СВЧ-ПРИБОР Советский патент 1996 года по МПК H01L29/41 

Описание патента на изобретение SU714968A1

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к приборам СВЧ на твердом теле, и может быть использовано в измерительной и вычислительной технике.

Известен твердотельный СВЧ усилитель, содержащий слой полупроводника с двумя контактами и изолированный от полупроводника слой с хорошей проводимостью. При приложении к контактам достаточно сильного напряжения постоянного тока полупроводник приобретает отрицательное дифференциальное сопротивление.

Недостатки этого прибора сравнительно невысокое быстродействие и зависимость характеристик на СВЧ от разброса технологических и геометрических параметров, возникающих при изготовлении отдельных приборов.

Из известных СВЧ приборов наиболее близким к предложенному по технологической сущности является транзистор бегущей волны, содержащий эпитаксиальный слой арсенида галлия n-типа на полуизолирующей подложке, два омических контакта к слою арсенида галлия и два электрода с барьерами Шоттки, которые параллельны омическим контактам и расположены возле них. При подаче на омические контакты и электроды напряжения постоянного тока, а на электрод Шоттки СВЧ сигнала в слое арсенида галлия возникает бегущая волна СВЧ, экспоненциально нарастающая от входа к выходу прибора. Выключение прибора и устранение разброса параметров, возникающих при изготовлении отдельных приборов, осуществляются путем изменения напряжения, прикладываемого к контактам и электродам. Быстродействие транзистора бегущей волны ограничивается временем дрейфа пространственного заряда через слой арсенида галлия, а также нелинейной зависимостью между величиной прикладываемого к электродам и контактам напряжения смещения и оптимальными условиями образования и существования бегущей волны пространственного заряда в эпитаксиальном слое арсенида галлия. Время выключения транзистора бегущей волны составляет 0,4 нс.

Цель изобретения повышение быстродействия прибора.

Это достигается тем, что в СВЧ приборе параллельно электродам с барьером Шоттки вне области распространения бегущей волны выполнены управляющие электроды, расположенные симметрично относительно вертикальной оси прибора.

На чертеже представлен СВЧ прибор.

СВЧ прибор содержит эпитаксиальный слой 1 арсенида галлия n-типа с двумя параллельными омическими контактами 2, два электрода 3 и 4 с барьерами Шоттки, расположенные на слое арсенида галлия параллельно омическим контактам, а также два управляющих электрода 5, расположенных между электродами с барьерами Шоттки симметрично оси прибора.

СВЧ прибор работает следующим образом. На электрод 4 подается сигнал СВЧ в диапазоне от 2 до 18 ГГц. Между контактами 2 прикладывается постоянное напряжение (-80 В на контакт, ближний к входному электроду 4). Напряжение смещения прикладывается также к электродам 3 и 4 (-85 В на входной электрод 4). В результате этого в активном слое арсенида галлия, заключенном между электродами 3 и 4, возникает бегущая волна, экспоненциально нарастающая от входа к выходу. Оптимальные характеристики прибора на СВЧ и устранение небольшого разброса параметров, возникающих при изготовлении отдельных приборов, осуществляются изменением напряжения, прикладываемого к контактам и электродам. Полное усиление СВЧ сигнала по напряжению равно
K где А,В,С,D функции передачи напряжения во входной области прибора, в области бегущей волны, в выходной области и в цепи обратной связи соответственно. При подаче на управляющие электроды импульса напряжения с амплитудой, равной по величине напряжению, приложенному к электродам с барьерами Шоттки, напряженность электрического поля в слое арсенида галлия, заключенном между управляющими электродами и одним из электродов с барьером Шоттки, уменьшится ниже порога междоменного электронного перехода. Изменится также первоначальная конфигурация силовых линий поля. Это приводит к выключению СВЧ прибора. Время выключения прибора уменьшается примерно в два раза по сравнению с временем выключения известного транзистора бегущей волны и составляет не более 0,2 нс. Это обусловлено уменьшением времени волны пространственного заряда в слое арсенида галлия.

Для включения прибора достаточно отключить управляющие электроды от питающего напряжения. В этом случае прибор может быть использован также в качестве транзистора бегущей волны. Чтобы полностью исключить влияние управляющих электродов в отключенном состоянии на распространение прямой и отраженной волн пространственного заряда, управляющие электроды расположены вне области распространения бегущей волны на рассто- янии от оси прибора, где l и b длина и ширина электрода с барьером Шоттки соответственно. При таком расположении между границей области распространения бегущей волны и управляющим электродом остается достаточно широкий слой арсенида галлия. Из технологических соображений ширина управляющих электродов выбрана (0,8 -1,2)b.

