Микроплосковый аттенюатор Советский патент 1979 года по МПК H01P1/22 

все большая часть токов идет через резистивный слой 4, и затухание в микрополосковом аттенюаторе возрастает.

Таким образом, использование предложенного аттенюатора обеспечивает регулировку вносимого затухания в пределах от 0,2-0,3 дБ до 5-6 дБ при длине мпкрополоскового аттенюатора порядка длины волны, что выгодно отличает его от ирототипа.

Формула изобретения

Микрополосковый аттенюатор, содержащий размещенную на металлическом основании диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен нолосковый

проводник, а на другую сторону нанесен резистивный слой, соприкасающийся с поверхностью металлического основания, о тличающийся тем, что, с целью обеспечения регулировки вносимого затухания, резистивный слой выполнен толщиной меньше толщины скин-слоя, и в металлическом основании напротив полоскового проводника выполнено сквозное отверстие, в котором установлен с возможностью продольного перемещения короткозамыкающий норшень.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 3810048, кл. 333-22R, опублик. 1974.