Позитивный электронорезист Советский патент 1980 года по МПК G03C1/68 

Описание патента на изобретение SU721794A1

Изобретение относится к позитивным электронорёзистам, которые используют в электронно-лучевой литографии . Известен позитивный электронорезист, включающий полиметилметакрила и органический растворитель - метил изобутилкетон 1. Известный электр норезйст обладает неудовлетворитель н6 низкой электронной чувствительностью. Целью изобретения является повышение электронной чувствительности резиста. Предлагаемый электронореэист содержит гидролизованный полиметилметакрилат с кислотным числом 25-220м KOK/ff а в качестве растворителя со дерятт этилцеллозольв, бутилацетат толуЬя при следующем соотнсмяении ко понентов, вес.%: Тйдролизованный гполиметилметакрилат с кислотным числом 25-220 мг 7-18 23,9-27 Бутилацетат 15,8-17, Толуол Остально Этилцеллозольв Предложенный позитивный электрон резист обладает большей электроночувствительностью (1, 8,0-10 Кл/см) по сравнению с известным позитивным электронорезистом (1,310 1,4 Кл/см) . Пример 1. 15г полиметилметакрилата ( 7 0,219 л/г, диметилформамид, ) растворяют при перемешивании в 150 мл концентрированной ., поддерживая температуру реакционной массы 18-25°С. Полученную смесь выдерживают в.указанных условиях 5 ч. Частично гидролизованный полиметилметакрилат выделяют осаждением в ледяную воду, осадок отделяют на фильтре и промывают многократно дистиллированной водой до нейтральной реакции проь«вных вод. Полимер очищают двукратным переосаждением из диоксанового раствора в петролейный эфир. Полученный таким образом частично гидролизованный полиметилметакрилат имеет кислотное число 58 мг КОН/Г. Растворяют 10 г указанного полимера в 100 мл смеси этильцеллозольва, бутилацетата и толуола, взятых при соотношении 5:3:2 (по объему), получгшт электронорезист следующего состава, вес.%: Гидролнзованный полиметилметакрилат10,0 Этилцеллозольв46,4 Бутилацетат26,3 Толуол Электронорезист наносят посредством центрифугирования; на пластин ку из свежеокисленного кремния таким образом, чтобы после сушки толтина пленки электронорезиста состав ляла 0,3-0,5 мкм. Сушку проводят вн чале при 25°С 20 мин, затем при 200° 30 мин. Электронорезист экспонируют в растровом электронном микроскопе при ускоряющем напряжении 10 кэВ и даакетре электронного луча 0,1 мкм. Полученное изображение проявляют в смеси метилэтилкетона и толуола (4: по объему), удаляя, тем самым, эксп ккрованные участки покрытия. Чувствительность резиста к элект.ронному лучу, определяемая как мини мальная величина заряда электронов, прошедших через единицу площади плен кг: резиста, необходимая для полного удаления полимерной пленки на облученных участках, составляет 1, Кл/см . Электронорезист, содержащий в качестве полимерного связующего полиме тилметакрилат, в тех же самых условиях обладает лектроночувствительностью 1, 3-10 Кл/см. Пример 2. Так же, как в при мере 1, получают гидролизованныйпо лиметилметакрилат с кислотным числом 25 мг КОН/г (время реакции 4 ч) Готовят раствор 10 г указанного поли мера в 50 мл смеси растворителей того же состава, что в примере 1, получая злектронорезист следующего состава, вес.%: Гидролизованный полимети лмет акрилат Этилцеллозольв Бутилацетат .Толуол Далее действуют аналогично приме ру -1. Чувствительность резиста к электронному лучу составляет 7,8«10 Кл/см по сравнению с 1,4-10 Кл/см для аналогичного резиста на основе полиметйлметакрилата. Пример З.-Так же, как в примере 1, получают гидролизованный полиметилметакрилат с кислотным чис лом 170 мг КОН/Г (время реакции 8 ч).I Готовят раствор 10 г указанного. полимера в 150 мл смеси рас ворителей того же состава, что в пр мере 1, ;получая электронорезист следующего состава, вес.%: Гндролизованный полиметилметакрилатЭтилцеллозольв Бутилацетат Толуол Далее действуют аналогично приме ЙУ, 1 ЧУЕСтзиТерьяость резиста к электронному лучу составляет б/З-ЮКл/см по сравнению с 1,310 Кл/см для резиста на основе полиметилметаКрилата. Пример, 4.Так же,как в при- мере 1, получают гидролизованный полиметилметакрилат с кислотным числом 220 мг КОН/г (время реакции 10 ч), Готовят раствор 10 г указанного полимера в 100 мл смеси растворителей того же состава, что в примере 1, получая электронорезист следующего состава, вес.%: Гидролизованный полимети лметакрилат 10,0 Этилцеллозольв46,4 Бутилацетат26,3 Толуол17,3 Далее действуют аналогично примеру 1. Чувствительность резиста к электронному лучу составляет 8, О 10 Кл/см по сравнению с 1, 3 10 Кл/см для аналогичного резиста на основе полиметилметакрилата. Примеры 5 и б иллюстрируют тот факт, что позитивные электронорезисты на основе гидролизованного полимети лметакрилат а с кислотным числом менее - 25 и более кг КОН/г обладают практически такой же чувствительностью к электронномул лучу, что и резист на основе обычного полиметилметакрилата. Пример 5, Так же, как в примере 1, получают гидролизованный полиметилметакрилат с кислотным чис-. лом 17 мг КОН/Г (время реакции 1 ч/ Готовят раствор 10 г указанного полимера в 100 мл смаси растворителей того же состава, что в примере 1, получая электронорезист следующего состава, вес.%: Гидролизованный полиметилмета ;рилат10,0 Этилцеллозольв46,4 Бутилацетат .26,3 Толуол17,3 Далее действуют аналогично примеру 1. Чувствительность резиста к электронному лучу составляет, 1, Кл/см по сравнению с 1, 3 10 Кл/см для аналогичного резиста на основе полиметилметакрилата, Пример 6. Так же, как в примере 1, получают гидролизованный полиметилметакрилат с кислотным числом 245 мг КОН/Г (время реакции 11 ч) . Готовят раствор 10 г указанного полимера в 100 мл смеси растворителей того же состава, что в примере 1, получая электронорезист следующего состава, вес.%: Гидролизованный полиметилмет акрилат10,0 Этилцеллозольв46,4 Бутилацетат26,3 Толуол17,3

