Полупроводниковый элемент памятидля пОСТОяННОгО зАпОМиНАющЕгО уСТРОйСТВА Советский патент 1981 года по МПК G11C17/00 

Изобретение отнсжится к вычислительно о технике и преаиаэначено оля изготовления В интегральном исполнении накопителя для постоянного запоминающего устройств на оснсее элементов памяти, соокержащих в качестве активного вещества халькогенжшый стеклообразный полупровоаник (ХСП); Известен элемент памяти, выполненный ва осаове ХСП и содержащий для электрической развязки элементов; накопителе р -п перехоп. Он выпошен на проложке |Р-типа проводимости, на которой сформирован сло И -типа (катод диода), в пределах которого находится аиффузиоиный слой р-типа (анод циода). На границе раздела слоя м -типа и подложки р -типа находится скрытый слой и -типа. Диод отоелен от соседних элементов f -областями и, таким образом, изолпрсжан по бокам и сниз;у1 1.. Недостатками устройства являются ограниченное быстродействие, обусловленное примег/чием р-и перехода, паразитными связями в объемной структуре, высокое сопротивление элемента в проводящем состоянии и сложность технологии изготовления. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является элемент памяти, содержащий р-И переход, сформир(жанный на базе Гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире (КНС). р-п Переходы обьещгаены в строчки диффузнонными X -шинами. С целью уменьшения сопротивления X -шин. по: обеим сторонам кремниевой шины сформированы п дорожки. . Элементы памяти располагаются вертикально надр- - областями р-п переходов. Последние объединения в столбцы алюминиевыми V -шинами. Размер одного элемента накопителя-составляет 6500 мкм. Таким фразом, известный элемент памяти содержит пластину, например, из поликремния, в которой размещены полосы первого слоя диэлектрика, на поверхности которых расположен слой полупроводника.

382

например мсиокремния с поцслоем, над слоем монокремния размещен второй слой диэлектрика, сверху которого расположены металлические шины, слой ХСП, размещенный в сквозных отверстиях металлических .шин и второго слоя диэлектрикаГ2.

Недостатками элемента памяти явпяаотся ограниченное быстродействие и высокое сопротивление элемента памяти.

Цель изобретения - повышение надеж.ности элемента памятаг.

Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит пленку металла, которая размещена между слоем ХСП и слоем монокремния, при этом

металла со слоем монокремния образует диод Шоттки,

На фиг. 1 показан элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на подложке поликремния; на .фиг. 2 эквивалентная электрическая схема элемента памяти, на фиг. 3 - элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на сапфировой подложке с эпитаксиалъной пленкой кремния, на фиг. 4 эквивалентная электрическая схема эле: мента памяти.

Элемент памяти содержит пластину 1 из поликремния, полосы монокремния 2, подслой 3, первый слой диэлектрика 4, пленку металла 5, вуорой слой диэлектрика 6, металлические шипы 7, слой 8 ХСП, сквозные отверстия 9,

Для изготсжления элемента памяти используется пластина 1 поликремния с заглубленными в нее полосами монокремВИЯ 2 с сильно легированным подслоем 3 и первым слоем диэлектрика 4.

На поверхность полос монокремния 2 наносят слой металла 5 (молибден, никель или алюминий), образующий со слоем монокремния 2 диод Шоттки, на слой металла наносят второй слой диэлектрика 6, на который затем напыляют металлические шипы 7. В сквозные отверс- тия у слоев напыляется слой 8 ХСП.

На фиг. 3 и 4 представлен другой вариант конструкции элемента памяти, выполненного на пластине 1, содержащей двухслойную апитаксиальную пленку MOHO3.4

кремния на сап(}ире. В этом случае нижняя шина состоит из слоя кремния 2 и сильно легированного подслоя 3. Все остальные элементы конструкции 5-8 аналогичны первому варианту.

Элемент памяти изготовляют известными методами полупроводниковой технологии.

Использование предлагаемого изобретения, заключающегося в том, что между слоем ХСП и слоем полупроводника, например кремния, помещен диод Шоттки, позволяет улучшить электрические параметры элемента памяти, а именно, снизить его прямое сопротивление в 2-3 раза, повысить бьютродействие за счет замены р-П перехода диодом Шоттки, повысить степень интеграции.

Формула изобретения

Полупроводниковый элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий пластину, например, из поликремния, в которой размещены полосы первого слоя диэлектрика, на поверхности которых расположен слой полупроводника, например, монокремния с подслоем, над споем монокремния размещен второй слой диэлектрика, сверху которого расположены металлические шины, слой халькогенидного стеклообразногр полупроводника, размещенный в сквозных отверстиях металлических шин и втфого слоя диэлектрика, отличающийсй тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит пленку металла, которая размещена между слоем халькогенидного стеклообразного полупроводника и слоем монокремния, при этом пленка металла со слоем монокремния образует диод Шоттки.

Источники, -информации, . принятые во внимание при экспертизе

1, Электроника, т. 43, 1970, N«20, . 5.

2. Микроэлектроника, т. 6,вып, 4, 977, с. ЗО7 (прототип).

л.-.... ...

г

Y/7/7//////7/777///77/ /////J //y / y yyy

М

ФигЛ

7 Л

Ф«е.З

Фиг.