Накопитель для запоминающего устройства с зарядовой связью Советский патент 1979 года по МПК G11C11/35 

коДИ ество, приходящееся на каждый элемент регистра сдвига.

На чертеже изображена конструк1ЦИЯ предлагаемого накопителя.

Накопитель выполнен на полупроводниковой подложке 1, например, р-типа проводимости, покрытой первым изолирующим слоем 2, в отверстиях которого расположены области 3 диэлектрика с захватом заряда, в качестве которого может использоваться /слой нитрида кремния над тонким . слоем окисла t(например, SiOg - 25 А, SijN. - 600 А) Над областями 3 расположены шины 4 хранения информации так, что получается набор запоминающих конденсаторов, образованных шинами 4 хранения информации, областями 3 диэлектрика с захватом заряда и полупроводниковой ПОДЛОЖКОЙ 1. Выше и перпендикулярно шинам 4 сформированы тактовые электроды 5, отделенные от шин 4 вторым изолирующим слоем 6. Электроды 5 перноса вместе со слоями 2, 6 и подложкой 1 образуют систему связанных МДП-конденсаторов - регистров ПЗС, отделенных друг от друга шинами 4. В целом накопитель представляет собо совокупностьПЗС-регистров,к каждому электроду 5 переноса которого примыкает запоминацощий-конденсатор, образующий вместе с шиной 4 изолирующую область между ПЗС-регистрами.

Накопитель работает следующим образом.

Предварительно стирается ранее записанная информация. Для этого на шины 4 подается отрицательный импуль напряжения (25/30 В), под действием которого в диэлектрике всех запоминающих конденсаторов захватывается положительный заряд.

При записи в ПЗС-регистры вводятся информационные зарядовые пакеты (электронов) , которые с помощью тактового питания передвигаются вдол регистров. В это время на шинах 4 поддерживается небольшое отрицательное напряже не (-1 - -5В), достаточное для обогащения нижерасположенной приповерхностной области Ъодпожки, Что обеспечивает изоляцию регистров. друг от друга. Когда накопитель запонится информационными зарядовыми пактами, на шину 4 подается положительный импульс записи (25-30 В). В тех разрядах регистра, где присутствовали пакеты отрицательных зарядов, произойдет их захват в диэлектрике запоминающих конденсаторов и таким

образом будет записана информация. Там, где зарядовые пакеты отсутствовали, сохраняется снятое состояние.

При считывании -в ПЗС-регистры в-водятся опрашивающие зарядовые пакеты. Ими заполняется весь накопитель. Затем на шину 4 подается напряжение считывания (3-19 В), а тактовое питание снимается. Опрашивающие заряды перетекают под те запоминающие конденсаторы, где сохранилось стертое состояние (захвачен положительный заряд), и удерживаются там. В результате в накопителе под запоминающими конденсаторами будет образован зарядовый рельеф, проинвертированный по отношению к записанному. Затей напряжение считывания снимается, а рельеф с помощь ПЗС-регистров выводится из накопителя . .

ИспользсЗвание предлагаемого изобретения позволит повысить плотность хранения информации и создать микросхемы полупостоянных запоминающих устройств с максимальной информационной емкостью. При существующей технологии может быть достигнута плотность выше 10 бит/см , а при использовании электронной литографии плотность хранения информации может быть увеличена до 10 бит/см.

. Формула изобретения

Накопитель для запоминающего устройства с зарядовой связью, содержащий.,полупроводниковую подложку, на поверхности которой расположен первы изолирующий слой с областями диэлектрика с захватом заряда и тактовые шины, отличающийся .тем, что, с целью увеличения информационной емкости накопителя, он содержит второй изолирующий слой и шины хранения, расположенные на поверхности первого изолирующего слоя над областями диэлектрика с захватом заряда перпендикулярно тактовым шинам, расположенным на втором изолирующем слое, нанесенном на поверхности шин хранения и первого изолирующего слоя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Заявка Франции 2245053, кл, G 11 С 19/18, 1975.

2.Заявка США В 545945, кл. 340-173, 1975.