Далее действуют аналогично примеру 1. Чувствительность резиста к электронному лучу составляет 1, Кп/см по сравнению с 1, ЗЧО Кл/см цля аналогичного резиста на основе Полиметилметакрилата.

Применение позитивного электронорезиста на основе гидролизованного Полиметилметакрилата, обладающего значительно больщей чувствительность к электронному лучу по сравнению с обычным полиметилметакрилатом, сокра адает время экспонирования резиста, повышает производительность электронно-лучевой установки и делает возможным использование этого резиста в промышленных процессах элект ронно-лучевой литографии.

Формула изобретения

Позитивный элеткронорезист, включающий полиметилметакрилат и органический растворитель, отличающийся тем, что, с цэлью повышения электронной чувствительности, он содержит гидролизованный полиметилметакрилат с кислотным числом 25-220 мг КОН/Г, а в качестве растворителя содержит этилцеллозольв, бутилацетат и толуол при следующем соотношении компонентов, вес.% Гидролизованный полиметилметакрилат с кислотньлм числом 25-220 мг КОН/Г7-18

Бутилацетат23,9-27,3

Толуол15,8-17,5

ЭтилцеллозольвОстгшьное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Великобритании 1147490 кл. Н,5 R, опублик. 1969 (прототип) .

Похожие патенты SU721794A1

название год авторы номер документа
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ЭЛЕКТРОННО- И РЕНТГЕНОРЕЗИСТА 1992
  • Семчиков Ю.Д.
  • Семенов В.В.
  • Булгакова С.А.
  • Ладилина Е.Ю.
  • Новожилов А.В.
  • Корсаков В.С.
  • Максимов С.И.
RU2044340C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ 1988
  • Серова И.Н.
  • Кораблин А.С.
  • Самохин А.В.
  • Бунин Г.Г.
  • Малахов Б.А.
  • Иноземцев С.А.
SU1565302A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ 1987
  • Бунин Г.Г.
  • Курмачев В.А.
  • Мякиненков В.И.
  • Николенков В.Т.
  • Павлова Г.Е.
SU1501756A1
Фоторезистивная композиция высокочувствительного позитивного электронорезиста 2019
  • Колмогоров Юрий Николаевич
  • Джонс Михаил Михайлович
RU2692678C1
Электронорезист 1978
  • Мартынова Г.Н.
SU701324A1
Электронорезист 1982
  • Мирсков Рудольф Григорьевич
  • Басенко Сергей Владимирович
  • Рахлин Владимир Исаакович
  • Корчков Валерий Петрович
  • Мартынова Татьяна Николаевна
  • Данилович Владимир Сергеевич
  • Воронков Михаил Григорьевич
SU1078399A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ 1999
  • Тригуб В.И.
  • Плотнов А.В.
  • Потатина Н.А.
  • Ободов А.В.
RU2145156C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ С РЕЗИСТОМ 2004
  • Кауле Виттих
RU2334261C2
Позитивный фоторезистор 1974
  • Эрлих Роальд Давидович
  • Гуров Сергей Александрович
  • Милованова Зинаида Дмитриевна
  • Ракитин Владимир Николаевич
SU511560A1
Способ формирования маски 1974
  • Вэйн М.Мореау
  • Чин Н.Тинг
SU604519A3

Реферат патента 1980 года Позитивный электронорезист

Формула изобретения SU 721 794 A1

SU 721 794 A1

Авторы

Вайнер Александр Яковлевич

Лиманова Валентина Федоровна

Дюмаев Кирилл Михайлович

Быстрова Надежда Максимовна

Эрлих Роальд Давидович

Даты

1980-03-15Публикация

1978-07-10Подача