Способ фототермопластической записи Советский патент 1980 года по МПК G03G16/00 

1

Изобретение относится к области приборостроения, а именно, к технике фототермопластической записи.

Известен способ фототермопластической записи, заключающийся в формировании скрытого электростатического изображения на термопластическом носителе с предварительной зарядкой термопластического слоя путем подключения пульсирующего напря-жения между проводящим слоем упомянутого носителя и фотополупроводниковой пластиной, находящейся в механическом контакте с носителем, экспонирован,ия с одновременной подачей напряжения противоположной полярности и последующего прявления электростатического изображения нагревом 1 .

Недостатком этого способа является большая неравномерность фона получаемых на термопластическом носителе изображений, обуслов.пе1гная формированием изображения при неравномерном зазоре между фотополупроводниковым и термопластическим слоями (к неравномерному воздушному зазору приводит наличие различных дефектов и пыли, разнотолщинность зтих слоев и др,).

Различие в воздушных зазорах между фотополупроводниковым и термопластическим слоями приводит к тому, что изображение на носителе будет искажено таким образом, что глубина микродеформаций участков носителя, которые соответствуют меньшим воздушным зазорам, будет больше глубины микродеформаций участков носите0ля, соответствующих большим воздушным зазорам.

Целью изобретения является повышение равномерности фона изображения .

5

Это достигается тем, что перед экспонированием на систему фотополупроводник - термопластик подают высокочастотный импульс напряжения.

Подача перед экспозицией высоко0частотного импульса напряжения приводит к возникновению в воздушном зазоре между фотополупроводниковым и термопластическим слоями объемного заряда, снижающего напряжение

5 пробоя. Амплитуда этого импульса выбирается такой, чтобы во всех участках контакта термопластического и фотополупроводникового слоев воздушный зазор был пробит (LI-200B

0 С «10 МГц, t - О , 1 с). ОлноБпеменно 3711 с выключением высокочастотного им--. пульса напряжения на систему подают импульс постоянного напряжения и осуществляют экспозицию. Применение предлс.гаемого способа фототермопластической записи поэволяет повысить на 130% равномерность фона, увеличить глубину и контраст получаемых на термопластическом носителе деформаций. Формула изобретения Способ фототермопластической записи, включающий зарядку термопластического слоя, приведение его в 4 контакт с фотополупроводниковым сл5 ем, экспонирование изображения на систему фотополупроводник - термопластик с одновременной подачей постоянногЪ напряжения и проявление изображения нагревом, отличающ и и с я тем, что, с целью повышения равномерности фона изображения,: перед экспонированием на систему фотополупроводнйк - тер опластик подают высокочастотный импульс напряжения. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 3214272, кл. 96-1, 1965 (прототип).