюдением

и/системы/направлены вдоль направле-фигур удара на просвет, о т л и ч ания но - основание равнобедренногою щ и и с я тем, что, с целью оптреугольника и ш - боковые сторо-ределения кристаллографической ориенны треугольника..тации непрозрачных кристаллов, ориПример. 3, Поверхность ЮО - ентацию определяют по системе полос монокристалла HgrSe , механически исдвига, соответствующих линиям перехимически полированную индентируют ана-сечения плоскостей типаГш с исслелогично примеру 1, после чего на по-дуемой плоскостью, путем наблюдения верхности полосы сдвига образуютпод микроскопом микротвердомера помежду собой угол 90° и каждая указы- 10верхности кристалла в отраженном свевает направление ИО.те.

Данный способ является экспресс- Источники информации, принятые методом и может быть применим для лю-во внимание при экспертизе: бых кристаллов, если на их поверхнос- 1. Бочкин О.И. Механическая обрати проявляются полосы сдвига при им- 1Г,ботка полупроводниковых материалов, пульсном индентировании.М., Высшая школа, 1977.

Формула изобретения2 .P-Breidt .E.S.Greiner, W-C-Eeeiz DizeoСпособ определения кристаллогра-COt-jon in PtaitkcJEtv indented Gerinciniфической ориентации кристаллов соum Ada,met 5,бо, 1957