Изобретение относится к области иэ мерительной техники, а именно к. зондовому измерительному оборудованию для контроля полупроводниковых приборов и интегральн4 1х схем, и, в частности, предназначено для подключения контактных площадок микросхем к. измерительной аппаратуре для контроля динамических параметров микросхем в наносекукдном диа пазоне. Известно контактирующее устройство, содержащее основание, плоские пружины и зонды, выполненные с несколькими копенообразными изгибами и расположенные на плоских пружинах. Недостатком указанного контактирующего устройства является большая погреш кость контроля динамических параметров, так как зонды представляют собой участм ки неоднородной электрической цепи длиной порядка 5О мм, что приводит к силь ным искажениям импульсов с фронтами пор$шка единиц наносекунд при прохождейин их по этим цепям. Известно контактирующее устройство, содержащее основанне в виде металличео кой платы и консольно закрепленные одним из своих концов пластинчатые зонды, расположенные в углублениях основания н соединенные с основанием с помощью диэлектрических прокладок таким образом, что образуют относительно основания определенный импеданс. Недостатком такого контактирующего устройства являются искажение импульсных сигналов с фронтами порядка одной наносекунды вследствие изменения импеданса . контактирующих зондов за счет деформации их при контактировании, что приводит к снижению точности динамических измерений. С целью повышения точности динамических измерений в предлагаемом устройстве зонды выполнены в виде диэлектрических пластцн, одна из боковых поверхностей которых содержит экран, г другая, по меньшей мере, две печатные .лолорки, каждая из которых соединена с одной CTQРОНЫ с закрепленными в углублении на пластине высокочастотными разъемами, а с другой - через метяллизированные о-р верстия в пластинах с V -образным наконечником, закрепленным в углублении, вне печатных полосок на одном из концов пластин. На чертеже предлагаемое yci ройство и разрез по А-А. Контактирующее устройство состоит из основания 1, выполненного в виде диэлек рической панели, зондов 2, выполненных в виде диэлектрических пластин, экранных плоскостей 3 и активных печатных полосок 4 полосковых линий передачи, высокочастотных разъемов 5, V -образных кон тактирующих наконечников 6, углублений 7 в пластинах зондов (для размещения У-офазных наконечников), отверстия Q, в пластинах зондов 2 для соединения активных печатных полосок 4 полосковых линий с У-образнь м наконечником 6 зон да 2, скобы 8 для соединения пластин зондов 2 с основанием 1, Устройство работает следующим . Испытательный сигнал наносекундного диапазона от генератора через многока нальный высокочастотный коммутатор вхо цов (на чертеже не показаны), один из высокочастотных разъемов 5 и одну из печатных полосок 4 полосковых линий эЬнда 2 поступает на наконечник 6 к соотаетственко на площадки микросхемы при контактировании. Через другую печат ную полоску 4 полосковых линий и друго :высокочастотный разъем 5 наконечник 6 зонда 2 соединен коаксиальным кабелем с согласованным коммутатфом нагрузок (кабель и коммутатор на чертеже не показаны ). Однсжременно этот же испытательный сигнал подается на один из входов измер теля динамических параметров. Под действием поданного на вход испытательного сигнала микросхема вырабатывает выходной сигнал, который через аналогичный зонд, установленный на выходе микросхемы, поступает на второй вход измерителя динамических параметров. На заданных уровнях напряжения входного испытательного сигнала и выходного сип нала микросхемы производится измерение динамических параметров. Так как каждый из зондов 2 контактирующего устройства выполнен в виде диэлектрической пластины, на которой нанесены экраны 3 и две печатные полос ки 4, а У -образные наконечники 6 соеинены своими концами с печатными полосками 4 полосковых линий таким офазом, что они вносят минимальные искаже-t НИИ (длина наконечника составляет 4-5 мм) в образуемую высокочастотную линию передачи, то на наконечник зонда (и соорветственно на площадки микросхем при контактировании) подаются (или снимак ся с выходов микросхем) практически без искажений испытательные сигналы с широким спектром частот, что повышает точность динамических измерений. Кроме того, при измерении предлагаемым ко тактирующим устройством, отсутствует составляющая погрешности за счет дефо(Умации зондов при контактировании, так как измерительные каналы зондов обладают постоянным импедансом, не изменяк щимся при контактировании с площадками микросхемы, В предлагаемом контактирующем уст ройстве длина зондов не ограничивается (до определенных пределов) по соображениям вносимых искажений и точности измерений, что важно для выполнения контактирукмдего устройства, удобного в наладке (миниатюрные контактирующие уст ройства, как показала практика, неудобны в. наладке и требуют частой переН&лвдкв). Кроме того, предлагаемое контактиру ющее устройство позволяет за одно ко№- , тактирование измерять статические и динамические параметры микросхем, что соответственно уменьщает время измере ния, Предлвгаемое контактирующее устройство внедряется в зондовых установках для контроля динамических параметров быстродействующих микросхем а диапазоне одной наносекунды и предполагает получение значительного экономического эффекта. Формула изобретения Контактирующее устройство для контроля динамических параметров микросхем, содержащее основание с углублениями, в которых расположены зонды, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью повыщения точности измерения, зонды выполнены в виде диэлектрических пластин, одна из боковых поверхностей которых содержит экран, а другая, по меньней мере.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Контактное устройство для контроля интегральных схем на подложке | 1980 |
|
SU947974A1 |
Высокочастотный переключатель | 1977 |
|
SU725108A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БЕЗВЫХОДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | 1993 |
|
RU2083024C1 |
Контактное устройство для контроля микросхем с планарными выводами | 1990 |
|
SU1785085A1 |
РЕЗОНАНСНАЯ МИКРОПОЛОСКОВАЯ АНТЕННА (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ | 2021 |
|
RU2768088C1 |
СВЧ коммутационная плата из высокоомного кремния на металлическом основании | 2019 |
|
RU2713917C1 |
Устройство для подключения микросхем к измерительной системе | 1980 |
|
SU953749A2 |
Многоканальный переключатель | 1971 |
|
SU451141A1 |
УПРАВЛЯЕМЫЙ ПОЛОСКОВЫЙ ТРАНСФОРМАТОР ИМПЕДАНСОВ | 2018 |
|
RU2721482C2 |
СПОСОБ ОТБРАКОВОЧНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПОДЛОЖКИ ИЗ ДИЭЛЕКТРИКА ИЛИ ПОЛУПРОВОДНИКА С ТОПОЛОГИЕЙ, ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ НА СТОЙКОСТЬ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИМ ФАКТОРАМ | 1998 |
|
RU2138830C1 |
Авторы
Даты
1979-09-15—Публикация
1975-09-15—Подача