Фотошаблон Советский патент 1980 года по МПК B41M3/08 H05K3/00 

(54) ФОТОШАБЛОН

I

Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры, в часттости, к изготовлению фотошаблонов, применяемых в фотолитографических процессах при производстве интегральных схем.

Известен фотошаблон, состоящий из прозрачной стеклянной подложки, с нанесенным на нее- маскирующим металлическим слоем, в котором выполнено изображение требуемого рисунка, и защитным слоем, расположенным на маскирующем слое 1.

Недостатком известного фотошаблона являются скрытые трудно контролируемые дефекты в поверхностном слое стеклянной подложки (выколки стекла, царапины, выступы). Эти дефекты появляются во время механической и химической обработки подложки и являются причиной образования проколов в металлизированном слое (на месте бугорков и выступов в подложке), плохой адгезии металлизированного слоя к стеклу и включен ш невьггравленной металлической пленки в светлом поле азотошаблоиа (на месте царапин и выколок в подложке).

Целью изобретения является повышение качества фотошаблона путем исключения влияния дефектов на маскирующий слой.

Это достигается тем, что защитный слой размещен между подложкой и маскирующим счоем.

Обеспечение поверхностного слоя стеклянной подложки защитным слоем нитрида кремния предупреждает трансформацию дефектов подложки в маскирующий слой.

На чертеже показан предлагаемый фотошаблон.

Фотошаблон состоит из прозрачной стеклянной подложки 1, поверхность которой заийщена слоем 2 нитрида кремния. Изображение требуемой функциональной схемы выполнено в маскирующем слое 3, например, их хрома, нанесенном на защитный слой 2.

Защитный слой 2 наносится на поверхность стеклянной подложки I после подготовки последней известными методами механической и химической обработки.

В процессе химической и механической обработки стеклянной подложки 1 в ее поверх нсГстйомслое образуются дефекты (выколки; бугорки, царапины), являющиеся практически единственной причиной выхода из строя -фото шаблонов во время эксплуатации. Нанесение нитрида кремния на подложку 1 производится в камере реактивного распыления, например, с помощью установки УРМЗ 279.013.S Условия режима нанесения нитрида кремния давление азота в вакуумной камере мм рт.ст; анодный ток Ja-K 80 ма; напряжение распыления мишени Upacn 1,25 KB; скорость роет; пленки нитрида кремния и 12 А/мин, t,. температура подложки в процессе осаждения пленки 280°С; , толщина наносимой пленки нитрида кремния d «vlOOO А. В процессе нанесения нитрида кремния на стекло обеспечивается высокая адгезия этих слоев, благодаря, тому, что коэффшоюнты линейного расширения стекла и нитрида кремния Имеют Противоположные знаки. Маскирующий слой 3, в данном случае из хрома, наносят на слой 2 известньпли метода V4

Х ми вакуумного распыления и создают в нем требуемое изображение, пользуясь известными методами фотолитографии. Благодаря размещению слоя нитрида кремния между подложкой и маскирующим слоем обеспечивается стабилизация поверхностного слоя стекла неразрущаемым в дальнейшем технологическом процессе слоем нитрвда крем ния. Это предупрейсдает трансформацию дёфектов поверхйостй стекла в маскирующий слой, благодаря чему повышается качество фотошаблона по сравнению с известным. Формула изобре тения Фотошаблон, содержаш;ий стеклянную подложку с маскирующим слоем и защитным слоем из нитрида кремния, отличающийся тем, чЛ, с целью повьпиения его качества путем исключения влияния дефектов на маскирующий слой, размещен между подложкой и маскирующим слоем. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство fCCP № 329501, кл. Н 05 К 3/00, 1970 (прототип).