Способ электролитического анодирования Советский патент 1979 года по МПК H01L21/316 

Описание патента на изобретение SU658626A1

защиты обслуживающего персонала от паров нашатырного спирта и тиоцианистого аммония, так как рабочая температура ванны составляет 95 С. Кроме того, используемый электролит с течением времени самоистощается за счет испарения наиболее летучего компонента, что приво дит к плохой воспроизводимости результатов декорирования, получаемых этим методом. Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является способ электролитического анодирования, преимущественно для декорирования р-п переходов в кремнии, в водном растворе азотнокислого натрия |з Сущность способа заключаетсяв том, что изготовленный шлиф кремниевой пластины погружается в электролит - разбав пенный водный раствор азотнокислого капия ( KNOj )-таким образом, чтобы шлиф полностью смачивался электролитом и служил анодом. В качестве катода может быть использован, например, золотой электрод. При плотности тока порядка 50 мА/см кремний за одну минуту окисляется настолько, что образуются видимые пленки окис па кремния, при этом переход отмечается изменением цвета окисной пленки в соответствии с разницей толщин окисла на участках п - и р типа проводимости. Обычно при этом также определяются обе границы объемного заряда. Известный способ декорирования не позволяет достаточно четко и уверенно выявить области р-п переходов, особенно слабо отличающихся друг от друга положением уровня Ферми. Это обусловлено тем, что скорость окисления кремния зависит от положения уровня Ферми: чем ниже расположен уровень Ферми, тем выше скорость окисления, и йаоборот. Если разность в положе нии уровня Ферми в п и р- областях невелика, то и разность в скоростях окисления этих областей также будет невелика. Вследствие этого контрастность, получаемого изображения может оказаться недостаточной для надежного фиксирования границы р-п перехода. Кроме того, изготовленный шлиф имеет мехенически нарушенный слой, который даже при комнатной температуре является эффективны источником электронов и дырок. Указанная причина может привести к тому, что скорости окисления р и п областей могут стать очень близкими ипи доже сравиять ся, вследствие чего р-п переход не выявится. Целью настоящего изобретения является обеспечение высокой контрастности и четкости получаемого изображения. Поставленная цель достигается тем, что анодирование осуществляюзт в потенциометричёском режиме в, растворе электролита с дополнительном введением аминокислоты, например, глицина, после чего удаляют образовавшийся окисел и указанный процесс повторяют несколько раз, например, не менее .трех,что концентрация компонентов в водном растворе электролита составляет: азотнокислый натрий (капий) - 8,О-12,О г/л, аминокислота 4,0-6,0 г/л, что анодирование проводят при линейном росте потенциала 70-1 50 В в минуту. После проведения процесса анодирования полученный окисел полностью удаляется погружением шпифа в плавиковую кислоту, и процесс анодирования повторяется, причем операцию травления - анодирования повторяют не менее трех раз. Использование потенциодинамического режима анодирования при линейном, росте потенциапа со скоростью 70-150 В/мин обеспечивает более высокую скорость роста окисной пленки в р- области, чем в п- области, так как при этом режиме анодирования скорость окисления более чувствительна к различию концентрац- и дырок в обеих областях. Введение в состав электролита для аноаирования глицина повышает контрастность и четкость попучаемого изображения. При этом используется явление зависимости скорости анодирования кремния от кислотности электролита. Побочным процессом аноаирования явпяется разложение глицина на поверхности кремниевой пластины и как следствие изменение кислотности электролита. Причем разложение глицина происходит с различными ско)ростями на областях кремния с различным положением УФ. Поспедоватепьное провепение операций анодирования и снятия окисла приводит к стравливанию механически нарушенной поверхности шлифа, возникшей при его изготовлении. Это приводит к тому, что положение уровня Ферми - на поверхности шлифа будет в меньшей степени отличаться от положения уровня Ферми в объеме кремния. Причем увеличение копнчогтг а циклив гжнсление - травпенне - окне пенис, ирнвоцит к (товышени размещающей способности метоаа оекс- рирования р-п переходов в кремнии методом эпектропитического анодирования изготовпенного шпифа. Изобретение может быть прояппю-стрировано спедукхцимн призерами. Пример 1. Проводят декорирование, испопьзуя гапьваностатический режим ( J- 50 мА/см ), при испопьзо вании потеициодинзмического режима со скоростью роста потенциала 10О В/мнн Сравнение результатов позволяет сделать вьгеод, что при использовании потенциоцинамического режима качество декорирования существнно улучшается, гак, чт становятся ярко выраженными границы рбъемного заряда между р и п - областями. П р и м е р 2, Проверяют влияние состава эпектроггата на качество декорирования, для чего в рабочий раствор вводят гпицин марки ХЧ в количестве 5 г/п. Анодированию подвергают кремн 15 КДБ1О в потенциоцинамичес ЗООКЭФО,2. ком режиме, П р и м е р 3. Проверяет вггаг1ние копичества циклов окисление - травление - окисление на качество декорирования {при )том использовапся потенциодинамичислИ11 режим анодирования). Дпя проведоии.и исследований берут крем 1О КДБ1О кий марки ,-«--.-.- - ЗООКДБ1. Эпитаксиа)1ьный слой 1ОКДБ1О при исп зовании рабочего раствора как с гдицпи так и без него, не выякляпся, однако, п пе удаления окисла в .концентрированной плавиковой кислоте и повторного окисления эпитаксиапьньгй спой слабо выяви ся. После повторения указанных опера:::G ций Сен ятия окиспа и окисления) эпитаксиапьнь;й слойвыявился достаточно четко. Формула изобретения J. Способ электролитического анодирования, преимущественно дпя декорирования переходов в кремнии; в водном растворе азотнокислого натрия, отличающийся тем, что, .с целью обеспечения высокой контрастности и четкости поггучаемого. изображения, анодирование осуществляют в потенциометрическом режил е в растворе электролита с допогшатегЕЬным введением аминокиспоты, например, глицина, после чего удаляют образовавшийся окисел и указанный процесс повторягют несколько раз, например, не менее трех. 2. Способ по п. 1, о т л и ч а юш и и с я тем, что, концентрация компонентоз в водном растворе электропита составляет: Азотнокпспый натрий (калий) -8,О-12,О г/я . 4.О-6,О г/л. Аминокислота 3. Способ по п. 1, о т п и ч а ю и и с я тем, что анодирование провоят при линейном росте потенциала-7О50 В в минуту. Источники информации, принятые во нимание при экспертизе 1,Archer R3- JP1i55.Chem.Soeids 96О, V 14, р. 1О4. 2. Патент Японии N 5О-3252, п. 12 А 211 (С 23 с 3/00), 1975. a. С- и.а.Convenient Меtsod ог Measurement о ttie Deptfi pi ery Siiaeeow Diffueend Junetione in ieicon/Ttie Review of Si ient-ific Dntruirientsl963, V. 34, p. 310-314.

