Способ измерения пробивного напряжения между эмиттером и коллектором транзисторов при повышенной температуре Советский патент 1979 года по МПК G01R31/26 

(То - комнатная температура) с помощью соотношения

L(BRJ«li/-re,Dt oJteRKEI/T Te,3rEM 3,

На чертеже показана электрическая структурная схема устройства для реализации предлагаемого способа.

Устройство содержит контактную колодку с клеммами 1,2,3 для подключения выводов коллектора, базы и эмиттера соответственно, генератор 4 импульсов испытательного напряжения, измеритель 5 напряжения пробоя, эталонный резистор 6, пороговое устройство 7, усилитель 8, моделирующий блок 9, базовый резистор (Rg) 10.

Моделирующий блок 9 создает ток в базовой цепи. От генератора 4 испытательные импульсы подаются на коллектор транзистора. При достижении 1с заданной величины срабатывает пороговый элемент 7, выходной сигнал которого усиленный усилителем 8, поступает на управляющие входы генератора 4 и измерителя 5. При этом фиксируется напряжение пробоя и снимается испытательное напряжение.

Применение предлагаемого способа позволяет снизить трудоемкость и затраты электроэнергии, а также повысить производительность измерений Цйл)сЕН Р повыщенной температуре.

Формула изобретения

Способ измерения пробивного напряжения между эмиттером и коллектором транзисторов при повышенной температуре путем измерения коллекторного напряжения при заданных уровне коллекторного тока и сопротивлении, щунтирующем эмиттерный переход, отличающийся тем, что, с целью упрощения измерений и повышения производительности, воздействие температуры на прибор моделируется путем задания в базовой цепи постоянного тока от внешнего источника, величина которого определяется при испытании эталонного транзистора и поддерживается постоянной для данного типа транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР NO 307360, кл. G 01 R 31/26, 21.06.71.

2.ОСТ На АО,336.011-72.