Способ измерения индукции магнит-НОгО пОля Советский патент 1981 года по МПК G01R33/02 

(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКЦИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

1

Изобретение относится к технике магнитных измерений и предназначено для измерения магнитного поля, а также поверхностных параметров полупроводников.

Известен способ измерения индукции маг нитного- поля, включающий воздействие магнитным полем на носители заряда в однородной полупроводниковой пластине и воздействие на пластину Лили jff-лучей 1.

Недостатком данного способа является использование радиоактивного излучения, которым облучают одну из сторон пластинки.

Известен также способ измерения индукции магнитного поля, включающий воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полупроводниковой пластине 2.

В известном способе на однородную полупроводниковую пластину действуют светом. В результате световой генерации на поверхности пластинки создаются носители заряда, которые диффундируют в объем. Под действием силы Лоренца они отклоняются в направлении, перпендикулярном движению. Вследствие этого на противоположных сторонах плас№нки возникает разность

потенциалов, по величине которой можно судить о ве тичине индукции магнитного поля. Недостатком известного способа является то, что интенсивность освещения пластинки, от которой зависит величина фототока, в ней не стабильна. Интенсивность света лам пы накаливания зависит от точности поддержания тока и сопротивления нити. Сопротивление нити меняется со временем вследствие испарения материала нити и ее утончения, а также зависит от температуры окружающей среды, в результате чего снижается точность измерения.

Цель изобретения - повыщение точности измерения индукции магнитного поля.

Цель достигается тем, что в способе, включающем воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полудроводниковой пластине на указанную пластину дополнительно воздействуют электрическим полем, перпендикулярным магнитному полю, снимают электрическое поле, а по разности потенциалов на гранях пластины, параллельных плоскости электрического и магнитного полей,, судят об индукции магнитного поля. Способ измерения индукции магнитного поля осуществляется следующим образом. Однородную полупроводниковую пластину помещают в измеряемое магнитное поле. Затем с помощью двух полевых электродов на нее воздействуют электрическим полем, перпендикулярным измеряемому магнитному полю. Постоянное напряжение, которое подают на полевые электроды, способствует интенсивному процессу захвата носителей заряда медленными поверхностными состояниями. После снятия электрического полз захваченные носители в результате диффузийч. и дрейфа двигаются от поверхностей плаб,тинь1. Под действием силы Лоренца носители отклоняются в направлении, перпендикулярном их движению. Это вызывает появление на боковых гранях пластины параллельных плоскости электрического и магнитных полей, разности потенциалов, про порциональной индукции магнитного поля. Формула изобретения Способ измерения индукции магнитного поля, включающий воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полупроводниковой пластине, огг личающийся тем, что, с целью повышения точности на указанную пластину допЬлнительно воздействуют электрическим полем, перпендикулярным магнитному полю, снимают электрическое поле, а по разности потенциалов на гранях пластины, параллельных плоскости электрического и магнитного полей, судят об индукции магнитного поля. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 291173, кл. G 01 R 33/02, 1971. 2.Шалимов К. В. Физика полупроводников. М., «Энергия, 1971, с. 305-307.