Способ переноса скрытого электростатического изображения Советский патент 1976 года по МПК G03G13/14 

. Изобретение относится к способу получения изображений в электрографии. I Известны способы переноса скрытого электростатического изображения с фотополупроводникового слоя на слой воспринимающего материала, например диэлектрика, во внешнем электрическом попе или при использовании механического давления. Эти способы приводят к получению изобI ражений с темным фоном и к повреждению i фотополупроводникового слоя. ; С целью улучшения качества переноса без применения давления и внешнего элект рического поля, фотополупроводниковый слой вьшолняют полностью или частично из ор. ганических комплексов передачи зарядов, ; который при толщине 8-15 мк может I быть заряжен до в, экспонируют так, ч-А) на засвеченных местах напряжение составляет не менее 50О в, а на пробельных - не более 300 в. Проводящие материалы подложек диэлектрического и фотополупроводникового слоев при этом преиму;щес1ъенно заземляются. Кроме того, фотополупроводниковый слой содержит фотополупроводник - донор электронов и активатор - акцептор электронов. В качестве фотополупроводников используют ароматические углеводороды, такие как нафталины, антрацены, фенантрены, бензантреиьг, хризены, карбазолы, окстщаэотл, триазолы, / имидазолы, имидазолтионы, , дерн- ваты тиазода и многие другие, причем пригодны, в частности, и полимеры одного или : нескольких вшшлгетероциклических соед1ьнений, такие как N -винилкарбазолы, с - ви нилкарбазолы, винилдибензофураны, фторы и им подобные. В качестве активаторов использу1Ьтся, в частности, соединения, которые содержат сильные полярные группы, например, галогены, карбоксильную группу, циан- нитро-, эфироангидрид кисэтоты или хинонгруппиро- вание. Наиболее пригодны такие соединения, как флуоренон, в частности 2, 4, 7 - тринитро- 9- флуоренон, 2, 4,5i 7- тетранитро - 9- флуоренон или же соединения хлоранвла. Содержание активатора в пересчете на фотополупроводниковую субстанцию можно варьировать в различных количественных соотношениях, причем зачастую достаточны незначительные количества. В некоторых случаях целесообразно применять мольные соотношения 1:1 двух составляюи..их, пр№чем содержание активатора нередко может составить приблизительно от 0,7 до 1,3 молей на 1 моль фотополупроводника. Удельное сопротивление диэлектрического покрытия должно составлять Ю-- ом.см Пригодны воспринимающие материалы из проводящих бумаг с диэлектрическим покрьь тием из полистирола, ацетата целлюлозы и др. Способ переноса состоит в заряжении фотополупроводника, экспонировании изобр жения на фотопопупроводник, находящийся в возможном контакте с диэлектрическим воспринимающим слоем. Если в качестве вос1фИ1П1маюи..его материала применяют высокоомный слой с гидрофильной поверхность то молсно получать печатные формы. Получ& ние скрытого электростатического изображе ния молсет быть осуществлено с помощью металлических штифтов с достаточно высоки электрическим импульсным напряжением. Наиболее предпочтительные слои для осуществления способа. Слой 1. Слой состоит из 1 моля 2, 4, 7 - тринитро-9-флуорена и поли-N -вин карбазола в мольном соотношении 1:1 отно сительно мономерной единицы поливинилкарбазола. Слой 2, Слой состоит из 17,8 вес.ч, фенантрена, 0,245 вес. ч. хлоранила и 26 вес. ч. поливиниладетата (мовилит 50 ). Слой 3. Слой состоит из 16,6 вес. ч. флуорена, 0,36 вес. ч. 2, 4, 5, 7 - тетранитро-9-фпуоренона и 26 вес. ч. поливиншь ацетата (мовилит 50).. Пример. Фотопол тхроводник {слой 1) был нанесен на алюминизированнуто фольгу из полиэтилентерефталата толщиной 75 (при толщине слоя 12 мк). Заряд, определенный изопробным, электростатически вольтметром по методу Монро, составил 1400 в. фольга бьша намотана на металли ческий барабан и заряжена разрядом до 1300 в, причем алюминиевый слой был за- землен с одного конца. Фотографическим объективом оригинал проецировался на фотополупроводниковый слой, при этом экспониро вание оригинала бьшо осуществлено двумя люминесцентными лампами зеленого цвета мощностью 15 ВТ фирмы Филипс. Предельная величина заряда на участках изображения составила 900 в, а на пробель ных - 300 в. После переноса скрытого элек тростатического изображения на высокоомны слой на участках изображения бьшо замерено напряжение величиной 290 в, а на пробельных участках такое напряжение составило меньше 10 в. После проявления перенесенного скрытого изображения жидкостным проявителем бьша получена контрольная и свободная от основы копия. Пример2. На алюминиевую фольгу был нанесен фотополудроводниковый слой из 2, 4, 7- тринитро- 9- флуоренона и поли- N - вияилкарбазола в мольном соотношении 0,8:1 относительно мономерной единицы поливинилкарбазола. Слой был толщиной 10 мкм и мог быть заряжен до 1150 в. Покрытая слоем алюминиевая фольга бьша намотана на барабан и заряжена коронным разряиом до 11ОО в. Экспонирюва- ние бьшо проведено также, как в примере 1. На участках изображения бьша замерена предельная величина заряда порядка 7ОО в а на пробельных участках эта величина составила 22О в. После переноса скрытого изображения на высокоомный слой на участрках изображения напряжение составило 20О в, а на пробельных от О до 3 в. После проявления ферромагнитным про- гоителем с помощью магнитной кисти бьши получены контрастные копии хорошего качества без основы. Формула изобретения 1.Способ переноса скрытого электростатического изображения, состоящий в передаче электростатических изображений с фотополупроводникового слоя, находящегося на проводящей подложке, на диэлектрический слой, также находящийся на проводящей подложке, который находится, например, в контакте со слоем фотополупроводника, отделении- слоев друг от друга, проявлении и закреплении перенесенного изображения, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества переноса без применения давления и внешнего электрического поля, фотополупроводниковый слой, состоящий полностью или частично из органических комплексов передачи зарядов, заряжают до 800-1600 в при толщине 8-15 мк и экспонируют так, что в участках изображения напряжение составляет не менее 50О в, а на.)Е1роб.шьнь.1х..-..не„.вь1ше.300.в, цричем проводящие подложки слоев преимущественно заземляют во время контакта. 2.Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что фотополупроводниковый слой экспонируют так, что разность напряжений участков изображения и пробельных ynacDков лежит в пределах от 500 до 900 в.

56

3. Способ по п. 1, отличающий-скольких винилгетероциклических соединений

с я тем, что в качестве фотополупровод- соотношении от О,7 до 1.3 молей флуо

аикового слоя применяют 2.4, 7 - тринитиРенона на 1 моль моиомерного винилового

флуоренон и нолимер одного или не-соединения.

508235