I
Изобретение относится к области пЕри -боростроения, а именно к технике записи оптической информации на фототермоплас тическом материале.
Известен способ релье1|шой записи оп тачаского изображения на фототермоплас тическом материале, включающий фсрмйрованае постоянногоэлектростатического заряда, экспонирование к наг-реванке материала l .
При таком способе запуск к фототермопластическому матерг{алу в процессе проявления подводится значительное количество тепла от внешнего источника Избыток тепла пгриводит к перегреву термопластического материала. Материал ивреводится Bg вязкотекучее состояние. Заряженаый жидкий диэлектрик обладает резко выраженными резонансньгми свой ствами, приводящими к усилению тех пространственных частот в изображения, которые близки к резонансной частоте scv аэбаний диэлектрической пленки, Перег рев NfQTepfflana приводят к увепиче гаю
шумов в изображеннк, что снижает опти ческое качество регр -трируемого . изоб ражения.
Целью изобретения яЕШяется увеличение полосы воспройзвод{мьгх частс т и улучшение качества изображення.
Для этого Б гфоцессе экспонирования и нагревания фототермопластического материала формируют переменный во вре-менн электростатический заряд и произ
10 водят подсветку и нагревание км териала синхронно с улданьше-нием амплитуды заряда,
На фиг, 1 изображена схемаs поясняю-щая способ, на фяг. 2 - график
15 вания заряда на фототермопллстическом материале { ) во время экспозиции я проявлення.
Последовательность операций, необ- ходямых для реализации способа сле20дующая; на коронатор 1 полают последо вательносгь одко-дв хполяркых импульсов. Период следования импульсов выбирают исходя из времени релаксации заряда и механических напргжений в фототермопластическом материале. Одновременно со светом экспозиции 2 от источ- ника 3 белого света синхронно с уменьшением поте1щиала осуществляют подсвет ку фототермопластического материала 4. После окончания экспозиции подают напряжение иа нагреватель 5, при этом тепловые импульсы согласованы по фазе с уменьшением амплитуды заряда на фот термопластическом слое. Переменная форма заряда, на фототермопластическом материале вызывает в нем перестройку надмолекулярной стру туры5 в результате чего возрастают диэ лектрические и механические потери, которые определяются ф :рмулойТ Е где для диэлектрических потерь р -мощность Бш Е - напряженность переменного электрического поля f - частота изменения электрического поля S.tgCJ - коэффшхиент диэлектрических потерь, который возрастает с ростом температуры. Величина механических потерь определяется по аналогичной формуле с заменой электрических величин на механи ческие. Под действием пульсирующей нагрузки материал изменяет физIiкo-xимические свойства. Вязкость фототермо ппастического материала в неэкспониро ванном месте оказьшается больше, чем в месте экспонирования за счет разности электрических полей. Это позволяет использовать электростатические сипы дня ф1эрмированкя картины нужной частоты, появляется возможность под действием вьшужденной периодической электростатической силы расширять область высокоэластичного состояшия, что улучшает воспроизводимость результато . Так как отсутствует необходимость перевода всего материала в вязкб-текуее состояние, то затрудняется образование шумов, в том числе морозных. Меняя соотношение между скоростью нагрева и охлаждения в процессе записи изображения, возможно формировать как позитивные так и негативные изображения, что связано с плотностью вещества в застывшем состоянии. Для получения рельефа с меньшей плотностью необходимо нагревать материл быстрее, чем охлаждать. Эксперименты проводятся на материалах с гибкой лавсановой основой записываются голограммы Фурье телевизионной тест-таблицы О249 на длине волны ,6328, мкм, размером 1-2 мм. Величина импульсов зарядки +5,5 кВ, азряшси -3,5 кВ, длительность импульсов в момент экспозиции 0,1 с, в мометгг проявления Зг-О.ОЗ с. Интенсивность подсветки белым светом «0,01 Вт, время экспозиции 1 с, время проявления«О,3 с. Предложенный способ позволяет увеличить полосу воспроизводимых частот в 3-5 раз, улучшить качество регистрируемого изображения в 5 раз. Формула изобретения Способ рельефной записи оптического изображения, включающий разрядку фототермопластического материала, экспонирование и нагревание, от-личающийс я тем, что, с целью увеличения полосы воспроизводимых частот и улучшения качества регистрируемого изображения, зарядку осуществляют переменным во времени электростатическим зарядом, одновременно с экспонированием производят подсветку материала,а нагревание материала осуществляют синхронно с периодическим уменьшением величины заряда. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Акцептованная заявка Франции NO 22992272, кл. Q 03 G 16/ОО, 1976.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ записи оптической информации на фототермопластический носитель | 1990 |
|
SU1698872A1 |
Голографический способ исследования и контроля фотоэлектретных свойств фототермопластических материалов на основе полимерных полупроводников | 1982 |
|
SU1089549A1 |
Способ записи рельефных голограмм | 1978 |
|
SU750420A1 |
Способ записи и воспроизведения оптической информации на термопластическом носителе и устройство для его осуществления | 1981 |
|
SU976424A1 |
Способ записи изображения на фототермопластический носитель | 1984 |
|
SU1234805A1 |
Способ записи оптической информации на фототермопластический носитель | 1982 |
|
SU1051491A1 |
Способ записи и воспроизведения полутоновых фотографических изображений в инфракрасной области спектра | 1990 |
|
SU1837252A1 |
Устройство для записи оптической информации,содержащее рельефографический носитель | 1982 |
|
SU1132277A1 |
Способ регистрации двухэкспозиционной голографической интерферограммы | 1983 |
|
SU1157348A1 |
Способ фототермопластической записи | 1974 |
|
SU711533A1 |
в(нк)
О 5w5 2 j Jjipff SDQ BOO т 8вО, 9дв /ля tfH
Фиг. 2
Авторы
Даты
1980-05-15—Публикация
1977-10-25—Подача