Способ получения электрографи-чЕСКиХ СлОЕВ Советский патент 1981 года по МПК G03G5/02 

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКИХ СЛОЕВ

рографических слоев селен наносят ;со скоростью 25-80 мкм/ишн одновременно с нагревом подложки, при этом нанесение селена начинают при температуре подложки 45-65°С, а заканчивают при 80-95°С.

При таком способе получения селенового слоя, в отличие от известного, кристаллическая фаза селена не образует сплошной прослойки на границе селена с подложкой, а диспергирована в объеме аморфного селена. Образование подобной структур селенового слоя обусловлено тем,что температура подложки в момент начала нанесения селена сравнительно низка (45-б5°С) и только к концу процесса нанесения селена достигает своего максимального значения (8095°С). Увеличение скорости конденсации селена до 25-80 мкм/мин приводит к значительному сокращению времени пребывания слоя при повьваенных температурах при одновременном расшИрении температурного интервгша процесса изготовления слоев. Такой режим упрсвцает операцию нанесения селена на подложку и увеличивает выход годных слоев, позволяя получать высокие значения напряженности поля и светочувствительности при положительном и отрицательном знаке поверностного заряда слоя.

Пример , Проводится.термическое испарение в вакууме навески селена марки СВЧ-2 ГОСТ 6738-71, обеспечивающей получение слоя тол(ф1ны 60 мкм. Цилиндр-подложка из дюраля, оксидировсшный разогревается до 35°С, после чего начинается испарение селена, пары которого компенсируются на подложку со скоростью 25 мкм/мин, В процессе испарения подлеаска продолжает разогреваться, и к моменту окончания испарения ее температура достигает Полученный злектрографический слой резко Охлаждается до комна- ной тем пературы со скоростью 15-60 град/ми путем быстрого напуска воздуха в вакуумную установку и последунадего охлаждения его сжатым воздухом со стороны подложки, Слой имеет следующие параметр : : F 32 В/мкм; РО 27 В/мкм; S+ 1,57 и ,8 (где F и начальная напряженность электрического поля при положительном и отрицательном заряде; S и S - светочувствительность по критерию Д F 10 В/мкм при цветовой температуре источника света Тц 2850 К) время темнового полуспгща при обеих полярностях поверхностного заряда 1-2 мин,

Использование предлагаемого способа получения электрографического слоя обеспечивает повышение таких электрографических параметров слоя как светочувствительность и начальная напряженность поля и увеличает выход годных слоев в 1,5-2 раза по сравнению с известным способом за счет снижения требования к точности поддержания температуры на поверхности подложки.

Формула изобретения

Способ получения электрографи- . ческих слоев, заключающийся в нагреве подложки, нанесении на нее селена путем термического испарения в вакууме и охлаждении подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности слоя, селен наносят со скоростью 25-80 мкм/мин одновременно с нагревом подложки, при этом нанесение селена начинают при температуре подложки 45-65с, а заканчивают при 80-95С.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР 236245, кл, G 03 G 5/02, 1976,