Похожие патенты SU658626A1

название год авторы номер документа
Способ выявления слоев эпитаксиальных структур кремния 1990
  • Никулов Виктор Васильевич
SU1827694A1
СПОСОБ ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЯ 1999
  • Яковлев Ю.И.
  • Романов С.И.
  • Кириенко В.В.
RU2165481C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР 1995
  • Хаустов Владимир Анатольевич
RU2090952C1
СПОСОБ ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА АНОДНОГО ОКИСЛА В ПРОЦЕССЕ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ 1990
  • Бирюков В.Н.
  • Гатько Л.Е.
  • Сорокин И.Н.
SU1783934A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ВАКУУМНОГО МИКРОПРИБОРА 1988
  • Татаренко Н.И.
SU1729243A1
Способ формирования гибридного диэлектрического покрытия на поверхности антимонида индия ориентации (100) 2022
  • Мирофянченко Андрей Евгеньевич
  • Мирофянченко Екатерина Васильевна
RU2782989C1
СТРУКТУРА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ AB И СПОСОБ ЕЕ ФОРМИРОВАНИЯ 2010
  • Кеслер Валерий Геннадьевич
  • Ковчавцев Анатолий Петрович
  • Гузев Александр Александрович
  • Панова Зоя Васильевна
RU2420828C1
СПОСОБ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА АВ 1979
  • Алехин Анатолий Павлович
  • Емельянов Аркадий Владимирович
SU1840206A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР 1992
  • Хаустов Владимир Анатольевич
RU2070350C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ 2008
  • Варавин Василий Семенович
  • Предеин Александр Владиленович
  • Ремесник Владимир Григорьевич
  • Сабинина Ирина Викторовна
  • Сидоров Георгий Юрьевич
  • Сидоров Юрий Георгиевич
RU2373609C1

Реферат патента 1979 года Способ электролитического анодирования

Формула изобретения SU 658 626 A1

SU 658 626 A1

Авторы

Лабунов Владимир Архипович

Курмашев Виктор Иванович

Петрович Владимир Алексеевич

Голомако Василий Васильевич

Даты

1979-04-25Публикация

1976-07-02Подача