и cfeHKaiiiH волновода обеспечивает закорачивание токов деполяризации на стенки волновода и устраняет деполяризующие поля, препятствующие наблюдению циклотронного резонанса.
На фиг. 1 приведена блок-схема установки для реализации способа; на фиг. 2 показана зависимость прошедшей через образец мощности от напряжения магнитного поля.
Установка состоит из генератора 1, развязывающего аттенюатора 2, перехода с прямоугольного волновода на круглый 3, поляризатора 4, измерительного волновода 6, полупроводникового образца б, перехода с круглого волновода на прямоугольный 7, кристаллического детектора 8, селективного усилителя 9, двухкоординатного самописца 10, соленоида 11, источника питания соленоида 12,дьюара 13 с жидким азотом.
Работает установка следующим образом.
СВЧ КОлебания от генератора 1 через аттенюатор 2, переход с прямоугольного волновода на круглый 3 и поляризатор 4, в качестве которого служит отрезок эллиптического волновода, поступают в измерительный волновод 5, изготовленный из мельхиора. В измерительный волновод 5 низкоомным припоем впаивается полупроводниковый образец 6. Монтаж образца схематически показан на вставке 1. Мощность, прошедшая через образец 6, фиксируется кристаллическим детектором 8, и после усиления селективным усилителем 9 поступает на У-вход двухкоординатного самописца 10. На вход-Х самописца 10 поступает сигнал от источника питания соленоида 12, пропорциональный магнитному полю в соленоиде 11. Соленоид 11, образец 6 и измерительный волновод 5 помещают в дьюар 13 с жидким азотом.
П р и м.е р. Образец в виде пластины толщиной d 0,35 мм диаметром 6,2 мм помещают в волно вод. Электрический контакт между стенками волновода и образцом осуществляют путем впаивания образца сплавом Вуда.
Образец облучают излучением частотой 36875 МГц. Полученная зависимость прошедшей через образец мощ ности оси напряженности магнитного 5 поля показана на фиг. 2.
Напряженность 175 соответствует минимуму проходящей через образец мощности. Для образца с концентрацией носителей 1 7,1 ГО под0 вижностью 6,2- 10 при температуре 77°К получено значение эффективной массы ,01331 0 где irtp- масса свободного электрона.
Полученные значение кп согласуют5 ся с литературными данными.
Формула изобретения
20Способ измерения эффективной массы носителей тока в полупроводниках на СВЧ, включающий помещение полупроводникового образца в магнитное поле, облучение образца циркулярно
поляризованным СВЧ излучением, измерение напряженности магнитного поля, при которой проходящая через полупроводниковый образец мощность минимальна и вычисление эффективной массы носителей тока по известной
0 зависимости, отл и чающий с я тем, что, с целью упрощения и повышения точности определения эффективной массы носителей тока в полупроводниках с высокой концентра5 цией носителей тока, образец помещают в волновод и осуществляют электрический контакт между образцом и стенками волновода по периметру поперечного сечения волновода.
0Источники информации,
принятые во внимание при экспертизе
1.Авторское свидетельство СССР кл. G01- R 31/26, 1975.
2.Leotin J,, Ousset J. С., Barf baste R., Askenazy S., SkoBnick M.C.,
StradEing R. A., PoCbCand Q. SoEid State Communs 1975, 16, № 4, p. 363-366 (прототип).
S
Фиг.1
