Ячейка памяти Советский патент 1979 года по МПК G11C19/28 G11C11/39 

ется на катод диода 5i, тем самым запирая цепь для поступления госледующих управляющих импульсов iia вход тиристора Ь. На аноде отпирающсгос; тиристора 1; положительный потенциал сменяется иа отрицательный и через межразрядный резистор подается на катод диода 62, разрешая прохождение очередного управляюи.1,его импульса через него на тиристор Ь и т. д.

Особенностью схемы иредложсниой ячсйки памяти является достижение целп меньшим количеством компонентов. На ряду с этим схема менее критична к фронтам маломощных входных импульсов и к количеству подключаемых тиристоров.

Отличительные признаки ее - использование максимальных по напряжению возможностей тиристора, импульсное упранленне системой, наличие одной шины управления, отсутствие триггера, разделяющего нагрузки на четные и нечетные номера.

4

Формула изобретения

Ячейка памяти, содержаи1,ая тиристор, акод которого через первый резистор подключен к щине питания, управляющий электрод тиристора через последовательно включенные конденсатор и первый диод, соединен с шиной управления, а через второй резистор - с шиной нулевого потенциала, второй диод и третнй резистор, отличающаяся тем, что, с целью упрощения ячейки памяти, в ней катод второго диода подключен к катоду первого диода, анод второго диода соединен с катодом тиристора и через третий резистор с шиной пулевого потенциала.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Натснт США- 3808459, кл. Н ОЗК П/ОО, опублик. 1974.

2.Патент Франции № 2159721, кл. Н ОЗК 17/00, оиублик. 1973.

АьГ

/7