Радиочастотный триггерный и логический элемент Советский патент 1979 года по МПК H03K19/20 

эмиттарам црэнзистора 1 включен (резистор 10, И между базой и общей шшной аюлшчен диод L1. В исходном состоянии, если амояитуяа на.гаряжания U„-. ниже noipOTia |ОТ|Пира1НИ1Я Tp aiHSiHCTiapa 1, ои заперт и на рст.ройспва (7(,ых мало, т. е. реализуется состо-яние «О. Если амплит да наюряжения U на базе транзистора 1 выше (Порога его отпнрания, он о;тпирае:тся и на выходе f/вых ма1ксим1ально (f/вых X и„ ), т. е. реализуется состоя1ние «il. В исХОДНС1М со1стоя1нии амплитуду переменного на1Пр:яжени,я на базе устанавливают делИт0л1ам, состоящим из резисторое 9, 10, 2, лрвчем а1М1П1Литуда на1П ряжен1и.я должнэ быть Ниже уро1вня порога отпирания транЗистара 1. Для отппрания транзистора 1 или запирания открытого транзистора 1 1пра1вляющие Н1а1П ряжения U, С/2,

t/3 и и,:

ПрОцесс отатирания транзистора объясняется следующим образом. При амплитуде напряжения на базе транзистора 1 выше его Hoipiora отпирания, в положительный патуЮвриод напряжения У,,-, заряЖ1ает1ся коНден1са1ТО р 8 через .ход коллектор:-база и диод Ы, причем одновременно .заряжается и диффузионная емкость диода. К моменту прихода отрицательной пату|В10;лны .напряжения U конденсатор 8, заряженный со знаком М1инус на ко ътакторе Т|ра1нзнстора 1, явл яется источHHKOiM для |П1Ита1Н1ИЯ Т1ран.зисто(ра 1. С приходам отрищательной патуеоганы напряжения тр-анзистор 1 отп1И|рается. В момент отпи|ра1ния тра1нзистор.а 1 межщ|у базой транзистора и общей шиной создается отрицательное нелинейное сапроТЕВяение.

О.т|рицательное сопротивление резко у|величи1вает напряжение на базе транзисTopia 1 -и п:01лностью его onnHipaeT. Увеличение напряжения на базе /продолж ается ипшоть зо лраницы насыщения тр-анзистора 1. При этом амплитуда напряжения (7вых становится ;ПрИ1ме|р НО ipiaiBHoS ампа итАлде питающего напряжения.

В отр ицатйтыной пошупериад напряжения сонротивление диода 11 батьшое, и ам илитуда напряжения на базе определяется р1ез1истарами 9, 10, 2. Таж как на резистаре 2 про и-оходит па|Д1ен1ие постоянной и парамен1ной составляющей напряжения, то при 31на1чениях сопротивления более 300 oiM, транздастар 3|ап(И|рается. С целью иоклюмения запирания транзистора ади1Н вьивод резистора 10 подключен .кзлгиттеру. Большое значение сопротивления (,) резистора 2 необходимо для управления по эмиттеру транзистора 1 достаточно |Маш:Ы1МИ значениями управляющи-х Н1а1П1ряжвН1Ий f/4, Ui, и2, Uz.

iHia фиг. 2 показан график гист резисной .характеристики уст1роЙ1СТ1ва. При yiseличении ампшит ды напряжения U „ или на базе транзистора 1 в точке А происходит рез1кий акачок амплитуды напряжения L/Bbix (до знамения-в точ.ке Б). При

уменьшении амплитуды напряжения /„ (ИЛИ на базе транвистора 1) срыв (скачок) проиюхойит в точке В. При этом С/вых из1меняется со 3(начения соответствующего ;точке В, до значения в тоЧ1ке Г. НалиЧ1не .гистерезиюной а1М1Плиту|дной хара1ктеристи1ки устройства объясняется нелинейныМ1П пара1мет|ра1МИ.

TaiKHM ойразом, из анализа р1аботы устp.aftiCTBa следует, что на его выходе реализуаотся адад/ующие операции: триггерный режим («1, «О), логииеакая операция ИЛИ-НЕ. С П0|мощью предлагаемого элемента реализуется у1ни|фищир01ванн1а.я дяодно-транзист рная .логнка (ДТЛ), работак щая на BbiicoiKHix и Н1ИЭКИ1Х частотах. Кроме того, пр1именение меопоамиттерно.го транзистора вместо 01днаэм1иттерно1го привадит к построению у1Н|ифи,ци|ро1ва1нной транзисторнотранзисто(рной рад1иочастот;ной лопики (ТТЛ).

Предлагаемый элемент прост по конструкции, не содержит катушку индуктивности и .кон(де1всатО|р больщой ем1ко1сти в цепи эмитте|ра, и изготовленный элемент можно использовать в шнраком диапазоне 14астат без перестройки.

Фор|Мула изобретения

Радиочастотный 11ри1лгарный и логический элемент, содаржащий транзистор, коллектор которого через коидансатор, а база через первый резистор соединена с

ИСТОЧ1Н1И1КОМ niepaMeHiHoro н.апря:жения, эмитте|р тра1нэи атора через второй резистор соединен с об:щей шиной, а через третий резистор и ,в пря1мам и обратном направлениях с шинами управления, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного ди:апа.зона, база транзистора чарез дополни1талынъ1Й диод соединена с общей ШИ1НОЙ, а через четвертый резистор- с эми.ттаром Т|ра1нзистора.

Источники информации,

принятые во вни1мание при экспертизе

1. Авторское овидетельство СССР Nb 503365, кл. Н 03 К 19/20 25.02.74.

/ tfu