Мишень накопительной электроннолучевой трубки Советский патент 1979 года по МПК H01J29/10 

Изобретение ртносигся к запоминающим электроннолучевым приборам, в которых для записи или локального стирания информации на мишени создают электронно-возбужденную проводимость. Такие приборы, например графекон, должны иметь длительное время считывания выходного сигнала без дополнительного цик ла стирания остаточных сигналов. Известна мишень накопительной элект роннолучевой трубки, выполненная на основе пористого слоя диэлектрика с возбужденной проводимостью (ZhS с добавками активирующего металла (Си,Ми) , Недостатком такой мишени является относительно малое время считывания выходного сигнала. Известна также мишень накопительной электроннолучевой трубки с возбужденной проводимостью, содержащая на металлической сетке слой алюминия, сло окиси алюминия и слой сульфида цинка 2. Эта .мишень имеет также малое время считывания выходного сигнала и большой уровень остаточного сигнала. Цель изобретения - увеличение времени считывания выходного сигнала и снижение уровня остаточного сигнала. Указанная цель достигается тем, что между слоем окиси алюминия и слоем сульфида цинка размещен слой диэлектрика с возбужденной проводимостью из твердого раствора сульфида цинка - сульфида кадмия при следующем содержании компонентов, %: Сульфид кадмия 1О-20 Сульфид цинка . 9О-80 толщиной, составляющей 25-50% толщины диэлектрического покрытия. На чертеже показана предложенная мишень, разрез. Мишень содержит подложку 1, представляющую собой тонкую алюминиевую пленку толщиной 300-500 X, обычно наносимую термическим испарением в вакууме на никелевую сетку 2. На под- ложке расположен слой 3 окиси алюми ния толщиной 50-8О А , создаваемый окислением алюминиевой пленки при тер мообработке в кислородсодержащей сре де в процессе удаления коплодиевой плен ки или окислением в плазме тлеющего разрядав кислороде. Слой 4, непосредственно примыкающий к подложке с плешсой окиси алюминия, представляет собой вакуумно-осажденный слой твердого раствора сульфида цинка сульфида кадмия (содержание сульфида кадмия 1О-20%). Слоем 5 является слой сульфида цинка, также вакуумноосажденного. Общая толщина диэлектрического покрытиясоставляет 0,4 - 0,6 мкм. Толщина промежуточного слоя 4 составляет 25-5 О% толщины диэлектрического покр тия. Использование предложенной мишени позволяет увеличить время считывания выходного сигнала прибора при отсутствии остаточного сигнала, расширить сферу применения графекона, упростить и повысить надежность радиоаппаратуры, в которой используется прибор, а также облегчить работу операторов. О Формула 3 о б р е т е и и я Мишень накопительной электроннолучевой трубки с возбужденной проводимостью, содержащая на металлической сетке слой алюминия, слой окиси алюминия и слой сульфида цинка, отличающаяся тем, что, с целью увеличения времени считывания выходного сигнала и снижения уровня остаточного сигнала, между слоем окиси алюминия и слоем сульфида цинка размещен слой диэлектрика с возбужденной проводимостью из твердого раствора сульфида цинка- сульфида кадмия, при следующем содержании компонентов, %: Сульфид кадмия10-20 Сульфид цинка90-80 толщиной, составляющей 25-5О% толщины диэлектрического покрытия. Источники ийформации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент Англии № 962084, кл. Н 1 Л опублик. 197О. 2, Патент США № 3480482, , 315-68, опублик. 1974 (прототип).