СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОС МАГНИТНОГО ПОЛЯ Советский патент 1971 года по МПК G01R33/02 

В известных способах измерения напряженности магнитного поля, основанных на отклонении магнитным полем носителей тока в однородных полупроводниковых пластинках, например из германия или кремния, на результатах измерения сказывается нестабильность источников питания датчиков напряженности.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что плоскость пластинки располагают параллельно силовым линиям исследуемого поля, облучают одну из ее сторон стабильным потоком заряженных частиц и по разности потенциалов на краях пластинки судят об искомой величине.

Благодаря этому повышается стабильность результатов измерения.

Для проведения измерений согласно описываемому способу однородную полупроводниковую пластинку из германия или кремния помещают в исследуемое магнитное поле параллельно направлению его силовых линий. Одну из сторон пластинки подвергают облучению потоком а-частиц, испускаемых, например, препаратом плутония-238, или потоком р-частиц, испускаемых, например, препаратом Sf . При этом заряженные частицы проникают внутрь кристаллической решетки полупроводника и создают градиент концентрации носителей тока, направленный вдоль потока заряженных частиц, т. е. перпендикулярно к облучаемой плоскости и направлению магнитного поля. Внутри пластинки возникает диффузионный ТЭК носителей, также направленный перпен,ц1кулярно к направлению магнитного поля. Под действием силы Лоренца изменяется направление движения носителей тока, в результате чего возникает разность потенциалов иа краях пластинки, величина которой, при постоянной интенсивности облучения, линейно зависит от напряженности магнитного поля.

Предмет изобретения

Способ измерения напряженности магнитного поля, основанный на отклонении магнитным полем носителей тока в однородной полупроводниковой пластинке, например, из германия или кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения стабилыгости результатов измерений, плоскость пластинки располагают параллельно силовым линиям исследуемого поля, облучают одну из ее сторон стабильным потоком заряженных частиц и по разности потенциалов на краях пластинки судят об искомой величине.