Устройство для измерения магнитных параметров объемных экранов Советский патент 1979 года по МПК G01R33/00 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПАРАМЕТРОВ ОБЪЕМНЫХ ЭКРАНОВ H(t) Нз Характер распространения поля Н (t) вне экрана можно понять, если считать, что для этого слу чая экран является магнитной антенной, ось диаграммы направленности которой совпадает с осью экрана {см. черт.) ..Прове денные нами измерения полей наведенных т ков Hgf-t) вне экранов с различными геомет рическими размерами показали, что для определения коэффициента экранирования экр на в импульсном магнитном поле достаточ-г но измерять поле наведенных токов И 2 (-t) . В этом случае коэффициент зк. /wax / ранирования равен , N - / . -.i /m-in HjCt)/ /mdx H {t)/H /тшНзС)/-амплитуды зарегистрированного сигнала при временах, соответствующих максимуму (iniotx и минимуК1у ( i miH ) функции Rgt-t) . Точность определения коэффициента экранирования объемных экранов предлагаемым устройством повышается и становитсяравной точности измерения указанного коэффициента известным уст ройством, когда длительность внешнего воздействия не превышает величиш г TH -проводим сек-, где d - радиус и R и Металла экрана, OL - коэффициент фо толщина экрана, мы экрана, С - скорость света. Величина Т,, ГТ.является показ . телем экспоненты импульсной характеристики экрана в зависимости от его параметров. Достаточно просто можно показать, ® индуктивност экрана, а R - его сопротивление. Как уже было сказано, эффект экран рования у немагнитных экранов состоит в том, что под действием внеинего маг нитного поля Н {Ч;} в экране наводятся токи, создающие поле наведенных токов НгЮ -В первый момент времени, существует Н(4) , поле наведенных токов HjCt) в полости эк рана направлено настречу внешнему. Затем, после того как поле И. (-t) закончило свое действие, поле наведенных токов меняет направлени так как энергия, накопленная в индуктивности экрана, релаксирует с характерным временем Т . Величина п ля наведенных токов Но (i) соответствующая временам существования Н Ct) , была бы равна Н (t) с братным -знаком, осли бы отсутствоали омические потери в млте|1иале экана, а также если пол1гчина Т бглла ы много больи1е времени супюствовоия ) Различие в величинах казанных полей во временном интервале Н (i) за счет омических потерь весьма ало, так как омическое сопротивление крана также весьма Ьало. А различие тих же полей в этом же временном инервале за счет T Lможно свести о минимума выбором длительности H,(t). Таким образом, для более точного определения коэ4)фициента экранирования о виду поля наведенных токов HjCb) треуется разделить во времени информаию о внешнем поле H(i) и информацию об импульсной характеристике экрана. Это достигается тем, что коэфициенты экранирования экранов опрееляют в импульсном однополярном магнитном поле длительностью, не превышаюЮ секВне экрана поле наведешштх токов Hg(t) меняет свое направление, поскольку в данном случае экран можно рассматривать как магнитный диполь. Это дает возможность, измерив Н (t) вне экрана, определять коэффициенты экранирования как разъемных, так и неразъемных заполненных экранов. При этом для их определения достаточно сделать одно измерение вместо двух, что естественно, упрЬшает процесс измерений и резко снижает требования ккалибровке измер 1телей, так как вместо проведения абсолютных измерений, как делалось ранее, проводятся относительные. Поскольку длительность внешнего воздействия т задается равной ot-c ТО информация о внешнем воздействии и об импульсной характеристике экрана и, следовательно. разделена в Этом случае коэффициент экранирова /lnOIXH2( ния обьемног-0 экрана естьК /min HgC-t)/ Таким образом, процесс определения коэ4|с1)ициента экранирования является следующим: в импульсное однородное П ,,vт- -Y поле Н. (t)длительностью I-- л г rt- сопда1пюе в концентраторе поля, вносят вначале датчик 4 магнитного поля, который ориентируют так, что ось пго

диаграммы гшпоаг лониости перповдикулярна вектору Й (,-t) . Этоусловие легко контролируется, так как в этом случае на экране осциллографа 5 сигнал отсутствует. Затем в концентратор поля 1 вносят экран 2 так, как это показано на че5ггеже, и после регистрации сигнала, взяв отношение амплитуд при t ШОЧ и t mill , получают значение коэффициента экранирования.

Формула изобретения

1. Устройство для измерения магнитных параметров объемных экранов, содержащее концентратор внешнего магнитного поля с расположенными внутри его объема экраном и датчиком магнитного поля, о т л и ч а ю ш е с я тем, что, с целью повышения чувствительности, датчик мпгнитногп ПОЛЯ рас1узлг1Ж 11 гчю экрана.

2. Устройство по п. 1, о т я и ч 0ю ш е е с я тем, что датчик магшггнога поля выполнен в вид мочпой антенны из двух KOfrrypoB, пключениьк встречно на общую нагрузку, при этом геометрические размеры рамочной антенны выбраны не менее размеров экрана, а контуры рамочной aiiTeHHfjf расположены симметрично относительно сх;и, перпендикулярной вектору напряженности внешнего магнитного поля и делящей экран на две равные части.

Источники информации, принятые во

внимание при экспертизе

1. Коленский Л. Л. и др. Экранирующие свойства металлической оболочки но отнощению к импульснок-гу магнитному полю. Измерительная техника, 1971, № 6.

,(()

/1

)

-ff