Ключ Советский патент 1980 года по МПК H03K17/567 

(54) КЛЮЧ

Изобретение относится к области автоматики.

Известны ключи, содержащие транаиоторы одного типа проводимости, резисторы, диодно-мостовую схему и переключатель, при между точками объединения анодов диодов диод но-мостовой схемы последовательно включены первый и второй резисторы, общая точка которых соединена с коллектором первого транзистора, эмиттер которого непосредственно, а база через третий резистор подключены к общей шине,одна из точек объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы соединена с общей точкой эмиттеров второго и третьего транзисторов, а другая точка объегдинения анодов диодов диодно-мостовой сх&мы подключена к общей точке эмиттеров четвертого и пятого транзисторов причем одна източек объединения катодов диодов диодно-мостовой схемы через четвертый резистор соединена с первой входной клеммой, через пятый резистор - со второй входной клеммой, чер шестой резистор - с базой второго транзистора, а через седьмой резистор подключена к базе четвертого транзистора, причем коллекторы второго и четвертого транзисторов соединены соответственно с первой и второй входными клеммами, другая точка объединения катодов диодов диодно-мостовой схемы через восьмой резистор соединена с первой выходной клеммой, через девятый резистор - со второй выходной клеммой, через десятый резистор - с базой третьего транзистора, а через одиннадцатый резистор подключена к базе пятого транзистора, причем коллекторы третьего и пятого транзисторов соединены соответственно с первой и второй выходными клеммами (j..

Недостаток известного устройства большая потребляет ая мснцность.

Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности ключа.

