Аналоговая линия задержки Советский патент 1979 года по МПК H01L27/00 H03H11/00 

, 1 , , . ; -/Изобретение относится к области радиотехника, к. системам обработки сигналов, в частности к согласующим , фильтрам устройств передачи з;&рядов и устройствам детектирования сигнала Для этих фильтров. . Известны аналоговые линии ки, содержащие МДП-транэистбры, конденсатор, шины синх1юнизиру)(яцих импульсов flj .

Недостатком известных устройств. является невозможность (Щвг считывания инфо{ 1ации из отдёльньос звеньев.

Цель изобретения обеспечение не разрушающего считйвания сигнала в каждом звене и формирования непрерывного выходного аналогового сигнала.

Для достижения этой цели в аналоговую линию задержки,содержащую в каждом из звеньев два мдп-транзистора, соединенных последовательно причем между затвором и стоком каяодого из них включен конденсатор, затвор первого транзистора подключен ,к первой шине синхронизирухяоих им пульсов, затвор второго - ко второй шине синхронизирующих импульсов, s каждое звено введены два МДП-транзистора, резистор, шина постоянного напряжения и шина, причем затвор третьего транзистора подключен к стоку первого,затвор четвертого -

к стоку второго,стоки,третьего и четвертого объединены и подключены к выходу аналоговой линии задержки и через резистсф - к шине.

На чертеже представлена принципиальная схема звена аналоговой линии

задержки;;---------,--,-..

Звено аналоговой линии задержки содержит четьфе МДП-транзистора 1-4, конденсаторы 5 и б, резистор 7, шины синхронизирухнцих импульсов 8,9, шину постоянного напряжения 10, общую шину 11, шину выходного сигнала 12, каскад-инжейтор 13.

Устройство работает следующим образом.

Входная информация в виде заряда поступает на исток первого мдп-транзнстора первого звена линии за4: ержки и стекает в потенциальную яму, возникающую под затворе первого МДП-транзистора первого звена, на затвор которого подается импульсное напряжение с первой шины синхронизирующих импульсо

Противофазное импульсное напряжение, поступающее на затвор второго

ЩП-транзйсторакаждого звена, в свою очередь формирует потенциальную

яму в толще полупроводника, в которую перёКёЩаётёя заряд, содержащийся в потенциальной яме под затвором первого транзистора.

Наличие заряда в потенциальных ямах под затворами первого и второго транзисторов каждого звена обусловлйваетР отпирающий потенциал на затворах третьего и .четвёртого транзисторов, пропорцйон ал ь ный з ар яду. П от ё нци алы затворов третьего и четвертого транзисторов определяют токи, протекающие в каналах третьего и четвёртого меящу шинрй постоянного напряжения и общей цтной.Эти .токи складываются на Ьезистор 7, падение напряжения Ha lKC3l:dptipM соответству ет инфсфйавди, сойёржащейся в звене аналоговой лйниизадёгзяски.;-;. .. .Формула изобретения

Аналоговая линия задержки, содержащая в каждом из звеньев два МДПтранзистора, соединенных последовательно, причем между затвором и стоком каждого из них включен конденсатор, затвор первого транзистора подключен к первой шине синхронизирующих импульсов, затвор второго - ко второй шине синхронизирующих импульсов, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения неразрушающего считывания сигнала в каждом звене и формирования непрерывного вы хЬДнЬго аналогового сигнала, в каждое звено линии задержки введены два МДП-транзистсзра, резистор, щина постоянного напряжения и общая щина, причем затвор третьего транзистора подключен к стоку первого, затвор четвертого - к стоку второго, стоки третьего и четвертого объединены и подключены к шине постоянного напряжения , их истоки также объединены и подключены к выходу аналоговой линии задержки и через резистор - к общей шине. .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе ; 1. Бунстра Л., Сэнгс ер Ф.л. Устройство обработки аналоговой информации. Электроника, т.45 5, 1972, с.27.

1 .

В

3.//