Способ изготовления полупровод-НиКОВыХ пРибОРОВ HA OCHOBE Советский патент 1981 года по МПК H01L21/324 

например, после облучения монокристалла ZnGeP р-типа проводимости с удельным сопротивлением 2, .CNf дозой Фй210 эп/cvfl- получают образец с удельным сопротивлением 2.1(У Ом.см, не изменяя при этснч типа проводимости исходного образца. Недостатком .этого способа является то, что он не дает возможности создавать п-р-переход на кристаллах ZnGeRj р-типа, Известен способ изготовления полу проводниковых приборов на основе ZnGeP(2,, включающий отжиг пластин ZnGePjj, р-типа проводимости в парах фосфора Гз1. Кристалл ZnGeAs р-типа проводимости и навеску металлического мышья ка 0,4-0,5 г (1ещакгг в ампулу, кото рую откачивают и рапаивают. Затем ампулу п ещают в печь с двумя изоте мическими участками, один из которых юпределяет температуру кристалла, . а другой - давление паров мьаиьяка. Для осуществления объемной конверсии р-типа проводимости в п-ти1т процесс отжига пластин ZnSIАз толщиной 1,01,5 мм проводят в течение 350-400 ч при 850-900с и давлении паров квлиья ка 2,5-4 атм. После завершения отжиг проводят закалку и получают однородные кристаллы ZnSiAs,, п-типа проводимости. Недостатком известного способа также является то, что он не позволяет получить п-р-переход на кристаллах ZnfieP, р-типа. Целью изобретения является получение р-п-пвреходов. Указанная цель достигается тем, что отжиг проводят при давлении паро Фосфора Л,3-0,6 атм в присутствии порошка ZnfiePg, вес которого в 1,5-3 раза больше веса пластины при температуре 870-900с в течение 5-17 ч. На фиг. 1 изображен график распре деления температуры вдоль ампулы с кристаллом ZnGePfj р-типа; на фиг. 2 кривая зависимости концентрации носи телей заряда в кристаллах ZnGePp от давления паров фосфора; на фиг. 3 темновая вольт-амперная х.арактеристика п-р-перехода на основе кристалл ZnGeP, при ЗиО К. Настоящий способ заключается в следующем. Монокристаллическую пластину 1 соединения ZnGeP,| р-типа проводимости совместно с порошком 2 ZnGeP, и фосфором 3 помещают в кварцевую ампу лу 4. После этого ампулу вакуумируют запаивают и помещают в двухзонную печь распределение температуры в которой представлено на фиг.1. Давле ние паров фосфора в ампуле задают те пературой источника T CTOMHW);. температ ру отжига задают Т р„стама исключ ния конденсации, фосфора на поверхность пластины выполняют условие .рнстамо( - источннксл Пример 1. Отжиг проводят при Tj pnCTav i OO°C и давлении паров фосфора 0,6 атм в течение 5 ч. Отношение веса порошка ZnGeP к весу монокристаллической пластины составляет 1,5. После проведения отжига по указанному режиму ампулу охлаждают до комнатной температуры. На фиг. 3 дана темновая вольт-.амперная характеристика п-р-переходов на основе кристалла ZnGePQ р-типа проводимости, из которой виден эффект выпрямления. Пример 2. отжиг проводят при рцста,да и давлении паров фосфора 5,3 атм в течение 5 ч. Отношение веса порошка ZnGePt к весу монокристаллической пластины составляет 2,5. После пвоведения отжига по такому режиму ампулу с пластиной охлаждают до комнатной температуры. Вольт-с1мперная характеристика такая же, как и в примере 1. Пример 3. Отжиг проводят при 880°С и давлении паров фосфора 0,45 атм в течение 17 ч. Отношение веса порсяцка ZnGePj к весу монокристаллической пластины составляет 3. После проведения отжига по приведенному режиму ампулу с образцом охлаждали до ксячнатной температуры. Эффект выпрямления на этом образце такой же, как и в примере 1. Таким образом, настоящий способ позволяет создавать п-р-переход в кристалле ZnGeR, р-типа проводимости, тогда как все известные способ управления электрическими свойствами кристалла ZnGef; позволяли только изменять концентрацию свободных дырок или существлять конверсию типа проводимости во всем объеме отжигаемого кристалла. Следует также отметить, что решение проблелы получения п-р-переходов по предлагаемому способу открывает возможность создания нового класса полупроводниковых приборов. Формула изобретения Способ изготовления полупроводниковых приборов на основе ZnGeP,, ,включающий отжиг пластин ZnGel р-типа проводимости в парах фосфора, о т л и. чающийся тем, что, с целью получения п-р-переходов отжиг проводят при давлении паров фосфора 0,30,6 атм в присутствии порошка ZnGeP, вес которого в 1,5-3 раза больше веса пластины при 870-900С в течение Б-17 ч. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Григорьева B.C. и др. Подвижность и энергетический спектр дырок монокристгшлов p-ZnGePj. Физика и.

техника полупроводников, 1974, т.8, вып.8, с. 1582-1595.

2. Брудный В.Н. и др. Компенсация проводимости фосфидов () электронным облучением. Письма в журнал

технической физики. 1978, т.4, вып.1, с. 41-46.

3. Авторское свидетельство СССР №490388, кл. Н 01 L 7/00, 1974 (прототип) .

TtifmovHuxa

0,1 аг аз о. о в.б O.J f.9

najoaf 0ffftpa/ a Pfa/nfff

i с

Фиг.1

0 „S

u.MOnftfUffeffuf

W

05

.3