Цель достигается тем, что в ключ, со держащий транзисторы одного типа проводимости; резисторы, диодно-мостовую схему и пёрекпгочетель, при этом между точками объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы поспедовательно включены первый и второй резисторы, общая точка которых соединена с коллектором первого трайзйстора, эмиттер которого непосредст венно, а база через третий резистор подключены к общей шине, одна из точек объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы соединена с общей точкой эмтхт теров второго и третьего транзисторов, а другая точка объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы подключена к общей точке эмиттеров четвертого и пян того транзистор01в, причем одна из точек объединения катодов диодов диодно-мостовой схемы через четвертый резистор соединена с первой входной клеммой, через пятый резистор - со второй входной клеммой, через шестой резистор - с базой второго Транзистора, а через седьмой резистор подключена к базе четвертого транзистора, причем коллекторы второго ичетвёртого транзисторов соединены соответственно с первой и второй входньши клеммами, другая точка объединения катодов диодов диоднэ-мостовой схемы через восьмой резистор соединена с первой выходной клеммой, через девятый резистЬр - со второй выходной , через десятый резистор - с базой третьего транзистора, а через одиннадцатый резис ор подключена к базе пятого транзистора, пр|Ичем коллекторы третьего и пятого транзисторов соединены соответственно с первой и выходными кпеммйми, введены первый дополнительный транзистор того же типа проводимости, второй дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, диод и дополнител ные резисторы, при этом база первого допопнит1ального транзистора через первый дополнительный резистор соединена с коллектором первого транзистора, эмиттер с общей шиной, а коллектор подключён к точкам объединения катодов хшодов диодно-мостовой схемы, к коллектору вт дополнительного транзистора, через второй дополнительный резистор - к обшей шине, а через третий дополнительны резистор - к плюсовой Шине иcтo 1п1ка питан11Я, эмиттер второго дополнитеттьного транзистора соединен через катод-анод диода с плюсовой шиной источника питания, а черве четвертый допопнитепьный резистор - с общей шиной, а база подключена к переключателю, чер1ез пятый дополнительный резистор - к плю1совой мппе источника тштавия, а через шестой дополнительньй резистор к когь лектору nepBCqiO транзистора, база которого через последовательно включенные седы.ой дополнительный резистор и переключатель соединена с плюсовой шшюй источника питания. Принципиальная схема ключа представлена на чертеже. Схема содержит диоды 1, 2, 3, 4 диодно-мостовой схемы, между точками объединения анодов диодов которой последовательно включены первый и второй резисторы 5 и 6, общая точка которых соединена с коллектором первого транзистора 7, эмиттер которого непосредственно, а база через третий резистор 8 подключены к общей шине 9j точка объединения анодов диодов 1 и 2 соединена с общей точкой эмиттеров второго и третьего трннзисторов 10 и 11, а точка объединения анодов диодов 3 4 подключена к общей точке эмиттеров четвертого и пятого транзисторов 12 и 13, точка объединения катодов диодов 1 и 3 через четвертый резистор 14 соединена с первой входной клеммой 15, через пятый резистор 16 со второй входной клеммой 17, через Шестой резистор 18 - с базой второго транзистора 10, а через седьмой резистор 19 подключена к базе четвертого транзистора 12, причем коллекторы транзисторов 1О и 12 соединены соответственно с входными клеммами 15 и 17, точка объединения ка1чэдов диодов 2 и 4 через восьмой резистор 20 соединена с первой выходной клеммой 21, через девятый резистор 22 - со второй выходной клеммой 23, через десятый резистор 24 с базой транзистора 11, а через одиннадвдтый резштор 25 подключена к базе транзистора 13, причем коллекторы транзисторов 11 и 13 соединены соответственно с выходными клеммами 21 и 23; 26первый дополнительный транзистор, база которого через первый дополнительный резистор 27 соединена с коллектором транзистора 7, эмиттер - с общей шиной 9, а коллектор подключен к точкам объединения катодов ДИОДОВ 1, 3 и 2, 4 к коллектору второго дополнительного транзистора 28, через второй дополнительный резистор 29 - к общей шине 9, а через дополнительный резистор 30 - к плюсовой шине 31 источника питания эмиттер транзистора 28 соединен через катод-анод диода 32 с плюсовой шиной 31 источника тштания, а.дэРез.четвертый дополнительный резистор 33 - с общей шиной 9, а подключена к переключателю 34, через пятый дополнительиый резистор 35 -кплюсовой шине 31 источника питания, а через шестой допол.нктельный резистор 36 - к коллектору траизистора 7, база которого через последовател но включенные седьмой дополнительный резистор 37 и переключатель 34 соединена с плюсовой шиной 31 источник питания. Работа ключа осуществляется следук щим образом. Ключ находится в закрытом состоянии когда переключатель 34 разомкнут. В этом случае транзистор 26 под действием положительного смещения, поступающего через резисторы 27, 35, 36, открыт, а транзисторы 7 и 28 заперты. Последнее обусловлено тем, что переключатель 34 разомкнут я на базу транзистора 7 не подается положительное смещение, а в транзисторе 28 имеет месТо отрицательная обратная связь по TOKJ через резиотор 33. С коллектора транзистора 7 чб рез делитесь на резисторах 5 и 6 подает ся положительное смещение на аноды дио дов 1, 2, 3, 4 и эмиттеры транзисторов 10, 11, 12, 13, ас коллектора транзис тора 26 - отрицательное смещение на катоды диодов 1, 2, 3, 4 и через резисторы 18, 19, 24, 25 - соответственно на базы транзисторов Ю, 11, 12 и 13. Благодаря этс,1у достигается надежное запирание транзисторов 10, 11, 12 и 13 и полное отпирание диодов 1, 2, 3 и 4. Ключ находится в открытом состоянии при установке переключателя 34 в одно из двух положений. В одном положении переключателя 34 на базу транзистора 7 подается отпирающее напряжение от плюсовой шины 31 источника питания через резистор 35 и делитель на резисторах 8 и 37, а Б другом положении переключателя 34 отпирающее напряжение на базу транзистора 7 подается от плюсовой шины 31 источника питания через делитель на резисторах 8 и 37. Так как к плюсовой шине 31 источника питания через резис торы 35 и 36 подключен также коллектор транзистора 7, то он отпирается. В резуль тате этого через резистор 27 на базу транзистора 26 и на среднюю точку делителя на резисторах 5 и 6 подается потенциал общей шины 9. Одновременно, потенциал общей шины 9 подается также через резисторяы 5 и 6 на аноды диодов 1, 2, 3, 4 и эмиттеры транзисторов 10, 11 12 13. Транзистор 26 запирается, снимается шунтирование с резистора 29 и под действием отпирающего напряжения, поступающего на базу транзистора 28 через ревистор 35, последний отпирается. Вследствие этого через диод 32 и эмк1 тер-колпектор транзистора 28, шунтирующий резистор 30, подается положительное смещение на катоды диодов 1, 2, 3 и 4, через р исторы 18, 19, 24 и 25 - на базы, и через резисторы 14 16, 20 и 22 па коллекто{ил транзисторов 10, 11, 12 и 13, При этсм подача положительного смапения на эмиттер транзистора 28 ослабляет действие отрицательной обратной связи через резистор 33 и тем самым способствует более полнсяму ormfркнию транзистора 28, Поэтому в открытсад состоянии ключа происходит надежное запирание диодов 1, 2,. 3 и 4 и полное отпирание транзисторов Ю, 11, 12 и 13. Формула изобретения Ключ, содержащий транзисторы одного типа проводимости, резисторы, диодномостовую схему и переключатель, при этом между точками объединения eiaouOB диодов диодно мостовой схемы псюледовательно включены первый и второй реэисторы, общая точка которых соединена с коллектором первого транзистора, эмчптер которого непосредственно, а база через третий резистор подключены к общей шине, одна из точек объединения анодов диодов диоднсу-мостовой схемы соединена с общей точкой эмиттеров второго и третьего транзисторов, а другая точка объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы подключена к общей точке эмиттеров четвертого и пятого транзисторов, причем одна из точек объединения катодов диодно-мостовой схемы через четвертъгй резистор соединена с первой входной клеммой, через пятый резистор - со второй входной клеммой, через шестой резистор - с базой второго транзистора, а через седьмой резистор подключена к базе четвертого транзистора, причем котьлекторы второго и четвертого тра11зисте ров соединены соответственно с первой и второй входными клеммами, -другая точка объединения катодов диодов диодномостовой схемы через восьмой резистор соединена с первой выходной клеммой, через девятый резистор - со второй выходной клеммой, через десятый резистор с базой третьего транзистора, а через одиннадцатый резистор подключена к базе пятого транзистора, причем коллекторы третьего и пятого транзисторов соединены соответственно с первой и второй