(54) ТЕРМОРЕЗИСТОР
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Волоконно-оптический датчик температуры | 1989 |
|
SU1721451A1 |
Терморезистор | 1982 |
|
SU1064323A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРА | 1994 |
|
RU2084032C1 |
ФОТОННО-КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ ВОЛОКНО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2552590C1 |
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ | 1970 |
|
SU288352A1 |
ФОТОШАБЛОН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1981 |
|
SU1026564A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ЭФФЕКТОМ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ | 2015 |
|
RU2609764C1 |
ОСОБО ЧИСТЫЙ СУЛЬФИДНО-МЫШЬЯКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ СИНТЕЗА ВЫСОКОПРОЗРАЧНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2010 |
|
RU2450983C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ЭФФЕКТОМ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ | 2016 |
|
RU2631071C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПЛЕНКЕ ХРОМА | 2010 |
|
RU2442239C1 |
1
Изобретение относится к полупроводниковой технике и используется при изготовлении терморезисторов из халькогенидных полупроводниковых материалов.
Наиболее близок к предлагаемому терморезистор, содержащий полупроводниковый термочувствительный элемент .
Одним из существенных недостатков Применения полупроводниковых кристаллов в качестве рабочего тела терморезистора является значительньш разброс параметров термор зисторов, обусловленный влиянием неконтролируемой примеси на .величину электропроводности и энергии активации.
Цель изобретения - улучщение параметров терморезистора -достигается тем, что в терморезисторе, содержащем полупроводниковый термочувствительный элемент, в качестве термочувствительного элемента используют волокна из халькогенидного полупроводникового материала в стеклообразном состоянии в защитной стеклянной оболочке.
Рентгеноструктурные исследования показали, что материал сердцевины волокон диаметром 10-600 мкм находится в стеклообразном состоянии, никаких кристаллических включений в полученных волокнах не о.бнаружено. Электропроводность волокон с сердцевиной из SbaSej лежит в пределах (1 -10) Ю Ом см. С уменьщением температуры электропроводность уменьщается по экспоненциальному закону, причем энергия активации равна 0,6 эВ.
Для изготовления терморезисторов непрерывные волокна из халькогенидных полупроводниковых материалов в защитной
оболочке нарезают на отрезки необходимой длины (5-15 мм) и к концам волокна по обычной технологии (например, с помощью токопроводящего клея) подсоединяют выводные контактные концы.
Пример. Непрерывные волокна с сердцевиной из оболочкой из молибденового стекла диаметром 100 мкм нарезали на отрезки длиной 8 мм, протравили концы (по 2 мм) защитной стеклянной оболочкой в 60 °/о-ном растворе плавиковой кислоты
и к концам волокна подсоединили с помощью акводага выводы из медной проволоки. Полученные таким образом терморезисторы имели параметры: габаритные размеры: диаметр 20-600 мкм, длина 2-15 мм; сопротивление при 20°С-10в-5 10 Ома; температурный коэффициент сопряжения в процентах на 1°С oL 5; 5.0-6,5; постоянная в (°К), характеризующая температурную чувствительность термосопротивления, 4500-6500; максимально допустимая температура 250°С. При использовании волокна для изготовления терморезисторов значительно упрощается технология изготовления рабочего тела терморезистора, получаемое рабочее тело сразу имеет защитную оболочку. Благодаря существенному упрощению технологии изготовления рабочего тела терморезисторов, исключению из технологического процесса различных методов предварительной обработки материалов, используемых в качестве рабочего тела, проведению процесса вытяжки волокон в вакууме или в нейтральной атмосфере повышаются стабильность состава и стабильность работы терморезистора, исключается влияние неконтролируемой примеси на его параметры; благодаря отсутствию халькогенидных стеклообразных полупроводников примесной проводимости повышается радиационная стойкость, что обеспечивается высокой радиационной стойкостью стеклообразных полупроводников. Формула изобретения Терморезистор, содержащий полупроводниковый термочувствительный элемент, отличающийся тем, что, с целью улучщения параметров терморезистора, в качестве полупроводникового термочувствительного элемента используют волокна из халькогенидного полупроводникового материала в стеклообразном состоячии. в защитной стеклянНОЙ оболочке. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Кот М. В., Шутов С. Д. Высокотемпературные сопротивления из трехселенистой сурьмы. Экспресс-информация. Кишинев, 1962, (прототип).
Авторы
Даты
1981-04-07—Публикация
1978-09-26—Подача