Способ обработки полупроводниковых детекторов Советский патент 1980 года по МПК H01L21/26 

Позитронный поток дозой 10 позитрон/см2 уменьшает емкость р- г-перехода без ухудшения энергетического разрешения.

Способ реализуется следуюш,им образом. В исходную пластину полупроводника р-ти-. па путем термодиффузии с последуюш,им дрейфом в электрическом поле внедряется литий, затем пластина химически обрабатывается, наносятся омические контакты, проводится сборка детектора в капсулу, и затем изготовленный детектор облучается

ПОЗИТрОННЫМ потоком 1012- 1Q13 пОЗИтрон/см. Позитронное облучение приведет, во-первых, к освобождению или переводу электронов и дырок из глубоких примесных уровней на ловушки с меньшей энергией связи; во-вторых, к дрейфу ионов лития на большую глубину, в результате при приложении обратного смешения будет увеличиваться толшина чувствительного слоя р-п-перехода. Радиационные нарушения при позитронном, облучении ничтожны. Таким образом, при позитронном облучении детекторов потоком позитрон/см2 происходит улучшение электрических характеристик детекторов и увеличение чувствительного слоя р-п-перехода без заметного ухудшения других характеристик, что позволяет получить значительный экономический эффект.

Формула изобретения

Способ обработки полупроводниковых детекторов л-1-р-структуры, заключаюш;ийся в облучении полуироводниковых детекторов потоками заряженных частиц, отличаюшийся тем, что, с целью увеличения чувствительного слоя и улучшения стабильности электрических характеристик, детекторы облучают позитроппым потоком 10 позитрон/см.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов. М., «Высшая школа, 1974, с. 5.

2.Дж. Дирнли, Д. Нортрон. Полупроводниковые счетчики излучения. М., «Мир, 1966, с. 6.

3. S. Nakomoto ,et al. Journal of Applied Physics. V. 13, № 3, 1974, p. 524.