Мишень запоминающей электроннолучевой трубки Советский патент 1974 года по МПК H01J29/10 

(54) МИШЕНЬ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ

1

i Изобретение относится к конструкции накопительной мишени запоминающих электроннолучевых, трубок, в которых при считывании записанного на мишени сигнала, электроны считываюшего пучка не обладают мишенью.

Однако гидроскопичность известных накопительных мишеней у трубок указанного типа приводит к разрыхлению поверхности в процессе изцотовления прибора, а следовательно, к понижению сопротивления ди электрического покрытия и увеличения то ков утечек, что уменьшает время считывания, особенно при повышенных ч температурах.

Цель изобретения - увеличить время считывяния информации при повышенных температурах.

Для этого между подложкой мишени и диэлектрическим покрытием размещают дополт ителы1ый слой диэлектрика с удельным

1 Ссопротивлением более 10 ом/см и толтиной не более 0,5 мкм.

На чертеже приведено схематическое n-xnririevfpjtue элемента мишени.

Мишень представляет собой сетчатую металлическую подложку 1, на которой по. следовательно размещены два слоя . .диэлектрика 2 и 3. Слой 2 является дополнительным и может быть выполнен, например, из моноокиси кремния Si О или

окиси алюминия AL О (Или другого негндроскопического диэ/гек-пэика, удовлетворяюш;его приведенным требованиям; слой 3 является обьр1 1ым рабочим диэлектр11ком и представляет собой 4)т6рид кальция или магния,

В процессе записи диэлектрик мишени облучается пучком быстрых электронов, при этом, так как коэффициент вторичной эмиссии 1, диэлектрик заряжается положительно по отношению к металлической подложке 1. Наличие токов утечек через диэлектрический л слой к подложке, ;связанных с конечной величиной сопротивления рабочего слоя диэлектрика, приводит к тому, что потенциал рабочей поверхности 3 мишени становится равным потенциалу подложки 1, т, е. -к стиранию записан3

ной информации, что, соответственно привод дит к уменьшению времени считывания.

Чтобы затруднить инжекцию электронов из металлической подложки в диэлектрик и из диэлектрика в подложку, необходимо создать зону повышенного сопротивления. Такой зоной предлагаемой конструк аии мишени служит слой диэлектрика 2с сопротивлением, на порядок превышающим сопротивление рабочего слоя диалект рика 3.

Введение дополнительного слоя диэлект рика из моноокисн кремния позволяет увеличить время считывания в области температур в 4 раза. При использова 5 НИИ окиси алюминия время считывания увеличивается только в ,2 .раза.

TojnmiHa дополнительного слоя диэлектрика не должна превышать 0,5 мкм. При увеличении толщины слоя 2 происходит уменьшение времени считьшания, что, оче-

-рвдно, связано с существевгюй ролью в процессе образования токов утечек гранич. ного с металлической подложкой 1 слоя диэлектрика (его структура).

; J ,

Предмет изобретение

Мишень запоминающей электроннолуче; вой трубки, содержащая на сетчатой под-ложке, являющейся сигнальной пластиной, по крайней мере два слоя диэлектрика, отличающаяс я тем, что, с целью увеличения времени считывания ин формации при температуре выше 2О°С, промежуточный слой на границе с сигналь 11ОЙ пластиной представляет собой стеклообразующий слой диэлектрика, например. I моноокись кремния, с удельным сопротив;1R

лением .,более Ю ом/см и толщиной, не превышающей 0,5 мкм.

J