Позитивный фоторезистор Советский патент 1976 года по МПК G03C1/52 

Из&бретение касается фоторезистов, при, меняемых для получения защитных масок в . , микроэлектронике, радиотехнике н полиграфии.

Известен позитивный фоторезист на основе фенолформальдегидных новолачной и ре« g зоштлой смол, эфира 1,2 нафтохинондиазид«4 2)-5 сульфокислоть и йодированного 2,2- с,„ди( П- -оксифенил)-пропана при соотношении 1 ; 1 и органических растворителей диметилформамида и монометилового эфира JQ ацетатэтиленгликоля.

Однако сформированные из такого фото« резиста защитные маски имеют локальные дефекты (проколы, разрывы, радиальные лучи),

Цель изобретения - улучшение качества |5 сформированных из фоторезиста защитных масок.

Это достигается тем, что в состав фото- резиста дополнительно введены толуол, ме- -,

типцеллозольв, ииклогексанон и полиметилфенилсилоксан при следующем содержании компонентов, вес, %:

Фенолформальдегидная

смола12-14

Зфир 1,2 нафтохинондиаэид «

«( 2) -5-юульфокислоты и

йодированного 2,2-ди-( ft -

-оксифенил)-пропана.6-7

Диметилформамид8-Ю Монометиловый эфир ацетат-

этиленгликоля12-14

Толуол7-9

Метилцеллозольв1О 13

Циклогексанон33 40

ПолиметилфенилсилоксанО,1,4

Пример. Четыре состава предлагае- мого фоторезиста даны в таблице.

3

Наименование компонента входящего в состав фоторезиста

4;..

Состав фоторезиста, вес, VL4

Светочувствительный продукт (смесь МОНО- я диэфира 1,2-нафтохинондио азида-{2)-5- :ульфокислоты и йодированного 2,2-ди-{ П оксифенил)-пропана {содержание диэфира Зб-35%)

Диметилфсфмамид (ГОСТ 57ОЗ-70)

Монометиловый эфир ацетатэтиленгликоля (МРТУ-6 09-2893-1б)

Толуол (ГОСТ 5789-69) Метилцеллоэольв (МРТУ 6-09-6347- 5 Циклогексанон (МРТУ 6-О9-2331-Й5)

П олиметилфенилси локсан (ТУ 6-О2-658-71) Технология изготовления фоторезиста зав ключается в следующем. В емкости с мешал кой перемешивают указанное в таблице количество смол и растворителей (кроме циклогексанона и толуола),до полного раство рения смол. При красном освещении аналогично приготавливают раствор светочувстви- тельного неполного эфира 1,2-нафтахинон« пиазида( 2)-5-сульфокислоты и йодирован- ного 2,2-ди-( а « 1ксифенил)-пропана в циклогексаноне. Смешивают два раствора и .добавляют к смеси раствор полиметилфенилсилоксана в толуоле. Раствор фоторезиста ; фильтруют при ; красном освещении через бумажный фильтр № 389, а затем через обеззоленный фильтр синяя лента (МРТУ й.02-,241Г-65). Пленка фоторезиста, сформи рванная мег тодом пневматического распыления или центрифугированием, равномерная, без раз- рывов, мелких пузырей и механических включений. По сравнению с методом центрифугиро,-; зания метод пневматического распыления позволяет получать пленки без внутренних :апряжений и загрязнений в результате за- сасываник пыли из окружающей среды в иентр врашающегосй диска. Метод пневматического распыления дает р возможность наносить фоторезист на под.

0.2

0,4

0,3 ложки различных размеров к конфигураций (кольца, прямоугольники, выпуклые и вогну « тые поверхности и т. Д;) с равномерной регулируемой в широких пределах ( 20 мкм) толщиной по всей поверхности. Процесс нанесения при простоте и надежное сти оборудова.ния легко автоматизируется, Испытания лабораторных образцов, Порядок проведения испытаний. 1, Фоторезист наносят ка скксп нЩЮ кремниевую пластину с,п8ду:юишм техко логическим режимам: а)скорость nepeMKiiieiJHH )Лред ;еткогО стола 12 дел, шкальз; б)скорость пере ещеиия краскораспыли..теля 2О дел, шкалы; в)давление воздуха на ре.спь;ление 1,8 кг/см2; г)давление Б кряск,оналивио;ч бачке 1,4 кг/см ; д)расстояние от раслылите.гп ао подлож ки 200 мм. 2.Измеряется толщина пленкм h ее равномерность. 3.Проверяется paafjeufeKiiiiea с госсонг/сть пленки. 4.Измеряется конт|.)дст-ность, 5.Зймеряется Бре.чн экс11,ол.ч;)оьа;лш для HHTerpaJibs-iOE чувств-,телы1ости ь области ЗООюбОО нм при облучении (40.0) йт/см. Результаты испытаний, 1.Фото|зазист ФП-5п, Плотность 1,ОЗ , 1,ОЗ г/cм, вязкость 5,2 ест, поверхност- ное натяжение 26,6 дин/см. Пленка фоторезиста имеет незначительный микрорельеф и краевое утотдение; рас« текаемость удовлетворительная; толщина .енки 1,2 мкм; разрешающая способность 5ОО линкй7мм; время экспонирования 1О сек контрастнее bv 32; время проявления is сек; изменение (уход) размеров,0,63 мк 2,Фоторезист с добавкой 0,01i 10%«Иого раствора ПАВ N9 3. Плотность 1,ОЗ вязкость 5,2 ест, повышен™ ное натяжение 23 дин/см, Пленка фоторезиста равномерная; растека мость хорошая; наблюдаются явления краевого утолщеню пленки; толщина пленки 1.мк разрешающая {способность 500 линий/мм I время прояштения 12 сек; контрастность 32; время экспонирования ТОсек; изменение () размеров 0,63 мкм. Фоторезист ФП-5п с добавкой ПАВ технологичен при нанесении его методом пнев- м-атического раппыления, а свойства, опреде и.йющие его смачиъ&юи ю способность, поз« ВОПИЮТ получать,йленку необходимого каче- ствв. Формупа изобретения Позитивный фоторезист на основе фенол- . формальдегидных смол, эфира 1,2чнафтохл« : нондиазид-( 2)-5--сульфокислоты и {|р дирова1 кого 2,( П. «оксифенил)-пропана при соотношении 1 : 1 и ррганических раствори-1 телей диметилформамида и монометипового эфира ацетатэтиленгликоля, о т л и ч а к ; щ и и с я тем, что, с целью улучшения ке чества сформированных из него защитных масок, он содержит дополнительна толуол, метилцеллозольв, диклогексанон и полиметнл фенилсилоксан при следукяцем содержании компонентов, вес. % Фенолформальдепщная смола Эфир 1,2 -нафтохинондиазид- «(2)-5 сульфокислоты н йоди. роканного 2,2-ди( П.-оксифенил) -пропана Диметилформамид Монометиловый эфир ацетататиленгликоляТолуол Метилдеплозольв Э5-40 Циклогексанон О.1..0,4 Полиметил фенилсилоксан