Терморезистор Советский патент 1983 года по МПК H01C7/00 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ткс).,

Известен терморезистор, содержащий изолирующую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент из нитрида галлия и пленка защитного . экрытия ij .

Недостаток данного терморезистор состоит в узком диапазоне рабочих температур до 350°С),

Наиболее близким к предлагаемому является терморезистор, содержащий изолирующую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент из халькогенидного полупроводникового материала (5Ь251з) и пленка защитного покрытия 2j .

недостаток известного терморезистора заключается в узком диапазоне рабочих температур до ) ,

Цель изобретения - расширение диапазона рабочих температур термо резистора.

Указанная цель достигается тем, что в терморезисторе, содержащем изолирующую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент из халькогенидного полупроводникового материала и пленка защитного покрытия, в качестве хашькогенидного полупроводникового материала термочувствительног.о элемента использована пленка моносульфйда ев.ропия, при этом толщина пленки моносульфида европия составляет , 15-30 толщины пленки защитного покрытия.

Использование пленки моносульфида европия в качестве материала термочувствительного элемента позволяет расширить температурный диапазон терморезистора от температуры кипения жидкого азота до тем.пературы сублимации моносульфида европия (EuS) в вакууме 10Па. При изменении температуры от -90 до 900°С электропроводность пленки EuS ихменяется по экспоненциальному закону на 10-пор дков от 7 10 до 2-10 Ом. При температуре -90°С величина ТКС oL 110 4/град. при температуре Л 1 lO l/град Энергия активации проводимости при температурах вьпие 600°С составляет ,88 эВ, что обеспечивает высокий ТКС.

Изготовлены терморезисторы, состоящие из двух слоев - пленки EuS толщиной 0,5-0,6 мкм диаметром б мм и защитной пленки SiO толщиной 0,010,02 мкм диаметром 8 мм, нанесенных на подложки из лейкосапфира, слюды, ситалла.

В таблице приведены характеристики терморезисторов и результаты их испытаний.

ТЕРМОРЕЗИСТОР, содержащий изолирующую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент из халькогениднбго полугпровбдникового материала и пленка защитного , о т л и .ч а щ и и с я тем, что с цельюрасширения диапазона рабочих тем- ператур терморезисторов, в качестве халькогенидного полупроводникового материала, термочувствительного элемента испбльэована пленка моносульфида европия, при этом толщина пленки ьюносульфида европия составляет 15-30 толщины пленки защитного покрытия.