СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ СЛОЕВ Советский патент 1972 года по МПК G03G5/02 

Изобретение относится к электрофотографии, в частиости к .технологии изготовления селеновых электрофотографических слоев.

Известен способ изготовления селеновых электрофотографических слоев методом термического нсиарения в вакууме. В целях нолучения однородного бездефектного Слоя в вакуумной системе ноддерживается вакуум порядка 1-10.- 1 10-3 ro/j. В этих условиях отсутствует /Чфоцесс диффузного наиыления и, если подложка была нредварнтельио от азована ирогревом илинонной бомбардировкой, то слои обладают удовлетворительной однородностью, в них отсутствуют мнкроиоры и газовые включения. Ири этом одинм из основиых условий иолучения таких слоев является нроцесс медлеииого напылеиия (1-2 мкм/мин).

Источником загрязнения наныляемого селена является сам селен. В селене даже высокой чистоты (марки В-4, В-5) всегда растворено многс газов. В процессе нсиарения ироисходит выброс раснлавлеииого селена и образование микроиеровиостей и мнкронеоднородностей слоя. Эти дефекты ведут к де(|)ектам изображения. Имеиио иоэтому скорость наныления селеновых слоев ограничеиа 1-2 мкм/мин, что ведет к увеличению времени нанылення, и следовательно, к кристаллизации селена. Чтобы избежать кристаллизации

прибегают к ноннжен 1ю температуры селено вого слоя во время нанылегшя, а тем самыл ухудшают одиородность слоя. Увеличени( скорости ианылеиия нутем увеличения зерка ла иснарения не может быть уснешио нриме неио из-за резкого увеличения тепловой ра диации.

Для увеличеиня скорости напыления селе новых электрофотографическнх слоев, умень шения време1Н1 наиылеиия и увеличення тем пературы нодложкн для формнровання боле однородных и более светочувствительных се леновых электрофотографических слоев пред лагается cHoct)6 подготовки селена для напы методом термического испарения, за ключающийся в иредварительном обезгажива ннн иснаряемого селена, с последующим меха ннческим удалением посторонних частиц и при месей.

Предлагается способ скоростного напылени при повышеиных температурах подложк Н BbicoKoii температуре кондеисируюнлего се ленового электрофотографического слоя.

Пример 1. Обезгажнваиие нснаряемо селена нроизводнтся в вакууме сначала нр температуре его плавления до полного ирекра щения газовыделення, затем температур расплава повышается ступенчато вплоть д температуры выше температуры испаре 1ия расплава для напыления селенового слоя. Пос

ле выдержки расплава при этой температуре для прекращения газовыделения расплав охлаждается до комиатной температуры, затем в вакуумную систему впускается воздух, а подготовленный к напылению селен 1агревается снова до температуры его плавлепня и с поверхпости расплава удаляются посторонние частицы.

Охлажденный селен загружается в вакуумную установку и производится повторное обезгаживание.

Пример 2. Обезгаживаиие заключаетея в быстром нагреваннн расплавленного селена до темнературы выше температуры испарения селена при атмосферном давлении, а затем в ступенчатом уменьшении давления.

Для получепия однородных в структурном отношении и высокочувствительных селеновых слоев следует повысить скорость напыления до 10-30 мкм/мин., а темнературу слоя в процессе пагплления до 110-130°С и более при малом времени напыления (10-20 мин). Это способствует наибольшей полимеризации

молекул селена при незначительном образовании кристаллической фазы. Селен марки «селен для выпрямителей (чистотой 99,992%) напылялся со скоростью 12-13 мкм/мин нри

температуре подложки около 73° С, давлении остаточпых газов около тор и максимальпой температуре слоя 110-115° С.

Слои изготавливают толщиной 100-120 мкм на стеклянных подложках толщнной 10 мм

с токопроводящим слоем из двуокиси олова.

Предмет изобретения

Способ получения электрофотографических слоев путем термического испарения селена в вакууме, отличающийся тем, что, с целью увеличения светочувствительности, предельного потенциала, уменьшения темнового спада

и «усталости слоя, селен обезгаживают и напыляют со скоростью 10-50 мкм/мин при температуре селенового электрофотографического слоя 100-150° С.