Сегнетокерамический материал Советский патент 1979 года по МПК C04B35/468 H01G4/12 

- ; . . 1 Изобретение относится к радиоэлек тронной технике и может быть использовано для изготовления керамических конденсаторов. Известен сегнетркерамический , материал на основе титаната бария для изготовления керамических Конденсаторов 1 . Однако этот материал обладает недостаточной величиной диэлектричес кой проницаемости (менее 1600) и изменением емкости более +10% в интервале температур от -60 до 125с, Наиболее близким к изобретению является сегнетокерамический материа преимущественно для изготовления Мон литных конденсаторов, включающий титанат бария, двуокись титана, пятиокись ниобия и окисел редкоземельного металла 2. Однако данный материал не обеспечивает получения диэлектрической проницаемости более 1600 при температурной стабильности емкости, соответствующей норме. Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости. Для этого известный сегнетокерамический материал, преимущественно для изготовления монолитных конденсаТоров, включающий титанат бария, двуокись титана, пятиокись ниобия и окисел редкоземельного элемента, дополнительно содержит углекислый марганец, а в качестве окисла редкоземельного элемента использована окись диспрозия при следующем соотношении исходных компонентов, вес.%: Титанат бария94-97 Двуокись титана0,5-2,6 Пятиокись ниобия1-2 Окись диспрозия /0,4-2 Углекислый марганец0,1-0,4 В таблице приведены примеры соотнсядения ингредиентов предлагаемого сегнетокерамического материала по минимальному, максимальному и среднему содержанию их. Сегнетокерамический материал получают следующим образом. Загружают в вибромельницу в виде порошка титанат бария, затем добавляю.т к нему двуокись титана, пятиокись ниобия, окись диспрозия и углекислый марганец. После чего компоненты перемешивают в вибромельнице в течение 2-3 чин результате получают тонкоиэмельченный порошок, к которому добавляют поливиниловый спирт либо раствор каучука а затем полу-, чают образцы либо прессованием дисков либо отливкой через фильеру пленки, на которую наносят палладиевые электро-е ды. Образцы обжигают йри температуре 1360-1400 С в течение 2-4 ч и получают дисковые или монолитные заготовки конденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического материала, Q

Предлагаемый материал имеет величину диэлектрической проницаемости 16001800. Конденсаторы, изготовленные из этого материала, высокую стабильность емкости - ± 10 в интервале температур от -ьО до +1255 С.

Величина диэлектрической проницаемости предлагаемого материала по сравнению с известным на 20% выше. Более высокая Диэлектрическая проницаемость предлагаемого материала приводит к получению значительно более качественных конденсаторов, так как конденсаторы в этом случае имеют более высокую удельную емкость.