При особых режимах подачи напряжения смещения на электроды и контакты СВЧ прибор может работать как СВЧ генератор. В этом случае изменением напряжения на управляющих электродах можно регулировать коэффициент обратной связи генератора.

Размеры управляющих электродов рассчитываются с учетом допустимой рассеиваемой удельной мощности и минимальной ширины пленки, технологически реализуемой выбранным методом. Увеличение ширины управляющих электродов больше 1,2b не приводит к повышению быстродействия СВЧ прибора.

Использование изобретения в народном хозяйстве позволит получить технико-экономический эффект за счет сокращения расходов на разработку ряда приборов для СВЧ диапазона. Наряду с выполнением функций транзистора бегущей волны СВЧ прибор может дополнительно применяться в качестве быстродействующих защитного выключателя и модулятора на СВЧ, а также при создании логических элементов быстродействующих ЭВМ и в устройствах связи на сверхвысоких частотах. Наличие управляющих электродов позволяет вдвое повысить быстродействие и расширить функциональную возможность СВЧ прибора. При этом трудоемкость и материалоемкость в процессе изготовления СВЧ прибора увеличится незначительно по сравнению с процессом изготовления транзистора бегущей волны, так как управляющие электроды можно изготавливать одновременно с омическими контактами и из того же материала.

Похожие патенты SU714968A1

название год авторы номер документа
СВЧ-ПРИБОР 1979
  • Баранцева О.Д.
  • Костенко В.Л.
SU766464A1
Трёхэлектродный полупроводниковый прибор 2017
  • Кантюк Дмитрий Владимирович
  • Толстолуцкий Сергей Иванович
  • Толстолуцкая Анна Владимировна
RU2654352C1
ВЕРТИКАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 2009
  • Семенов Анатолий Васильевич
  • Хан Александр Владимирович
  • Хан Владимир Александрович
RU2402105C1
МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СВЧ МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА НА МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ 2014
  • Кантюк Дмитрий Владимирович
  • Толстолуцкая Анна Владимировна
  • Толстолуцкий Сергей Иванович
  • Шевцов Александр Владимирович
RU2560998C1
Кристалл высоковольтного гиперскоростного сильноточного диода с барьером Шоттки и p-n переходами 2022
  • Гордеев Александр Иванович
  • Войтович Виктор Евгеньевич
RU2803409C1
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЧАСТОТЫ СВЧ ДИАПАЗОНА 1998
  • Михайлов А.И.
  • Сергеев С.А.
  • Игнатьев Ю.М.
RU2138116C1
КРИСТАЛЛ СИЛОВОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ И p-n ПЕРЕХОДАМИ 2023
  • Войтович Виктор Евгеньевич
  • Воронцов Леонид Викторович
  • Гордеев Александр Иванович
RU2805563C1
ТРАНЗИСТОР 1995
  • Иоффе В.М.
  • Максутов А.И.
RU2143157C1
МОЩНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ СВЧ 2014
  • Адонин Алексей Сергеевич
  • Колковский Юрий Владимирович
  • Крымко Михаил Миронович
  • Миннебаев Вадим Минхатович
RU2563533C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА 2012
  • Блинов Геннадий Андреевич
  • Бутенко Елена Васильевна
RU2523060C2

Иллюстрации к изобретению SU 714 968 A1

Реферат патента 1996 года СВЧ-ПРИБОР

СВЧ-прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, параллельно электродам с барьером Шоттки вне области распространения бегущей волны выполнены управляющие электроды, расположенные симметрично относительно вертикальной оси прибора.

Формула изобретения SU 714 968 A1

СВЧ прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, параллельно электродам с барьером Шоттки вне области распространения бегущей волны выполнены управляющие электроды, расположенные симметрично относительно вертикальной оси прибора.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года SU714968A1

Устройство для выпрессовки 1984
  • Коротков Ерофей Павлович
SU1261783A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Контрольный висячий замок в разъемном футляре 1922
  • Назаров П.И.
SU1972A1
Дин Р.Х., Матарезе Р.Д
Новый тип СВЧ-прибора - транзистор бегущей волны на CaAs - ТИИЭР, 1972, т
Способ получения молочной кислоты 1922
  • Шапошников В.Н.
SU60A1

SU 714 968 A1

Авторы

Баранцева О.Д.

Костенко В.Л.

Даты

1996-05-20Публикация

1978-06-01Подача