Способ изготовления биполярногоэлЕКТРОфОТОгРАфичЕСКОгО НОСиТЕляизОбРАжЕНия Советский патент 1981 года по МПК G03G5/82 

ленных условиях (80-90°С), слой яолучается свободнькм от уровней захвата, т. е. обладает ,на«большей светочувствительностью. В то же время, так как температура подложки не превышает 75° С, .на границе с ней .не образуется сплошиой подслой кр:исталличеоко го селена, .и «о.нтажт остается запорным. Из-за небольшой теплопроводности аморфного селена (0,123- 0,137 Вт/м град при 25° С) дальнейший ,нагр.ев подложжи в процессе напыления селена происходит слабо. Первые же осевшие на подложку ато;мы ЭКраиируют ее от нагревателей. .Мо1жпо ;прО|Изводить напыление и (На охлажденную подложку (пиже 20° С), но это приводит лишь к усложнению конструкции. Поэтому предпочтительная температура лежит IB пределах 20-75° С.

Нагрев непоаредственно самого Слоя селена в процессе осаждения, .например, с помощью пзлучательных нагревателей, позволяет уже в процессе напыления регулировать его элект1рофотографичес1кие параметры, так жак стано1В.ится возмож.ныМ управлять структ прой слоя по глубине. Благодаря этому удается значительно уменьшить разброс параметров готовых слоев.

При.мер. Селен ГОСТ 6738-71 испаряется в вакууме 1 10 . Торр на дюралюминиевую подложку толшиной 2 мм со акоростью 3 мкм/мин. Налрев подложки и осаждаюш;егося селенового слоя осуществляется с помощью вольфра мовой ленты, располож.е.нной со стороны осаждения слоя на расстоянии 70 мм от подложки. Контроль тем.пературы .подложки и слоя осуществляется двучмя тер;мопара|МИ, расположенными по обеим сторонам подложки. Температуру слоя селена показывает термопара, расположенная на подложке со стороины осажден1Ия селена, так каас на нее также осаждается селей.

Операции производятся в следующем порядке. После .достижения необходимого вакуума ( Торр) включается нагреватель (вольфрамовая лента) и температура подложки доводится до 70° С (это констатируется термопарой, расположенной с тыльной стороны подложки). Через 1 - 2 мин после начала испа.рения на подложке (и термопаре, расположенной со стороны осаждения слоя) осаждается слой селена, толщиной 2-5 мкм. К этому времени температура слоя (с помощью нагревателя) доводится до 80-90° С и поддерживается в этих пределах до конца испарения. Температура подложки к концу испарения поднимается до 75° С. Время испарения 25 мин, толщина .получен1ного слоя 70 мкм.

Кроме того, были изготовлены слои при температуре нодложки 20-25° С и 50-

53° С (при прочих равных условиях). У трех слоев измерены пр.н обеих полярностях зарядки рабочая напряженность поля, т. е. отношение поверхностного потенциала к толщине слоя, и светочувствительно1Сть,

измеренная но критерию (V-Vi)/V, где V - начальный потенциал слоя,

V - потенциал, оставшийся на слое

после акспозидии 30 лк с. Папряженность поля у всех трех образцов составила .цри положительной зарядке 30-35 В/мкм, при отрицательной зарядке 25 В/мкм. Светочувствительность при положительной зарядке 0,83-0,87; при отрицательной зарядке 0,8-0,83. Светочувствительность электрофотопраф.нческих слоев, полученных известным способом при положительной зарядке составляла 0,5; при отрицательной зарядке - 0,7.

При использовании предлагаемого способа изготовления биполярных электрофототрафических слоев методом термического испарения селена в вакууме выход биополярных электрофотографичесюих слоев с (ВЫСОКОЙ светочувствительностью увеличивается в 1,5-2 раза.

Формула изобретения

Способ изготовления биполярного электрофотографического носителя изо.бражения, включающий нагревание подлож.ки, напыление на .нее слоя селена в вакузме и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительносин носителя, в процессе напыления осаждающ.ийся слой селена дополнительно нагревают.

РГсточник инфо;рмации, принятый во в.пимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство № 239037, кл. G 03 G, 13/02, 1965.