54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА КОНТАКТНЫХ СОЕДИНЕНИЙ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов | 1981 |
|
SU1012161A1 |
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ СТРУКТУРЫ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ | 1980 |
|
SU923281A1 |
Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов | 2019 |
|
RU2724148C1 |
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1991 |
|
RU2010004C1 |
Способ контроля теплового сопротивления транзисторов | 1980 |
|
SU873167A1 |
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ НЕНАДЕЖНЫХ МАЛОМОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ | 2004 |
|
RU2247403C1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЕРЕХОДНОГО ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛ-КОРПУС И ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛ-КОРПУС В СОСТОЯНИИ ТЕПЛОВОГО РАВНОВЕСИЯ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ | 2018 |
|
RU2685769C1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС ТРАНЗИСТОРОВ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ | 2012 |
|
RU2516609C2 |
Способ автоматизированного контроля тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов | 2018 |
|
RU2698512C1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД - КОРПУС СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В КОРПУСНОМ ИСПОЛНЕНИИ | 2006 |
|
RU2300115C1 |
Изобретение относится, к э.пектрнной и-электротехнической промышленности и может быть использовано при контроле качества силовых полупроводниковых приборов , в частности мощных тиристоров.
Качествб и надежность силовыхполупроводниковых приборов с сильно выраженной слоисто-плоскостной структурой в значительной степени определяется дефектами контактных соединений {несплошность, неоднородность, неплоскопараллельность и т. д) .
Известны способы контроля качества контактных соединений силовых полупроводниковых приборов, основанные на измерении динамики изменения термочувствительного параметра - прямого падения напряжения под действием импульсов мощности, подаваемых на испытуемый прибор.
Один из известных способов заключается в пропускании через прибор импульса прямого тока с фиксированной амплитудой мощности и длительностью, несколько большей- тепловой постоянной кристалла, и определении после его окончания температуры 1коисталла с помощью предварительно
снятой для данного прибора температурной зависимости прямого падения напряжения от измерительного тока, основанный на предположении, что
вследствие малого разброса тепловых характеристик К рйстсшпа разброс его температуры для различных приборов будет определяться условиями :теплоотвода, которые.в свою очередь
зависят от наличия возможных дефектов 1 .
Наиболее близким техническим реЬлением к изобретению является способ, включающий, как и данный способ, пропускание через испытуемый прибор импульсов прямого тока длительностью большей, чем тепловая постоянная .прлуй ров,одниковрго.. кристалла, по меньшей, -чем тепловая постоянная прибора. Амплитуда импульсов мощности подаваемых на испытуемые приборы, поддерживается постоянной. При этом производится измерение и
регистрация изменения во времени прямого падения напряжения на испытуемом приборе, измерение скорости изменения этого напряжения и сравнения ее с эталонным значеиием. По
разнице между действительным и эта
Авторы
Даты
1979-12-30—Публикация
1978-07-31—Подача