Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, а более конкретно к способам получения омических контактов на полупроводниковых подложках.
Известны способы получения омических контактов на монокристаллах путем электролитического нанесения индия.
Известны также способы получения омического контакта на подложке из полупроводниковых соединений А -В п-типа путем нанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной (Системы в кислородсодержащей среде, приводящей к улучшению качества получаемого контакта.
Однако механическая прочность контакта, полученного таким способом, невысока.
Целью изобретения является обеспечение механической прочности омического контакта.
Поставленная цель достигается тем, что на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190-220°С в течение 3-4 мин.
Наличие второго слоя металла обеспечивает в процессе термообработки необходимые условия, при которых индий, находясь в жидкой фазе, активно диффундирует в полупроводник. Температура плавления металла второго слоя существенно выше температуры термообработки, поэтому наличие второго слоя препятствует коагуляции индия и обеспечивает сохранение равномерного металлического покрытия после завершения термообработки.
Участие кислорода в процессе термообработки приводит к образованию ряда окисныхсоединений (CdO или ZnO, 1п20з, АдаО), сплав которых образует смешанные тройнУе соединения типа Zn (1п02)2, что обеспечивает высокую механическую прочность контакта.
36984504
Выбор указанных материалов в сочета-Контакты, полученные предложенным
НИИ с подобранным режимом термообра-способом, являются омическими и их мехаботки обеспечивает возможность подпайкиническая прочность дает возможность вывыводов.держивать усилие на разрыв, прилагаемое к
5подпаянным выводам, до 2 кг.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AB | 1989 |
|
RU1725700C |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА | 2015 |
|
RU2601243C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 2010 |
|
RU2426194C1 |
| СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА АЛМАЗА С МЕТАЛЛОМ | 2006 |
|
RU2347651C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШУНТИРУЮЩЕГО ДИОДА ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ | 2011 |
|
RU2479888C1 |
| Способ изготовления полупроводникового преобразователя энергии ионизирующего излучения в электроэнергию | 2017 |
|
RU2668229C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ | 2018 |
|
RU2676230C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПРИБОРУ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 2014 |
|
RU2575977C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ ДЛЯ СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИК ДИАПАЗОНА СПЕКТРА | 2015 |
|
RU2647978C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ СЛОИСТОГО ПОЛУПРОВОДНИКА | 1995 |
|
RU2119210C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А"-В^' п-типа путем нанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кислородсодержащей среде, отличающий- с я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190-220°С в течение 3-4 мин.
| Файнер М.Ш | |||
| и др | |||
| Получение омических контактов на монокристаллах сульфида кадмия электролитическим осаждением индия | |||
| - Физика и техника полупроводников, 1969,т | |||
| Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
| Котел для получения парогазовой смеси | 1922 |
|
SU1735A1 |
| кл | |||
| Прибор, замыкающий сигнальную цепь при повышении температуры | 1918 |
|
SU99A1 |
