Тонкопленочный резистор Советский патент 1981 года по МПК H01C7/06 

Описание патента на изобретение SU809411A1

54) ТОНКОПЛЕНОЧНШ РЕЗИСТОР

Похожие патенты SU809411A1

название год авторы номер документа
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР 2007
  • Лугин Александр Николаевич
  • Оземша Михаил Михайлович
  • Власов Геннадий Сергеевич
RU2330343C1
ПРЕЦИЗИОННЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР 2010
  • Власов Геннадий Сергеевич
  • Лугин Александр Николаевич
RU2421837C1
Способ изготовления тонкопленочного резистора 2018
  • Новожилов Валерий Николаевич
RU2700592C1
Способ изготовления пиротехнических резисторов 2021
  • Калинина Татьяна Михайловна
RU2780035C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ 2016
  • Штурмин Александр Александрович
  • Чернева Ирина Андреевна
RU2628111C1
ТЕРМОСТАБИЛЬНАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МИКРОСХЕМА 1996
  • Лугин А.Н.
  • Власов Г.С.
  • Литвинов А.Н.
RU2129741C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2000
  • Смолин В.К.
  • Кондрашевский В.П.
RU2183876C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗИСТОРА НА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ИЛИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ 2015
  • Бабайлов Александр Алексеевич
  • Верба Владимир Степанович
  • Воронцов Леонид Викторович
  • Даниленко Дмитрий Александрович
  • Гришуткина Татьяна Евгеньевна
RU2636654C2
ТЕРМОСТАБИЛЬНАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МИКРОСХЕМА 2000
  • Лугин А.Н.
  • Власов Г.С.
RU2185007C2
МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА 1992
  • Кузнецов Д.И.
  • Тюхтин М.Ф.
RU2034375C1

Иллюстрации к изобретению SU 809 411 A1

Реферат патента 1981 года Тонкопленочный резистор

Формула изобретения SU 809 411 A1

1

Изобретение от 1осится к области электронной техники, а именно, к тонкопленочным резисторам для интегральных микросхем, особенно термостойких.

Известны тонкопленочные резисторы, содержащие диэлектрическую подложку с расположенным на ее поверхности пленочным резистивным элементом в виде полосы, концы которого контактируют с пленочными выводс ми 11.

Однако такие резисторы быстро выходят из строя вследствие разрушения материалов резистивного элемента и выводов в зоне контакта, вызываемого процессами электромиграции и электродиффузии , скорость которых увеличивается в ростом плотности тока, протекающего через резистор а также при повышении рабочей температуры резистора, надежности и термостабильность таких резисторов невелика Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является тонкопленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с расположенным на ее поверхности пленочньи резистивным элементом, имеющим расширение на одном из концов, контактирующих с соответствующими им по ширине пленочными выводами. Этот резистор рассчитан на работу на постоянном токе, поэтому расширение имеет только один (положительный) конец резистора, причем это расширение может быть прямоугольной, треугольной формы или в виде кругового сектора. Любой вид расширения сни:хает плотность тока в зоне контакта 121.

Недостатком резистора является то, что упомянутые выше формы не обеспечивают равномерного распределения плотности тока вдоль кромки вывода, которая граничит с расширением и является наиболее критичной частью резистора. В результате уменьшения интенсивности процессов электромиграции и электродиффузии надежность и термостабильность известного резистора не достаточно высоки. Увеличи вая площадь расширения, можно добиться дальнейшего уменьшения скорости разрушения материалов резистивного элемента и выводов в зоне контакта, однако это противоречит требованиям микроминиатюризации.

Цель изобретения - повышение надежности и термостабильпости резис0тора. Эта цель достигается тем, что в тонкопленочном резисторе, содержащем диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным резистивным элементом с расширенными концами и пленочными выводами, кромка вывода, граничащая с расширенным концом выполнена в виде дуги эллипса большая ось которого перпендикулярна оси резистивного элемента. Кроме того, расширенный конец резистивного элемента в зоне контакта с выводом имеет утолщение, На фиг. 1 изображен пленочный резистор, общий вид на фиг. 2 - вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А. Тонкопленочный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, нанесенный на ее поверхность пленочный .резистивный элемент 2, пленочные выводы 3 с расширенными концами 4 резистивного элемента, кромка вывода граничащая с расширенным концом, им ет форму дуги эллипса 5, утолщение б резистивного элемента в зоне контакта 7. Если резистор рассчитан на работу на постоянном токе, он имеет оди расширенный (положительный) конец резистивного элемента, при работе на переменном токе расширенные оба конца резистивного элемента, контактирующие с соответствующими им по ширине пленочными выводами. Благодаря указанной конфигурации кромки вывода, полученной моделированием, дост гается максимальная равномерность .распределения плотности тока по кро ке, за счет чего абсолютное значени плотности тока и на кромке, и в зоне контакта минимально при заданной площади расширения. Это позволяет без увеличения площади, занимаемой резистором на поверхности подложки, свести до минимума скорость процесс электромиграции и электродиффузии, повышая надежность и термостабиль- i ность тонкопленочного резистора. Так как толщина резистивного элемента значительно меньше толщины вывода, то утолщение расширенного конца резистивного элемента в зоне контакта с выводом, замедляя разрушение материала элемента, служит той же цели. Использование предлагаемого пленочного резистора показывает, что надежность и стабильность его могут быть повышены в 1,5-2 раза при одновременном увеличении рабочей температуры до предела термостойкости резистивного материала. Формула изобретения 1.Тонкопленочный резистор содержащий диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным резистивным элементом с расширенными концами и пленочными выводами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и термостабильности резистора, кромка вывода, граничащая с расширенным концом, выполнена в виде дуги эллипса, большая ось которого перпендикулярна оси резистивного элемента. 2.Тонкопленочный резистор по n.l отличающийся тем, что расширенный конец резистивного элемента в зоне контакта с выводом имеет утолщение. Источники информации,, принятые во внимание при экспертизе 1,Холлэнд Л. Пленочная микроэлектроника. М., Мир, 1968. 2.Патент США 3629782, кл. 338308, 1971 (прототип).

Фи,.3

SU 809 411 A1

Авторы

Беляков Алексей Семенович

Головин Владимир Иванович

Смирнов Андрей Борисович

Юсипов Наиль Юсипович

Даты

1981-02-28Публикация

1979-03-02Подача