Способ получения рентгеновских дифракционных топограмм Советский патент 1980 года по МПК G01N23/207 

Указанная цель достиг a елря тем, что в .предлагаемом .способе п:0Л|учвн1Ия топдара мм Систему кристалл-пленка даподнительно вращают «оир.уг оси, проходящей чарез фоку1с рентгеновской трубки « параллельной оаи (Вращения кри1сталла, с угловой скорО1Стью, 1ра|вН|ОЙ icKopiocTH вращения кристалла м троти.В01П10лож1ной ей по .направлению. На фиг. 1 изОбражена (рентгеною-птичеекая схема съемки на ярогавет для случая си;М1мет1рич,ной геометрии дифракции (отражающая плоакость перлендикулягрна поверхнОсти кристалла); на фиг. 2 - то же, для съемки на отражение (отражающая плоскость параллельна Бюверхности кристалла). Расходящийся пучок немонохраматизированного рентгеновакого излучения, исходящего из точечного фокуса } рентгеновской трубки, .проходит через формирующую, щель 2 чколлиматара и падает .на кристалл 3. Дифрапнрованный пучок падает на фотопленку 4, которая в случае симметричгаой геометрии Диф.ракц1и.и устанавливается параллельно кр.И1дталлу. На чертежах показаны средние лучи обоих пучков. Первоначальные положения кристалла и пленки показаны сплошными лиииями, положения кристалла и ллеики в произвольЩ) вы-бранный .момент съемки прказаль пун.ктирньгми линиями. Стрелки у казывают направления вращеяий. В начальный мо-мент времени луч RO падает в О кристалла и, дифрагируя в нап,равлени.и QQi, попадает в тючку pi пленкш. (В п. съемки кристалл вращается опносительн о оси О, лежащей в плоскости его То верхност,и, со (окррюстью а и одноарэменно iBOiKipyr оси Ог вращения системы кристалл -пленка, со)В1мещенной с фокусом I/ рентгеврвской пр(, со Окоростью -0). Наложвн.ие этих двух вращений относительно параллельных осей дает результирующее поступательное перемегцение кристалла-. В произвольный момент времени t кристалл оказывается IB положении, .параллелыщом его начальному положению, 11)р.ичем точка О мр.астад,да, совершив паво.рот отноаителыно оси 0 на угол со/, приходит в точку О . Луч RO в 1момент (Времени t дифрагирует в то(Ч1ке А кристалла в налравлеиии AAi, параллельном направлению Таким Образом, в пр/оцеосе .съем.ки ртдельные части кристалла посл;едовательно ртражают пучо:к дадающепо рентгеновского .дзлучени. Пленка в Броцеюсе съемки , одновременно вращается: относителыно оси О со скоррстью 2&); ОТросительно оси Оь лежащей в плоскости планки, со скрро.стью - со; относительно дои Р2 ,в,ращен.йя системы К|ристалл - пленка со .скоростью - .и. НаложеН:ие трех указанных вращений относительно параллельцьгх .осей тажже дает .поступательное .пэррм щение. iB Момент времени -f пленка занимает положение, параллельное ее першрначальнрму положению, причем точка .Oi пленки, оовершда пово.рот ртнррительно оси Оз н-а угол - со/ и поворот ртнооительно оси О на угол йсо/, .перехр.дат.в точ, Oi. Дифрагированный в .момант t луч АА попадаетв трЧ1ку Л пленки. Цри движении по предлагаемрй схеме перемещение пленки относительно кристалла 1не отличается от |СоответстБ1ующего перемещеиия в схеме И31вес11ного споорба углового сканирования кристалла и пленки. Следовательно, сохраняется условие наложения на пленке изобра.ж0ний К ристалла, формируемых лучами ра.зных длиц волн (условие фокусировки) незавиавмо от лИг нейных расстояний источник - кристалл и кристалл - пленка и от геометр.ии дифра.кЦ|ии. В случае аси(Ммет,рИ1Чной геометрии д|ифра11щии фокусировка изображения сохраняется иа|к для предлагаемого способа, TaiK |и для QCHOiBHoro способа, если пленку располагать под углом Oi к поверхности .кристалла, крторый вычисляется .по форм;уле: , , , а-Ь , tg(a-a,).py-tga, где а - угол наклона отражающих плоскостей к поверхности кристалла; а - расстояние источник - образец; Ъ -: расстояние образец - пленка. . Фирмула справедлива как для съ.мки «а прорвет, так .и .«а отра.жени1е. Таиим образргл, отличие предлагаемой схемь OT известной состоит .во (введении .дополнительного врап,ен1И.я системы кристалл -лленка .относительно третьей р:си (рои 02 фиг. 1 ;И 2). iB этрм случае трпог.рамма фор1мир(уется путем /11Осл.едоБательногр .отвещеНия рентгенрврмим пучком1 разньгх учаiCTKipiB к;р.исталла. то дает возмржиость снимать Tono-npaiyiMbi юристаллш больщрй площади npijti отлосвтельно небо.дьщой горизантальной .расхрдимост.и первичяргр пучка .излучения. У|грл перввчногр пуч1ка ртнрсительно пл1р1скосги зеркала анрда рентреНовской трубки вь1би;рается оптимальным с Т.ОЧКИ з.рения величины видимой грризчнта.льной проещии фокуса ;и .и«тенси.внО,сти излучения и сохраняется леизмен1НЫ1 1 для дифракции от любой рбласти кристалла. С,ледо.вательно, высокое 1раз рещение может бь1Ть обе.спеченр для (всей пл.рщади, ропрграммьг .Кроце трпо, по.сле|Д|Оват.ель1Ное ошещение кр.исталла рен1тгенрв.ски;м гсучжрм освобождает рт нбрбходимос.ти .а.де.шя |К|р.И1Стал.ла на |бо. раострядае от .источника излучения с увеличением размеров кристалла. Достижение высркагр разрещения топограммы большого кристалла не соировождается потерей в экспрессносхи ее .получения.

Формула изо1бретения

Стасоб получения ренттгбжквских дифракционных топограмм по авт. св. № 300817, отличающийся тем, чтю, с целью повышения разрешения цри получении топограмм от кристаллсив большой площади, систему К;ристалл-плеика дополнительно вращают вокруг оаи, проходящей через фокус рентгеновской трубки и параллельной оси вращения кристалла, с угловой скоростью, равной скорости вращения кристалла и противоположной ей по направлению.

Источ1ник ин|фар,маци1и, принятый во внимание при экспертизе:

;1. Авторское свидетельсттво СССР № 300817, кл. G 01 N 23/207, 1969.